IBM与西门子合作推进nanostack晶体管架构，目标迈向制造
IBM与西门子将开展合作研究，开发IBM的nanostack晶体管架构，目标是将该设计推向制造阶段。两家公司称该工作可能影响全球芯片性能、能效和人工智能计算，因其旨在解决7埃节点之后的设计、仿真、光刻和生产挑战。此为合作研究计划，尚未涉及实际制造。
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IBM与西门子将开展合作研究，开发IBM的nanostack晶体管架构，目标是将该设计推向制造阶段。两家公司称该工作可能影响全球芯片性能、能效和人工智能计算，因其旨在解决7埃节点之后的设计、仿真、光刻和生产挑战。此为合作研究计划，尚未涉及实际制造。
据DIGITIMES独家专访，蔡司半导体制造光学（SMO）总裁Christoph Hensche表示High-NA EUV已准备好进入量产，订单已排至2027年。报道指出，AI芯片需求激增延长了蔡司（EUV光刻光学关键供应商）的订单能见度，2026年和2027年的需求已经明确，蔡司及其他部分制造商未来数年的产能已被全部订满。
据彭博社10月18日报道，橡树资本联席主席霍华德·马克斯在接受采访时表示，他目前并不认为市场已达到真正意义上的泡沫状态，其理由是泡沫的特征之一是投资者对风险的"浑然不觉"，而当市场人士普遍讨论泡沫风险时这种状态并不存在。估值方面，当前五大科技股远期市盈率约23倍，远低于2000年顶峰时的约65倍；但周期调整市盈率（CAPE）目前约为41倍，接近1999年创下的44倍历史纪录。行情方面，纳斯达克100指数本月早些时候再创历史新高后，上周随即下跌5.5%，部分市场人士将此归因于泡沫焦虑情绪的集中释放；市场结构上，英伟达、苹果和微软三家公司合计占标普500指数权重约21%，而1999年10月需将近10只股票达到同等权重。文中还提及半导体板块涨幅走势与此前泡沫时期高度吻合等技术面警示信号。该文为市场观点与评论，未涉及具体半导体产品价格或供需事件，原文未说明原因类核心事件。
据SPIE Digital Library的技术分析，常规极紫外（EUV）光刻使用13.5纳米波长、通过反射光学系统配合定制光掩模，虽能以高产能打印极小特征，但每个新设计都需要昂贵的掩模组。无掩模EUV光刻提出不将图形存储在物理掩模上，而是使用可编程阵列或其他快速可寻址光学元件，将数字图形直接写入晶圆，从而避开电子束光刻串行逐点写入的速度瓶颈，缩短设计迭代周期并降低小批量生产的固定成本。文章指出该技术并非对EUV扫描仪或电子束工具的简单替代：EUV辐射被大多数材料强吸收，系统需在真空和专用反射光学下运行；可编程图形发生器需在EUV曝光下保持纳米级定位精度、控制热量与污染并避免缺陷；光刻胶在极小尺寸下的随机变异以及海量图形文件的实时处理也是挑战。首批成功应用可能是有选择性的，如快速原型、小批量先进器件、研究、掩模修复或特定关键层，而非全面取代大规模量产光刻。此内容为技术背景分析，不涉及具体厂商、产量、价格或订单数据。
10月6日，由于担忧ASML可能进入混合键合设备市场以及HBM相关设备需求延后，美国银行下调了荷兰封装设备厂商Besi的投资评级，当日Besi股价下跌5.39%；次日瑞银进一步下调评级，Besi股价再跌8.49%，短短两个交易日累计下挫约13.4%。ASML早在2025年就已交付面向先进封装的TWINSCAN XT:260光刻系统，今年又传出研发混合键合设备的消息，并与Prodrive Technologies、VDL ETG等长期供应商进行合作接洽；2026年5月15日公布的国际专利WO2026098870A1《Bonding Apparatus》申请人为ASML Netherlands BV，但ASML尚未公开确认其混合键合设备的商业交付时间、客户认证进度或量产性能。10月1日，应用材料与Besi升级合作，Besi将成为应用材料位于硅谷的EPIC研发中心创新合作伙伴，该中心规划投资规模最高约50亿美元，投资将随客户项目推进逐步展开；五天后应用材料又宣布与英特尔深化合作，研发范围覆盖下一代晶体管、片上互连以及Foveros 3D先进封装。2026年3月，路透社援引知情人士报道称Besi因混合键合技术受到潜在收购方关注，Lam Research和应用材料均在相关名单中，但截至目前公开报道并未证实相关收购交易最终达成。此外，2026年5月Imec与EV Group宣布在晶圆到晶圆混合键合研究中实现200nm铜互连间距，300mm晶圆上所有测试芯片键合后铜焊盘叠对偏差低于40nm。大规模混合键合设备订单真正释放的时间仍受下游技术路线与量产进度制约。
