瑞萨推出650V双向GaN开关TP65B110HRU

瑞萨电子发布首款双向650V d-mode GaN开关TP65B110HRU，旨在替代传统背对背FET。该器件通过集成DC阻断功能，简化了太阳能微逆变器及AI数据中心的设计，效率超97.5%。利多瑞萨GaN产品线，短期对现货市场供需影响中性。

来源：EE Journal · 2026/3/23 · 查看原始来源