ASML坚持LPP路线，EUV光源功率目标1000W
ASML坚持使用激光产生等离子体(LPP)技术，计划将EUV光源功率提升至1000W。尽管马斯克支持的FEL技术被看好，但ASML认为现有激光技术已足够。
利多
EUV光刻机长期产能规划，短期现货价格影响中性。
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ASML坚持使用激光产生等离子体(LPP)技术，计划将EUV光源功率提升至1000W。尽管马斯克支持的FEL技术被看好，但ASML认为现有激光技术已足够。
EUV光刻机长期产能规划，短期现货价格影响中性。
NYCU与台积电合作发表论文，提出基于钼的准相位掩模技术。该技术旨在通过高反射率和最小化吸收来实现高对比度EUV成像，被视为EUV PSM技术的范式转变。目前属于技术趋势与研发里程碑，对现货价格及供需无直接冲击。
三星2024年量产钼字线，美光2025年跟进，SK海力士2026年底推出375层产品，预计2027年钼沉积设备市场超10亿美元。因钨在300层以上堆叠中触及物理极限，钼成为3D NAND制造必选项。
前道设备商，如Lam Research和TEL。
台积电与阳明交大团队开发出0.42纳米氧化铝界面，用于单层二硫化钼晶体管。该技术解决了二维半导体栅极介电层成核难题，实现了强电场控制与低漏电。
该技术属于基础研发突破，目前对现货价格及供需无直接影响。
imec、ASML与TSMC在300mm晶圆上成功集成互补2D晶体管，实现50nm节距。该成果利用EUV光刻技术打印28nm栅极，94%器件正常工作，是2D材料集成的重要里程碑。
该技术突破属于长期研发进展，对当前现货市场供需及价格无直接影响。
东京大学团队在《Science》发表论文，利用BN纳米管作为模板合成了1纳米MoS₂纳米管。该成果验证了理论预测并展示了结构控制潜力，但距离实际应用还很远。
关注：技术突破为未来超小型半导体通道提供新路径，但距离量产应用尚远。
伯明翰大学研究人员开发出室温振动法，将2D材料生产速率提升10倍。该方法利用水与单宁酸替代有毒溶剂，旨在解决石墨烯等材料制造瓶颈。
目前为实验室阶段，长期有望改善供应链可持续性，但短期对现货价格无直接影响。
三星电子首次在10a（亚10纳米）DRAM工艺上制造出功能正常的芯片，应用了4F²单元和垂直沟道晶体管（VCT）结构。该技术旨在突破DRAM微缩极限，计划于2028年量产。
此为远期研发里程碑，对当前DRAM供应、价格及交易决策无直接影响。
英特尔18A工艺代号为Panther Lake的芯片采用全HP单元，逻辑最小间距76nm。文章详细分析了GAA间距、Power Via技术限制以及MEOL/BEOL金属层使用钨而非钼的情况。
目前良率仍在爬坡，全HP单元设计对制造工艺提出挑战，短期内对现货价格无直接影响。
德国亚琛工业大学与于利希研究中心成功将低压纳米二硫化钼忆阻器集成至CMOS芯片。该研究旨在利用二维材料的优异电性能推动神经形态计算等先进电子应用发展。
此为远期研发里程碑，对当前半导体供应链、现货价格及交易决策无直接影响。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
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| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |