拆解显示中国厂商不用EUV实现5nm级工艺量产，N+3金属间距32.5nm、密度113.4 Mtr/mm²；业内认为DUV三次曝光成本约与EUV一次持平

据快科技10月24日消息，在EUV光刻机受限的背景下，中国芯片制造商正将DUV多重曝光技术的潜力压榨到极限，最新拆解数据显示中国厂商在不使用EUV的情况下已实现5nm级工艺量产。某厂商第三代7nm级N+3工艺的最小金属间距仅为32.5nm，比英特尔18A工艺在Panther Lake上使用的36nm间距紧凑约10%；晶体管密度约113.4 Mtr/mm²，高于台积电N6工艺的107.7 Mtr/mm²。实现该密度的关键是最精细金属层上以四次图案化（自对准四重曝光SAQP）替代EUV一次曝光，并结合设计工艺协同优化（DTCO）、减少鳍数量、收紧单元间距等手段。成本方面，Fractilia联合创始人Chris Mack指出，业内普遍认为193nm浸没式DUV三次曝光的成本大约与EUV一次曝光持平。另据The Information报道，国产浸润式DUV曝光机已进入量产阶段，首批设备已交付，2026年预计生产约5台，2027年扩至约20台。

来源：快科技 · 2026/10/24 · 查看原始来源