NuAxi半导体贸易情报
低影响影响力评分：8/100
弗劳恩霍夫IAF展示1200V以上GaN晶体管技术
弗劳恩霍夫IAF在PCIM Europe 2024展示了其阻断电压超过1200V的横向与纵向GaN晶体管技术。该研发旨在推动GaN功率器件在电动汽车等高压应用中的发展。中性：此为技术研发里程碑，未涉及量产计划或供应链变动，对当前交易无直接影响。
GaN HEMTGaN Power Transistors
R&Dtechnology-milestonePCIM
来源：Semiconductor Today · 2024/6/17 · 查看原始来源
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