三星Exynos 2700内部测试得分超过高通
据报道，三星电子正在研发的移动应用处理器（AP）Exynos 2700在内部性能评估中的得分超过了高通最新的旗舰产品。该芯片拟搭载于计划明年初发布的Galaxy S27系列，属计划事项，尚未发布。
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据报道，三星电子正在研发的移动应用处理器（AP）Exynos 2700在内部性能评估中的得分超过了高通最新的旗舰产品。该芯片拟搭载于计划明年初发布的Galaxy S27系列，属计划事项，尚未发布。
施耐德电气于10月23日宣布推出新一代预制电力模块和电力滑轨，其中2.5MW型号是该公司迄今单集装箱容量最高的预制电力解决方案。新产品基于为英伟达GB300 NVL72 AI服务器系统联合开发的参考设计，支持每机架高达142千瓦的功率密度，并集成电力管理与液冷控制。模块采用施耐德电气Galaxy VXL不间断电源（UPS）技术，提供2MW、2.25MW和2.5MW三种容量。产品将在施耐德电气位于西班牙巴塞罗那附近的生产工厂制造；公司计划首先在欧洲推出，2026年晚些时候在北美推出，之后再扩展至亚太地区销售。
Nvidia在SEMICON West 2026上展示了其下一代共封装光学(CPO)技术Optics-on-Interposer (OOI)的原型。该设计将光引擎从传统有机封装基板转移到承载计算芯片的硅中介层上,以提高带宽密度并降低未来AI系统互连的功耗。原文未给出量产或商用时间表,仅面向2028年之后AI需求的原型展示。
台湾媒体报道称，随着AI数据中心需求扩大，新一代AI服务器提高了对电源供应、散热效率与部署速度的要求。台湾的电机与机械设备供应商因此正超越单纯的独立设备供应，转向系统集成、设计采购施工（EPC）以及模块化数据中心解决方案。原文未说明原因以外的具体动因，未提供具体公司、金额或时间表，该内容为行业趋势背景信息，不涉及具体价格变动、产能调整或已确认事件。
快科技10月25日消息，IDC、Counterpoint和Omdia近日相继发布第三季度全球智能手机市场报告，三家机构数据显示第三季度全球智能手机总出货量同比出现两位数下滑，降幅分别为22%、20%和20%；其中IDC数据显示降至2.553亿台，较去年同期减少近7000万台，创下有公开统计数据以来最大的单季度同比跌幅，实际降幅超出此前机构预测。价格方面，供应链人士称存储芯片价格持续上涨正在推高手机整机生产成本：受全球AI数据中心建设提速影响，高带宽内存HBM和服务器端DRAM需求快速增长，头部存储芯片厂商相应调整产能分配，更多资源向AI服务器相关产品倾斜，消费级手机内存和闪存供应因此收紧；接近头部手机厂商的供应链人士称，手机运行内存和内置闪存芯片近两年的累计涨幅均至少达到3倍。部分机型即使上调1000元售价，整机毛利仍可能无法覆盖存储成本增加部分。电子行业分析师预计，存储芯片产能向AI服务器倾斜的趋势至少还将持续两到三年，消费者换机周期可能进一步延长。
美国奥本大学物理学家（温灿·金领导，研究生穆罕默德·坎迪尔参与核心实验，日本产业技术综合研究所负责生长晶体样品）发现，短暂激光脉冲能在经改性处理的钛酸锶单晶内部诱导出有序的电极化状态，即使材料处于较高温度、内部极性纳米区域通常杂乱无章的情况下也能实现。这一关键突破出现在2025年，光诱导的有序状态仅持续约1皮秒（一万亿分之一秒）后迅速消失，但可通过光学测量检测到。测量还显示，随晶体降温，极化区域逐渐呈现更明显的优选取向，支持极化区域在排列有序之前就已存在的解释。研究人员指出，目前的实验并不意味着已制造出实际可用的超高速存储器或处理器，如何延长持续时间、实现稳定可重复控制并集成到实际器件仍是待解决的问题。该成果于2026年10月14日发表在《Physical Review Letters》，论文题为《量子铁电金属跨越有序—无序相变的光学极化控制》。此为实验室基础研究，未报告任何产能、供应或价格影响。
AMD Zen 6 的早期每时钟性能对比数据首次出现：爆料人 HXL 在 Geekbench 7.1.0 数据库中发现 256 核 EPYC 9996（AMD 于7月发布的旗舰'Venice'芯片）的跑分，在戴尔 PowerEdge R9815 服务器（运行 Linux）上单核得分 2,847 分。用户 three twenty six 在 X 上将 Ryzen 7 9700X 锁定在 4.1 GHz（与 EPYC 9996 最大加速频率相同），在同一 Geekbench 版本上得到 2,444 分，折算为同频率下 Zen 6 单核性能高约 16.5%。Zen 6 在全部 15 项单核子测试中领先，提升幅度从 File Compression 的 8.2% 到 HTML5 Browser 的 25.7%。文中提示限制条件：EPYC 9996 使用的是密集型 Zen 6c 核心，而非桌面 Ryzen 预期使用的完整 Zen 6 核心；两套系统差异巨大（服务器平台对比运行 DDR5-6000 CL34、CachyOS Linux 的 9700X）；且该 EPYC 跑分记录此后已从 Geekbench 数据库撤下。另据确认，'Olympic Ridge' 桌面 CPU 将留在 AM5 平台，但据报道要到 2027 年才会到来。原文未说明原因。
据首尔一家报纸报道（TrendForce于2026年10月24日转发），三星将采用台积电（TSMC）技术为英伟达生产下一代存储芯片。该消息仅为媒体报道，原文未说明原因，亦未提供合作的具体条款、时间安排或任何已确认的执行状态；未说明该报道是否已获三星、台积电或英伟达任何一方证实。
快科技10月24日报道，一周前ASML在最新发布的第三季度财报中披露，客户针对2027年、2028年的设备预订单需求已超过公司当下现有扩产计划，部分提前锁定产能的核心客户已开始咨询2029年、2030年的远期供货配额。ASML计划明年将低数值孔径EUV和浸没式DUV两类核心光刻机产能各提高30%，后续还将探索让2027年的产能增幅进一步超过30%；同时ASML已与所有主要客户完成新一轮定价谈判，部分市场供应紧俏的关键光刻设备产品将正式提价。ASML官宣扩产后，佳能公布增产规划，明年旗下半导体光刻设备整体产量最高将接近今年的两倍；尼康宣布启动更高精度数字光刻设备专项研发，业务方向对准先进封装芯片市场。文章称AI算力基础设施建设提速带动AI芯片及配套芯片需求爆发式增长，订单向上游传导带动光刻机订单量大幅走高；并提及余承东此前透露国内团队正全力攻坚EUV光刻机，现阶段国内量产先进芯片的主流工艺路径依托已完全国产化的深紫外光刻设备。行业观察人士认为这一轮扩产周期将推动全球半导体制造产能在未来三年内集中释放。
IT之家10月24日消息，博主 @数码闲聊站 当日曝光 iQOO Neo12 新机配置，该机计划于本月发布并上市。配置方面，该机搭载 6.83 英寸 2K+185Hz LTPS 直屏，采用维信诺 pTSF 发光材料，搭载骁龙 8E5 处理器（第五代骁龙 8 至尊版），配备 Q3 电竞芯片与主动散热风扇；此外还搭载 9000mAh 电池，支持 100W 有线充电，提供双 1511 对称双扬与 50Mp IMX921 大底影像。iQOO 官方已公开 Neo12 三色官图（争锋、疾影黑、霜刃蓝），新机采用国潮未来科技主义设计理念，与中国美术学院联合设计。此为新机配置曝光信息，非已确认的正式发布。
苹果首款折叠屏手机iPhone Duo今日正式发售，财联社记者实探上海、广州两地苹果直营店了解到，两地二手回收行情相近，当日溢价呈现高开回落、版本分化特征。预售方面，10月16日20时预售开启后该机型迅速告罄，苹果官网一度无法访问；中国区四个容量版本定价分别为256GB 15999元、512GB 17999元、1TB 21499元、2TB 26499元。为遏制囤货炒作，苹果在发售前于全球开启限购，发售前两日苹果中国官网设置每位顾客仅可购买2部iPhone Duo新机。二手回收方面，上海有黄牛表示1TB版本早间溢价达2200元，至上午10点半左右回落至1600—1800元区间；512GB版本溢价从1100元到1400元不等；256GB版本普遍加价800—900元左右、有黄牛称'撑死卖1000'，部分黄牛直接拒收；2TB版本有黄牛称暂无报价，亦有加价几百元回收。广州天环广场店无现货，官方预定等待时长排至2027年1月下旬；上海静安店店员表示当天新下单预计要到明年1月23日左右才能拿货。Counterpoint Research副总监Liz Lee表示，早期较高溢价主要源于上市初期供应紧张和黄牛炒作，近期溢价回落则是由于市场对供应情况的预期有所改善；若用户体验良好有望保持强劲销售势头，并预测2026年全球折叠屏手机出货量增长24%、2027年增长37%，苹果份额在这两年分别达到约25%和40%。摩根大通最新研报显示，受铰链、超薄玻璃等零部件产能瓶颈制约，预计苹果今年iPhone Duo出货量约800万至900万部，低于此前1000万部的预期目标；此前报道亦提到苹果为该机型制定1000万台备货目标，受产线协同爬坡节奏影响。另据苹果10月20日宣布，公司与多家美国企业建立或扩大合作伙伴关系，其中钛金属生产商Perryman Company将为包括iPhone Duo在内的苹果产品供应钛金属，苹果将在三年内为其提供至多1亿美元资金支持。
据报道，亚马逊云计算部门AWS正以空前速度采购英伟达最新AI服务器系统：根据内部规划，AWS一度预计接收价值约50亿美元的英伟达GB300服务器机架，未来还计划以每月约30亿美元的规模持续采购相关设备。然而部分设备在交付后并未立即投入使用，而是被暂时存放在仓库或中转设施中，业内称之为'暗GPU（Dark GPU）'。原文明确说明原因并非需求不足，而是部分数据中心虽已具备安装空间，却缺乏足够的供电能力来驱动这些高功耗AI系统。为提前锁定稀缺硬件，亚马逊采用'提前接收机架'机制，在设备安装到最终运行地点前就完成接收和付款。亚马逊今年计划投入约2200亿美元资本支出用于AI和云计算基础设施建设，同时其自由现金流已承受明显压力并出现近年来首次转负。文中分析人士指出，行业稀缺资源正从芯片转向能源和电力网络，此为行业背景观察，未构成价格或需求变动的结论。
据快科技10月24日报道，行业分析师Ed Zitron近日提出观点称，当前GeForce游戏显卡的短缺并非源于自然的半导体产能不足，而是英伟达主动将产能大规模转向AI芯片所致，属于其指出的‘渠道压货’策略。原文称GeForce RTX GPU与H100、B200、GB300等AI加速器共用台积电同一批先进制程产能，英伟达将大部分硅晶圆从消费级产品线抽走，导致RTX 5090等旗舰型号断货与价格失控，游戏显卡价格持续飙升。同时，被优先生产的AI芯片大量堆积在仓库中等待数据中心完工：仅今年8月，亚马逊AWS就收到英伟达价值50亿美元的加速器，后续每月还有约30亿美元的采购义务，但电力网络升级与数据中心建设进度远落后于英伟达的交付节奏。分析师称英伟达正利用企业客户害怕错失AI机遇的心理，推动其提前为尚无法使用的设备付款，这些订单立即被计为数据中心收入，而设备仓储、供电与折旧的负担压在亚马逊、谷歌、微软和Meta肩上。上述产能转向与积压结论为分析师观点，原文未附英伟达或台积电的官方证实。