SEC于10月16日表示，将向一家全球半导体封装测试(OSAT)服务商运营的量产线供应其Semi-Scan Wafer在线X-ray检测系统，这是该设备自今年第一季度开发完成后获得的首个商用订单。首批设备预计近期交付，供应量预计将增加，单台价格约为20亿韩元。Semi-Scan Wafer面向晶圆级封装(WLP)产线，采用无损检测方式检测微凸点及内部键合结构缺陷，也可用于检测HBM堆叠工艺。SEC称将以首个商用订单为基础争取更多全球客户，并计划将HBM及先进封装检测设备发展为核心增长动力；公司还表示正在为同一客户扩充产线，并已完成增产供应的准备。
据快科技10月17日消息，广汽埃安全新车系Ray的首款车型Ray7当晚在北京国家速滑馆"冰丝带"正式开启预售，共推出5款车型，预售价12.88万至15.88万元。该车定位"大5米超级纯电轿车"，车身尺寸4960/1900/1455mm，轴距2920mm，全系800V平台，后置单电机最大功率180kW，电池由宁德时代提供并融合埃安弹匣电池2.0技术，提供45.58kWh和62.98kWh两种容量，CLTC续航分别为530km和702km。智能座舱搭载高通骁龙8295P座舱芯片，配24GB运存和128GB闪存；智驾采用与文远知行L4同源的端到端大模型，并搭载华为DriveONE多合一电驱、全球首发的华为EMB全电线控制动及华为iTRACK动态扭矩分配系统。原文未说明原因，文中提及预售价低于此前外界预期的15万级。该新闻属于整车产品发布背景信息，不构成半导体价格或供需变化的直接证据。
中国初创公司Langdao Silex展示开发出首款国产极紫外光刻(EUV)激光光源,逐步为中国的完整供应链自主铺路。该系统名为FlintNano LPP-OXXO,据报道EUV输出功率超过15 W,所用零部件约90%为国产或自主开发。该系统采用激光等离子体(LPP)技术,即用高功率激光产生等离子体并产生先进芯片制造所需的EUV辐射,与ASML使用的工艺类似。据Langdao Silex公布的规格,FlintNano系统采用1,000 W驱动激光器,重复频率介于1至20 kHz之间;转换效率超过2%,公司声称设备可连续运行超过100小时。据称原型机适合用于晶圆曝光测试,但仍需进一步调试。背景方面,在美国政府施压荷兰政府停止销售这些先进工具后,EUV光刻设备被禁止在中国销售;ASML从未向中国交付过任何一台EUV扫描仪,荷兰政府在美国压力下于2019年实施出口封锁,尚无任何一套系统部署,但ASML继续向中国客户出货DUV系统。更重要的是,开发光源只是构建完整EUV扫描仪的一部分,此类系统还需要极其精密的反射光学器件、复杂的晶圆定位机构以及众多子系统的复杂集成。
作者根据Texas Instruments的一份新闻稿介绍，该公司推出RES80A-Q1，这是一款50-MΩ精密电阻分压器，可用于高达2,000 V DC的极高电压，且已通过AEC-Q200汽车级无源元件认证，主要用途是高压EV电池包中为车辆电池管理系统（BMS）提供电压数据。该器件采用高性能模拟晶圆工艺和SiO2绝缘层封装，8引脚SOIC封装标称尺寸7.5 mm × 5.85 mm，高低压引脚间爬电和电气间隙至少8.5 mm；每个分压器的实测比值与标称值之差在±0.1%（最大）以内，规定温度范围和老化条件下的累积漂移仅±0.2%（最大），未经校准的RES80A-Q1的寿命容差保持在±0.3%（最大）范围内。文章背景性讨论了汽车（尤其是EV）对无源元件性能要求提升，以及该类标准目录器件可被非汽车设计采用，同时指出汽车复杂化带来的维修与供应链挑战；文中未包含任何价格变动、产能或供需数据。
