东芝推出3300V/800A SiC模块
东芝推出IX800FXF2YMS4 3300V/800A SiC MOSFET模块,采用第三代技术及银烧结工艺。该产品主要面向轨道交通、UPS等高功率应用场景。
新产品发布,暂无供需或价格变动信号。
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- IX800FXF2YMS4
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东芝推出IX800FXF2YMS4 3300V/800A SiC MOSFET模块,采用第三代技术及银烧结工艺。该产品主要面向轨道交通、UPS等高功率应用场景。
新产品发布,暂无供需或价格变动信号。
Renesas推出首款100V增强模式GaN FET,涵盖RTP100E005G1FL等型号。该产品专为AI数据中心、工业自动化等高功率密度场景设计,具备超快开关速度。
新产品线拓展有望提升公司在高功率半导体领域的市场份额。
TDK推出B3272*A/G/T系列DC-link薄膜电容,最高工作温度达+135°C且无需降额。该产品专为高功率密度、高环境温度的电动汽车牵引逆变器及工业驱动器设计。
新产品发布,短期对现货价格影响中性。
NSING Technologies发布N32系列MCU及TPM 2.0芯片,面向工业自动化与数字能源。该系列MCU集成EtherCAT等接口,TPM芯片提供硬件根信任。
新产品发布,暂无明确的供需或价格变动信号。
Vishay推出XFD11KxxCA系列双向TVS器件,峰值脉冲电流达207.1A。该器件采用DO-218AC封装,具备低箝位电压特性,覆盖33V至85V的汽车电气架构。
目前样品及量产供货,交期12周,将增强汽车及工业领域的过压保护能力。
英飞凌推出OPTIREG TLE9744QK PMIC,集成电源供应、解析器激励及安全监控功能。该器件专为电动汽车高压牵引逆变器系统设计,旨在减少逆变器ECU的外部元件数量。
新产品发布,对当前供需无直接影响。
德州仪器推出TMCS2100-Q1无芯霍尔效应电流传感器。该器件结合双轴磁场测量与专有算法,提升混合动力及电动汽车牵引逆变器测量精度。
新传感器技术有望优化EV逆变器性能,但短期对现货价格无直接影响。
Power Integrations宣布其PowiGaN技术电压等级提升至2200V,预计2028年底量产。该技术打破了此前1700V的电压上限,将应用于数据中心和电动汽车等高功率场景。
高压GaN市场前景明确,将推动相关产品未来价格上涨。
横河电机发布WT1500精密功率分析仪,支持高达2000V DC输入。该设备专为电动汽车和可再生能源设备的开发与性能评估而设计。
有助于提升高压系统测试效率,但属于测试仪器新品,对半导体芯片供需无直接影响。
Humsienk在Intersolar Europe 2026展出7680Wh AC耦合储能系统,专为欧洲阳台光伏市场设计。该产品兼容微逆变器输出,无需MPPT控制器。
新产品发布对储能产业链相关元器件的潜在需求拉动,但缺乏具体采购量数据。
Vishay推出四款高电流IHXL系列电感,价格低于前代产品。新器件采用铁合金核心,降低20%损耗,支持高达209A电流,面向汽车及工业应用。
该价格下调策略对现有IHXL库存构成压力。
东芝开始出货1200V SiC MOSFET TW007D120E样品,RDS(on)较现有产品降低58%。该器件专为AI数据中心和可再生能源设计,采用QDPAK封装以提升散热性能。
预计2026年量产,将提升数据中心电源转换效率。
东芝推出TLX9920光耦,用于SSR中的MOSFET栅极驱动,具备5000Vrms隔离电压。该器件专为汽车BMS、OBC及工业电源控制设计,采用SO6L封装,满足AEC-Q101标准。
新产品发布对隔离器件需求的潜在拉动。
罗姆半导体发布第五代SiC MOSFET,适用于电动汽车电驱及AI服务器电源。此为常规产品迭代与技术路线图更新。
未提及产能、价格或供应变动,对现有市场无直接影响。
东芝推出TLX9920光伏输出光耦,为固态继电器中的功率MOSFET提供隔离栅极驱动电压,最小开路电压13.5V,隔离耐压5000Vrms。该产品面向汽车电池管理和工业电源控制,旨在简化电路设计。
此为新品发布,对现有电子元件的供应、需求及价格无直接影响。
国巨推出针对宽禁带功率系统的Y2/X1系列高电流薄膜电容器。新产品旨在满足电动汽车、太阳能逆变器和工业电源的应用需求。
此为常规新品发布,对现有元件的供应、需求及价格无直接、可量化的即时影响。
EPC推出两款基于EPC2361 eGaN FET的5kW三相BLDC电机驱动评估板。该产品面向机器人及轻型电动车研发,短期对现货市场供需无直接影响。
eGaN功率器件长期需求,但短期价格影响中性。
安森美宣布其混合功率集成模块获盛弘股份新一代430kW储能系统与320kW光伏逆变器采用。此次设计导入基于双方长期合作,瞄准可再生能源与AI基础设施市场。
此为具体产品应用公告,对元件供应、需求及价格无直接、可量化的即时影响。
Renesas推出首款双向650V d-mode氮化镓开关TP65B110HRU,用于光伏逆变器及AI数据中心。该器件通过集成直流阻断功能,可替代传统背对背FET,将单级拓扑效率提升至97.5%以上。
新器件有望改变电源架构,但短期供应与价格影响尚不明朗。
一款600V超结MOSFET新品发布,瞄准电动汽车、开关电源和太阳能逆变器应用,宣称能效与功率密度提升。此为常规产品发布,未提及产能、定价或供应链影响。
/利空/关注: 中性,无直接交易影响,属技术背景信息。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |