Infineon和Wolfspeed签署多年200mm SiC晶圆供应协议
Infineon 和 Wolfspeed 签署了一份多年供应协议，以 200mm SiC 晶圆取代 150mm 晶圆。
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Infineon 和 Wolfspeed 签署了一份多年供应协议，以 200mm SiC 晶圆取代 150mm 晶圆。
Infineon与Wolfspeed签署了一项多年期协议，由Wolfspeed供应200mm碳化硅(SiC)晶圆，该协议将两家公司现有的供应关系从150mm衬底转向200mm衬底。据Infineon新闻稿，该协议支持Infineon从150mm到200mm SiC制造的转换。Infineon为其全球制造网络（包括位于马来西亚居林的200mm SiC晶圆厂）从多家供应商采购SiC衬底，公司表示这一多源战略旨在确保供应的灵活性和质量。Infineon首席运营官Alexander Gorski表示，该协议进一步扩大了公司用于200mm大批量制造的供应基础，并建立在两家公司20年的供应关系之上。转向更大晶圆主要是成本问题：200mm晶圆比150mm晶圆提供更多可用裸片面积，从而降低单位衬底成本并提高整体制造效率。SiC功率半导体的需求主要来自电动汽车驱动系统、太阳能逆变器和工业电机驱动，Infineon还指出AI数据中心是新兴需求驱动力。两家公司均未披露协议金额或涉及的数量。
Stackpole Electronics推出RMAN系列芯片电阻器，将厚膜电阻技术与氮化铝(AlN)基板的散热能力相结合，面向高功率或持续负载下运行的工业与汽车电子。据原文，氮化铝的热导率比传统氧化铝高数倍，同时保持电气绝缘。功率规格方面，1206尺寸功率最高达2.4 W，2512尺寸最高达3.4 W，原文称其在紧凑PCB占位面积下比传统氧化铝基厚膜设计具备显著更高的功率能力。应用包括IGBT、SiC和GaN功率模块的栅极与缓冲电阻器，电机驱动、电源和逆变器中的预充、放电、泄放和电流检测功能，以及汽车电池管理系统、车载充电器、DC-DC转换器和逆变器栅极驱动。价格因尺寸、公差和TCR而异，需联系Stackpole或授权分销伙伴获取具体或批量价格。
Toray Industries成功测试150°C耐高温薄膜电容原型，散热结构尺寸减半。该技术解决了高功率驱动系统中的热稳定性问题，对飞行汽车等新兴领域至关重要。
长期利好耐高温薄膜电容需求，推动高功率应用设计优化。
东芝推出IX800FXF2YMS4 3300V/800A SiC MOSFET模块，采用第三代技术及银烧结工艺。该产品主要面向轨道交通、UPS等高功率应用场景。
新产品发布，暂无供需或价格变动信号。
Renesas推出首款100V增强模式GaN FET，涵盖RTP100E005G1FL等型号。该产品专为AI数据中心、工业自动化等高功率密度场景设计，具备超快开关速度。
新产品线拓展有望提升公司在高功率半导体领域的市场份额。
TDK推出B3272*A/G/T系列DC-link薄膜电容，最高工作温度达+135°C且无需降额。该产品专为高功率密度、高环境温度的电动汽车牵引逆变器及工业驱动器设计。
新产品发布，短期对现货价格影响中性。
NSING Technologies发布N32系列MCU及TPM 2.0芯片，面向工业自动化与数字能源。该系列MCU集成EtherCAT等接口，TPM芯片提供硬件根信任。
新产品发布，暂无明确的供需或价格变动信号。
Vishay推出XFD11KxxCA系列双向TVS器件，峰值脉冲电流达207.1A。该器件采用DO-218AC封装，具备低箝位电压特性，覆盖33V至85V的汽车电气架构。
目前样品及量产供货，交期12周，将增强汽车及工业领域的过压保护能力。
英飞凌推出OPTIREG TLE9744QK PMIC，集成电源供应、解析器激励及安全监控功能。该器件专为电动汽车高压牵引逆变器系统设计，旨在减少逆变器ECU的外部元件数量。
新产品发布，对当前供需无直接影响。
德州仪器推出TMCS2100-Q1无芯霍尔效应电流传感器。该器件结合双轴磁场测量与专有算法，提升混合动力及电动汽车牵引逆变器测量精度。
新传感器技术有望优化EV逆变器性能，但短期对现货价格无直接影响。
Yole预测xEV功率器件市场2031年将达145亿美元，SiC MOSFET年复合增长率达21.5%。受800V高压架构普及及中国BEV需求驱动，SiC和GaN技术份额快速提升，但SiC制造端面临产能过剩压力。
SiC与GaN需求持续扩张，高压器件前景广阔；关注：SiC制造端产能过剩风险可能抑制价格涨幅。
Power Integrations宣布其PowiGaN技术电压等级提升至2200V，预计2028年底量产。该技术打破了此前1700V的电压上限，将应用于数据中心和电动汽车等高功率场景。
高压GaN市场前景明确，将推动相关产品未来价格上涨。
美国FCC将外国制造的先进机器人及连接功率逆变器列入覆盖名单，可能阻断中国公司产品进入美国市场。此举针对中国消费机器人出口，引发行业对供应链合规及市场准入的担忧。
功率逆变器及机器人相关芯片需求，短期出口受阻风险增加。
横河电机发布WT1500精密功率分析仪，支持高达2000V DC输入。该设备专为电动汽车和可再生能源设备的开发与性能评估而设计。
有助于提升高压系统测试效率，但属于测试仪器新品，对半导体芯片供需无直接影响。
美国FCC宣布禁售新上市中文人形机器人及连接电源逆变器，Unitree与Sungrow首当其冲。该措施旨在防止中国主导AI基础设施供应链，预计非中国供应商将获豁免。
Unitree与Sungrow，利好非中国竞争对手。
三星电子预计Q2利润同比暴涨18倍至580亿美元，受DRAM和NAND价格周环比上涨40%和50%驱动。
存储现货价格。
Wolfspeed起诉Navitas侵犯GaN和SiC专利，寻求美国法院下达永久禁令。Wolfspeed拥有深厚专利壁垒，而Navitas采用轻资产模式在快充和汽车SiC市场扩张，双方在功率半导体领域竞争加剧。
若禁令生效，Navitas在美国市场的产品供应将面临重大风险。
北京大学团队开发出首个全碳纳米管CFET数字逻辑电路，峰值电压增益达164。该成果采用无掺杂CMOS技术解决了驱动能力失配问题，展示了高稳定性与低功耗特性。
标志着碳纳米管作为后硅时代通道材料的重大技术进展，但短期内无商业量产影响。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |