Navitas与EPFL在APEC 2026展示250kW固态变压器方案。该方案采用3300V与1200V GeneSiC SiC MOSFETs，旨在提升AI数据中心能效。
SiC功率器件在AI数据中心的应用前景，但短期供需无实质影响。
弗劳恩霍夫IAF在PCIM 2025展会上展示了集成续流二极管的1200V双向GaN功率开关。该成果源于德国联邦经济部资助的'GaN4EmoBiL'项目，旨在推动电动汽车和双向充电应用。
此为研发进展，对当前商用GaN元件供应、价格及交易决策无直接影响。
弗劳恩霍夫IAF在PCIM Europe 2024展示了其阻断电压超过1200V的横向与纵向GaN晶体管技术。该研发旨在推动GaN功率器件在电动汽车等高压应用中的发展。
此为技术研发里程碑，未涉及量产计划或供应链变动，对当前交易无直接影响。
英飞凌与Schweizer Electronic合作开发将1200V CoolSiC芯片直接嵌入PCB的解决方案，旨在提升电动汽车续航并降低系统总成本。此举是双方在芯片嵌入技术领域长期合作的延续，专注于下一代SiC功率模块的封装创新。
此为远期研发里程碑，对当前SiC芯片或PCB的供应、价格及库存无直接影响。
Clas-SiC验证了牛津仪器无接触SiC等离子体抛光方案，并已用于1200V MOSFET器件生产。该技术旨在取代传统CMP工艺，以提升良率并降低成本。
此为长期工艺改进，对当前SiC组件供应、价格及交易库存无直接影响。
Odyssey半导体公司演示了700V垂直结构GaN功率FET，并计划开发1200V器件。该公司专注于高压功率开关元件，其专有GaN工艺技术处于研发阶段。
此为早期研发里程碑，对当前商用功率半导体元件的供应、库存及现货价格无直接影响。
Transphorm在ISPSD 2022上展示了其1200V GaN功率晶体管实现99%效率的研发成果。该演示旨在展现高压GaN技术在功率转换领域的性能潜力。
此为实验室阶段研发进展，对当前商用元件的供应、需求及价格无直接影响。
II-VI公司将其1200V SiC MOSFET平台认证至汽车标准，并与GE研究院签署三年技术准入协议。此举旨在加速客户对其SiC功率器件的设计导入。
此为长期研发与认证里程碑，对电子元件的现货市场供应、需求及价格无直接即时影响。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |