NuAxi半导体贸易情报
低影响影响力评分：10/100
Odyssey演示700V垂直GaN FET，瞄准1200V
Odyssey半导体公司演示了700V垂直结构GaN功率FET，并计划开发1200V器件。该公司专注于高压功率开关元件，其专有GaN工艺技术处于研发阶段。中性：此为早期研发里程碑，对当前商用功率半导体元件的供应、库存及现货价格无直接影响。
GaN Power FETs
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来源：Semiconductor Today · 2022/3/31 · 查看原始来源
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