但斌旗下东方港湾海外基金2026年三季度末共持有13只美股，市值合计约14.69亿美元（约合人民币98亿元）。与二季度在AI硬件供应链上广撒网不同，三季度Q2新进的英特尔、超微半导体、博通、Lumentum全部被减持，ARM和迈威尔科技被清仓；同时继续加仓存储巨头美光、闪迪以及晶圆制造龙头台积电。腾出的资金投向两个方向：一是大手笔加仓谷歌C和英伟达，两者权重从35.63%升至46.09%；二是新进SpaceX、重新买回二季度刚清仓的苹果，并加仓亚马逊和Meta。关于重新买回苹果，但斌在10月14日的微博中表示其判断AI行情进入第二阶段：从算力基建走向端侧AI、AI应用落地。关于SpaceX，其8月18日发文称买入SpaceX是战略布局的开始，并说明在上市后等待两个月、待估值情绪降温后才买入，同时配套Decu衍生品压低持仓成本，目标执行价142.38美元（SpaceX于6月12日上市）。此外，其持有的韩股海力士仓位面临浮亏，其10月23日透露2倍海力士只买了1%，这1%从大赚转为浮亏不少。
据快科技10月24日报道，英伟达创始人兼CEO黄仁勋于10月23日首次访问哈萨克斯坦首都阿斯塔纳，与总统托卡耶夫及人工智能部长马季耶夫会面，并提出将哈萨克斯坦打造为全球物理AI枢纽的构想。该构想依托埃基巴斯图兹的数据中心谷项目，由英伟达与美国AI基础设施开发商Firebird合作推进：初始投资100亿美元，计划部署约10万块英伟达GPU，首期50兆瓦设施预计2027年6月投入运营；黄仁勋称每1吉瓦算力基础设施对应约500亿美元投资，若扩展至5吉瓦总投资将达2500亿美元，综合经济效应可高达1万亿美元。背景方面，哈萨克斯坦煤炭储量估计达256亿吨，为AI工厂提供廉价电力；卡内基国际和平基金会此前警告中亚数字雄心可能受限于不稳定的电网、有限的国际连通性及监管壁垒。该项目处于计划状态，首期投运时间为预计，尚未实现。
据IT之家10月24日报道，根据Counterpoint Research初步数据，2026年第三季度全球PC出货量同比下降21%至5700万台，环比下降13.8%。原文指出主要原因是存储及其他零部件成本持续高企，推动PC价格上涨并对市场需求形成压力；同时本季度同比降幅亦源于去年同期基数较高——2025年第三季度Windows 10支持终止期限前的集中采购及关税相关库存调整曾推动出货量增长。厂商表现分化：联想出货1500万台（市场份额26.3%，同比下降23%）、惠普1030万台（份额18.1%，同比下降31%，为前六厂商中降幅最大）、戴尔760万台（份额13.3%，同比下降25%）、苹果560万台（同比下降11%，份额由8.7%升至9.8%，MacBook Neo在一定程度上缓冲了下滑）、华硕520万台（同比下降7%，环比增长19.4%，份额由7.8%升至9.2%）；五家合计占76.7%，其他厂商合计1330万台，同比下降16%。报告还参考指出，第四季度降幅预计扩大至27%（属预测）。
