NuAxi半导体贸易情报
低影响影响力评分：15/100
II-VI汽车级1200V SiC MOSFET平台获认证
II-VI公司将其1200V SiC MOSFET平台认证至汽车标准，并与GE研究院签署三年技术准入协议。此举旨在加速客户对其SiC功率器件的设计导入。中性：此为长期研发与认证里程碑，对电子元件的现货市场供应、需求及价格无直接即时影响。
SiC MOSFETSiC Substrates
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来源：Semiconductor Today · 2022/2/2 · 查看原始来源
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