据Tom's Hardware 2026年10月16日报道，中国初创公司Langdao Silex（2024年由清华大学气体放电等离子体实验室校友创立）在中国上海第26届中国国际工业博览会上展示了一台EUV光源原型，输出功率超过15W、90%零部件国产、并具备一定运行时间，但现场未点亮运行。其FlintNano LPP-OXXO系统采用激光等离子体(LPP)技术，配备1000W驱动激光器（工作频率1kHz–20kHz），转换效率超过2%，亮度达100 W/(mm²·sr)，可连续运行超过100小时，等离子体稳定性3% RMS、EUV输出功率稳定性5%；不过其输出仍不足以支撑高量产芯片生产，且公司未说明15W是在等离子体处还是中间焦点处测量。据TrendForce援引多方消息，该公司还需三到五年才能将该技术商业化。此外，其正在开发的高功率FlintMicro-LPP EUV光源已完成原理验证，但输出功率、转换效率和运行寿命均未披露。光源仅是EUV光刻机的一部分，完整EUV扫描仪还需收集/照明光学系统、多层膜反射镜、工件台/掩模台等进展。
据快科技10月17日消息，博主数码闲聊站公布的数据显示，截至W41周，华为Mate 90系列激活销量约为43.6万台，位居国产旗舰第一名。该系列包含五款机型：Mate 90、Mate 90 Pro、Mate 90 Pro Max、Mate 90 Pro Max典藏版和Mate 90 RS非凡大师。硬件方面，Mate 90标准版搭载麒麟9030芯片，Mate 90 Pro搭载麒麟9035芯片，Mate 90 Pro的12GB内存版本搭载麒麟9050，16GB版本、典藏版及RS版搭载麒麟9050 Pro芯片；麒麟9050 Pro首次采用逻辑折叠技术，不依赖更先进光刻节点。Mate 90系列起售价为5999元。原文未说明该销量数据的进一步原因或影响。
三星据报道将于今年11月在得克萨斯州泰勒为其第二座芯片厂（Taylor Fab 2）动工，量产目标定在2030年。DigiTimes援引韩国The Guru报道称，Fab 2面积约为270万平方英尺。三星似乎也已在10月15日厂址附近的一场活动上确认了该时间安排，三星Austin Semiconductor的Jonathan Taylor表示建设应于下月初启动，且Fab 2将比Fab One大1.5倍。Fab 2将采用的工艺尚未公布。作为背景，第一座泰勒厂（Fab 1）已大幅超出其原定的2024年目标，目前正进行分阶段认证，已安装设备开始运行；Fab 1采用EUV光刻用于三星2nm工艺，计划2026年底投入运营、2027年量产；其最知名客户为特斯拉，双方签署了至2033年、金额165亿美元的AI6芯片协议，三星还将在得州为特斯拉以2nm工艺生产AI5；两座厂之间订单如何分配尚不明确。三星计划在得州中部投资超过370亿美元，并获得最高47.45亿美元的CHIPS法案资金支持。鉴于Fab 1耗时之久，原文指出2030年量产目标将在很大程度上取决于需求。
Terafab 项目已获得 16.8 亿美元的一期资金（四期总额最高可达 119 亿美元）；其位于奥斯汀的研究晶圆厂正在每月处理几千片晶圆，迭代工艺配方、晶体管设计和封装变体，而格里姆斯县正在建设的产能晶圆厂目标是每月 10 万片晶圆起始量，首片硅预计在 2029 年交付，采用埃隆·马斯克所命名的英特尔 14A 工艺。站点和一期资金已获批准，研究晶圆厂正在施工，但尚未公开首片晶圆日期或所有权条款，且特斯拉和英特尔均未签订合约约束。文章认为，先进封装而非光刻将决定单屋顶概念是否盈利。
西门子宣布扩大与英伟达的合作，以加速面向下一代AI芯片的计算光刻，全芯片光学邻近校正（OPC）工作负载速度最高提升12倍。双方正在将英伟达的cuLitho GPU加速库与西门子的Calibre制造软件集成，以应对先进半导体制造中最大的瓶颈之一。原文未说明原因（指该合作背后除技术瓶颈外的原因）。该事件为合作扩大的公告，其最终实施效果以原文所述为准。
IBM与西门子宣布合作开展研究，以推进IBM的nanostack架构；该架构在其7埃节点上集成近1000亿颗晶体管。西门子方面贡献EDA、仿真与光刻方面的专业能力。原文未说明原因，亦未给出具体时间表或财务条款。
