Microchip发布辐射耐受GaNPOL-05-20S点载转换器最高20A输出
Microchip 正在扩展其空间电源产品线，推出 POL-05-20S，这是一种辐射耐受的 GaN 点负载转换器，可提供高达 20A 的输出电流。POL-05-20S-T 已投入量产供应。
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Microchip 正在扩展其空间电源产品线，推出 POL-05-20S，这是一种辐射耐受的 GaN 点负载转换器，可提供高达 20A 的输出电流。POL-05-20S-T 已投入量产供应。
Microchip Technology推出辐照耐受型氮化镓(GaN)点-of-load(POL)转换器POL-05-20S-T,面向航天处理系统。该器件可提供最高20A连续输出电流，采用紧凑表贴封装，尺寸为1.51 × 1.51 × 0.45英寸，重量25 g,输入电压范围4.75 V至13.2 V,输出可在0.7 V至5 V之间调节，工作温度范围为满载时−55°C至+100°C。辐照耐受规格方面，Microchip规定了总电离剂量(TID)高达50 krad暴露前后的电气参数，并在线性能量转移(LET)高达43 MeV·cm²/mg水平下对单粒子效应(SEE)进行了表征。该产品面向FPGA、微控制器、ASIC等处理密集型器件的核芯电压轨等大电流、快速瞬变负载，现已有量产数量的供货。
Renesas Electronics推出其首个100-V增强型(E-mode)分立GaN功率晶体管家族，型号包括RTP100E005G1FL、RTP100E2P6G1FL、RTP100E1P8G1FL-DSC和RTP100E1P2G1FL-DSC。公司称这些低压GaN FET实现业界领先的硬开关和软开关品质因数(FOM)，硬开关FOM较同类GaN器件最多低35%，软开关FOM最多低63%。器件采用FCLGA封装，保持与硅器件兼容的占位面积，便于从硅MOSFET布局迁移而无需大幅改动PCB。RTP100E005G1FL和RTP100E2P6G1FL典型导通电阻分别为5 mΩ和2.6 mΩ；双面冷却的RTP100E1P8G1FL-DSC和RTP100E1P2G1FL-DSC导通电阻分别为1.8 mΩ和1.2 mΩ。根据应用需求和功率转换架构，这些晶体管可实现最多40–70%更低的开关损耗和系统级最多两倍的功率密度。该100-V家族面向AI数据中心、人形机器人和工厂自动化等高功率密度应用，可用于同步整流、多相降压转换和工业电机驱动等场景。新型低压GaN功率晶体管现已供货，并提供相应的评估板。
TDK 推出 Micronas HAR 3025 双芯片抗 stray-field 稳健电机位置传感器，具备冗余设计、ASIL D 就绪（SEooC），符合 ISO 26262:2018 和 ISO 11452-8:2015 标准，样品已可获取，量产计划于 2027 年上半年开始。原文未说明原因。
ClockEdge CTO Zakir Syed介绍其专用于半导体时钟网络的仿真技术，旨在解决复杂设计中保持晶体管级精度的难题。时钟分布网络通常占芯片总功耗的约30%，且电源噪声和波形失真会严重影响时序裕度。
该技术有助于工程师区分真实电气风险与保守假设，从而优化PPA（性能、功耗、面积）目标。
Monolithic Power Systems (MPS) 应用工程师 Joan Mampel 撰写的技术文章，介绍了一种结合堆叠输出拓扑与加权反馈网络来改善多输出反激变换器交叉调整率的实用设计。该设计基于 MPX2002（集成650 V原边控制电路和150 V副边同步整流驱动，采用容性隔离替代光耦并支持准谐振工作），从85 V AC至265 V AC输入生成四路输出：主调整+5 V输出、堆叠+12 V输出、后调整+3.3 V输出（由MP2332H同步降压变换器从+12 V轨降压获得，开关频率约1.2 MHz，选用MPL-AL4020-2R2电感）以及低电流-12 V辅助输出（由变压器独立绕组经MP2015A LDO产生，LDO输入范围2.5 V至24 V）。文章给出的关键设计参数包括：选用62 µF/450 V输入母线电容（最小直流母线电压限定为85 V DC，最高环境温度90°C，最大输出功率25 W），+5 V输出原副边匝比N_PS1=12（最大占空比限制45%，实际最低输入电压下原边占空比41.62%），+12 V输出匝比N_PS2=8，-12 V输出匝比N_PS4=4，开关频率70 kHz，磁化电感479 µH，最大额定峰值电流1.32 A，最低线输入平均电流0.33 A，输入峰值电流1.99 A，加权反馈实现+5 V输出70%调整率和+12 V输出30%调整率。文章称实验结果评估了所实现的交叉调整率、输出电压精度和整体变换器性能，并验证该架构是多输出辅助电源的实用方案。此为设计技术背景内容，不涉及价格、产能、库存或政策事件，原文未说明原因一项不适用（无事件原因需说明）。
FSP发布Mega GM 1200W电源，定价229美元，美国缺货。该产品采用自研平台与日系电容，性能超越Gold认证。
日系电容需求增加；关注：美国市场供应紧张。
EPC宣布EPC2370 GaN FET量产，单价2.52美元。该器件专为AI服务器800V/6V架构设计，替代25V MOSFET。
满足AI算力高密度电源需求，现货供应增加。
神经形态芯片因融合存储与计算架构而面临侧信道攻击等安全挑战。与传统处理器不同，这种脑机架构使硅片和时序电路暴露于新型网络威胁之下。对当前交易决策无直接影响。
博世推出第三代SiC芯片并向车企提供样品，旨在提升电动汽车续航与效率。此举顺应了数据中心与电动汽车对高效率功率半导体的迫切需求。
车规级SiC市场长期发展。
Nazzareno Rossetti探讨从单向电压调节器向双向转换器（如DAB）的设计转变，以支持现代能源管理系统（EMS）。文章指出同步整流天然支持反向电流，并提出两阶段拓扑结构实现软开关。
该技术趋势反映EMS设计升级，但缺乏具体供需数据，对现货价格影响有限。
三家固态变压器初创公司融资2.8亿美元，多家巨头加码该技术。该技术利用SiC/GaN等宽禁带半导体，旨在替代传统变压器以实现800V DC数据中心配电。
长期功率半导体需求增长，但当前现货价格无直接影响。
Renesas推出首款双向650V d-mode氮化镓开关TP65B110HRU，用于光伏逆变器及AI数据中心。该器件通过集成直流阻断功能，可替代传统背对背FET，将单级拓扑效率提升至97.5%以上。
新器件有望改变电源架构，但短期供应与价格影响尚不明朗。
意法半导体推出STSPIN9P系列75V电机驱动IC，含12款型号，最高输出10A，千片单价2.1美元起。新品针对工业自动化与机器人领域向48V架构转型的趋势，旨在提升能效。
此为常规新品发布，对现有元件供需及价格无直接、可量化的即时影响。
瑞萨电子发布首款双向650V d-mode GaN开关TP65B110HRU，旨在替代传统背对背FET。该器件通过集成DC阻断功能，简化了太阳能微逆变器及AI数据中心的设计，效率超97.5%。
瑞萨GaN产品线，短期对现货市场供需影响中性。
ST推出DCP3603，一款3A输出电流的紧凑型SOT23-6封装降压转换器。该器件支持3.3V至36V宽输入电压，效率高达93%，主要面向智能电表、家电及工业24V系统。
目前处于量产阶段，为嵌入式及工业系统提供高效电源转换方案。
意法半导体推出DCP3603单片降压转换器，输出电流3A，封装尺寸3mm x 1.6mm，千片单价0.44美元起。该产品针对智能电表、家电及24V工业负载设计，具备高效率和低静态电流特性。
/利空/关注: 此为常规新品发布，对现有元器件的供应、需求及价格无直接影响。
iDEAL半导体推出新款200V SuperQ MOSFET，宣称在TOLL和TO-220封装中分别实现5.5mΩ和6.3mΩ的业界最低导通电阻。该产品针对电机驱动、开关电源等应用，两款型号已量产，另两款计划于2026年推出。
此为常规新品发布，对现有功率MOSFET的供应、需求及价格无直接影响。
Navitas与EPFL在APEC展示250kW固态变压器平台，采用单级桥式整流拓扑。该系统旨在支持AI数据中心800V直流架构，使用3.3kV和1.2kV GeneSiC器件。
该技术验证了高功率SiC器件在AI数据中心的应用潜力，但属于研发展示，短期供需无实质影响。
Navitas与EPFL在APEC 2026展示250kW固态变压器方案。该方案采用3300V与1200V GeneSiC SiC MOSFETs，旨在提升AI数据中心能效。
SiC功率器件在AI数据中心的应用前景，但短期供需无实质影响。
Whose chips are really inside the hottest new products? We open them up and show you, one part at a time.
All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |