三星电子10a DRAM工艺首获功能芯片

三星电子首次在10a（亚10纳米）DRAM工艺上制造出功能正常的芯片，应用了4F²单元和垂直沟道晶体管（VCT）结构。该技术旨在突破DRAM微缩极限，计划于2028年量产。中性：此为远期研发里程碑，对当前DRAM供应、价格及交易决策无直接影响。

来源：The Elec · 2026/4/24 · 查看原始来源