据IT之家10月16日消息，博主@数码闲聊站今日爆料称，某厂超大杯正在同步评估测试天玑9600 Pro（D9600 Pro）处理器；结合该博主此前的爆料习惯，该机预计为OPPO Find X10 Ultra。该博主强调该方案还没完全定下来，过两个月再看，目前处于AB Test测试阶段，还需要等内部博弈。背景信息：联发科今年9月发布天玑9600 Pro旗舰芯片，OPPO Find X10 Pro Max手机首批搭载；该芯片首批搭载2nm制程工艺，拥有330亿+晶体管，深度联合台积电共研；CPU采用天玑智算融合架构，搭载2 x 超大核C2-Ultra 4.55GHz、3 x 大核C2-Pro 4.35GHz、3 x 大核C2-Pro 3.1GHz；GPU方面相比天玑9500同功耗下性能提升18%，峰值性能下功耗下降24%，光追性能提升18%。按照以往惯例，OPPO超大杯机型通常搭载高通骁龙最新旗舰芯片，此次测试天玑旗舰芯片是否带来变数尚不得而知。
据快科技10月16日报道，江苏海思半导体科技有限公司近日接连完成两台光刻机的出厂验收与发运，其中一台即将出口欧洲，这是该公司自2024年以来向境外市场交付的第17台光刻设备。10月12日，境外客户验收代表团到访HISIGK洁净车间，对一台全自动光刻机进行出厂前最终检验，按双方约定验收通过后设备立即启程发运，跨越八千公里抵达欧洲客户。10月13日，另一台面向8英寸晶圆的全自动掩模对准光刻机完成调试并装车发运，该设备采用SMIF天车上料系统，主要用于硅基Micro LED晶圆的图形化制程，正面对准精度优于正负0.5微米，可选配背面对准模块，对准精度优于正负2微米。该公司产品谱系覆盖1微米级接触式光刻机到350纳米及500纳米分辨率步进式投影光刻机，已在苏州相城与成都天府新区建立双生产基地，产品覆盖2至12英寸晶圆。原文未说明原因。
根据研究机构SemiAnalysis对专利申请文件的分析，ASML似乎正在开发一种晶圆对芯片(D2W)混合键合机，这是该公司在先进封装领域的第二个动作。该工具将使ASML与当前该领域的领导者Besi以及一批追逐同一市场的日益增多的前道设备竞争对手形成竞争。背景是随着晶体管缩小变得更困难、成本更高，先进封装已成为芯片设备制造商寻求下一增长点的方向。原文未说明原因以外的时间表或量产计划；以上仅为专利文件分析所得出的迹象，不代表产品已发布或上市。
中国半导体技术初创公司朗道硅芯(Langdao Silex (Shanghai) Technology)公开展出一款极紫外(EUV)光源原型,宣称国产化率达90%,样机输出功率为15W。原文未说明原因。该公司称此举标志着中国在发展国产光刻技术方面的进展,但该系统距离量产仍有三至五年,输出功率和长期稳定性是主要工程挑战。该事件为原型亮相,尚不代表量产或商用。
台积电于10月15日公布第三季度业绩：营收约463.6亿美元（1.49万亿元新台币），同比增长50.9%、环比增长17.6%；净利润约235.9亿美元（7631亿元新台币），同比增长68.7%、环比增长8.0%，连续第六季创盈利纪录，均超市场预期，公司称业绩超预期主要得益于全球对人工智能芯片持续强劲的需求。2纳米制程首次规模量产贡献8%的晶圆销售额，高性能计算平台营收占比升至68%，北美客户贡献79%；毛利率降至66.4%、略低于预期，公司称受2纳米初期量产摊薄影响。前瞻方面（属指引而非已实现结果）：公司预计第四季度销售额523亿至543亿美元，超出市场预估503.5亿美元约6%，毛利率65%至67%；全年营收增速预期由略高于40%上调至约44%，资本支出维持600亿至640亿美元。管理层称需求仍远超供给，AI智能体的CPU需求正在增长，预计第四季度需求持续强劲，并正评估得州扩产。
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| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
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