据快科技10月24日消息，来自台积电的芯片大V@aogT确认，没有手机厂商想要采用3D堆叠技术，谷歌、苹果方面已明确这一点，高通的情况不确定，其朋友称没听说任何友商会采用逻辑3D堆叠技术。服务器芯片上也没有采用细间距混合键合技术，而是采用芯片到晶圆键合（D2W）技术；唯一对该技术有需求的是存储芯片上的逻辑电路，但其使用的是晶圆到晶圆（W2W）键合技术。原文给出的原因是：3D堆叠虽可提高密度，但对散热要求很高，同时提高芯片制造成本，良率更难控制，因此在EUV技术还没到头的情况下，手机芯片继续打磨EUV工艺是划算的。文章并提及背景：手机厂商对未来背面供电技术也保守，台积电明年量产的A16工艺首次使用SRP超级电源轨技术（即台积电BSDN背部供电方案，与Intel 18A工艺的PowerVIA属同一技术方向的不同实现），A16工艺首发产品是NVIDIA下一代GPU架构Feymman，这是NVIDIA 20年来再次首发台积电新工艺（上次追溯到55nm时代）；因A16的SRP偏向HPC、不太适合移动芯片且苹果不打算使用该代工艺，高通、苹果、联发科等公司应该会直接进入A14工艺节点。
快科技10月24日消息，博主数码闲聊站表示，接下来会有几个大家熟悉的手机产品线和平板线迎来停更，原因很直接，成本兜不住了，越发新机越亏。据称2026年内存价格持续大涨，直接推高了整机物料成本，厂商利润空间被严重压缩。今年上半年魅族暂停手机新硬件研发，随后真我告别国内市场。此外，消息称小米18 Ultra暂时缺席，高端旗舰堆料密集、成本高，再叠加内存涨价，成本压力尤为突出。文中还提到，存储成本在整机物料中的占比从一成多升至三成以上。以上停更为博主及消息称，尚未获厂商确认。
快科技10月24日报道，美光在近期技术研讨会上公布了下一代AI内存路线图，核心是名为vHBM的垂直高带宽内存架构。与传统HBM通过中介层将内存与处理器并排摆放不同，vHBM直接将DRAM堆叠在运算芯片上方，用无凸块混合铜键合技术取代中介层。美光总裁兼CTO Scott DeBoer表示，AI工作负载对每token带宽和功耗的要求急剧攀升，vHBM的目标是消除互连瓶颈。首代vHBM设计目标为2TB/s带宽、每比特能耗低于1皮焦耳，计划2028年启动量产，2030年前推出三代产品，其中vHBM3锁定2030年。散热被视为物理层面的硬伤：法国分析师Karl Ackerman指出内存堆叠在处理器上方会挡住处理器散热路径，判断vHBM未来将与标准HBM并行使用而非全面取代现有架构；美光为此准备了集成式烟囱散热器，但散热工程难度依然极高。同步推进的还有vEIM垂直边缘推理内存，将低功耗LPDDR堆叠在边缘设备逻辑芯片之上，同样瞄准2TB/s带宽和低于1皮焦耳每比特能效，计划2028年量产。美光短期增长引擎仍是HBM、服务器DRAM和企业级SSD，供应链紧张预计至少持续两年。vHBM目前仍处于技术蓝图/计划阶段，能否大规模商用取决于散热和制造成本。
据快科技10月24日消息，在EUV光刻机受限的背景下，中国芯片制造商正将DUV多重曝光技术的潜力压榨到极限，最新拆解数据显示中国厂商在不使用EUV的情况下已实现5nm级工艺量产。某厂商第三代7nm级N+3工艺的最小金属间距仅为32.5nm，比英特尔18A工艺在Panther Lake上使用的36nm间距紧凑约10%；晶体管密度约113.4 Mtr/mm²，高于台积电N6工艺的107.7 Mtr/mm²。实现该密度的关键是最精细金属层上以四次图案化（自对准四重曝光SAQP）替代EUV一次曝光，并结合设计工艺协同优化（DTCO）、减少鳍数量、收紧单元间距等手段。成本方面，Fractilia联合创始人Chris Mack指出，业内普遍认为193nm浸没式DUV三次曝光的成本大约与EUV一次曝光持平。另据The Information报道，国产浸润式DUV曝光机已进入量产阶段，首批设备已交付，2026年预计生产约5台，2027年扩至约20台。