GF发布7nm级FDX Fusion节点，密度翻倍
GlobalFoundries宣布推出7nm级FDX Fusion节点，密度较22FDX翻倍。该工艺定位于汽车、边缘AI及工业领域，计划于2028年在德累斯顿量产。
利空
FD-SOI相关芯片供应预期，长期产能扩张可能引发价格承压。
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GlobalFoundries宣布推出7nm级FDX Fusion节点，密度较22FDX翻倍。该工艺定位于汽车、边缘AI及工业领域，计划于2028年在德累斯顿量产。
FD-SOI相关芯片供应预期，长期产能扩张可能引发价格承压。
Toshiba推出3300V高压SiC MOSFET模块，额定电流达800A。Vishay新增50-150A 650V超结MOSFET模块，工作温度范围宽达-55至+150℃。
新功率模块发布通常预示着产能扩充或技术迭代，短期对现货价格影响中性，但利好相关产业链。
东芝推出IX800FXF2YMS4 3300V/800A SiC MOSFET模块，采用第三代技术及银烧结工艺。该产品主要面向轨道交通、UPS等高功率应用场景。
新产品发布，暂无供需或价格变动信号。
Renesas推出首款100V增强模式GaN FET，涵盖RTP100E005G1FL等型号。该产品专为AI数据中心、工业自动化等高功率密度场景设计，具备超快开关速度。
新产品线拓展有望提升公司在高功率半导体领域的市场份额。
微芯与Navitas推出800V DC至6V DC参考设计，采用GaNFast FETs与dsPIC33AK DSC。该设计旨在提升AI数据中心功率密度与效率，符合OCP 800V标准。
TDK推出B3272*A/G/T系列DC-link薄膜电容，最高工作温度达+135°C且无需降额。该产品专为高功率密度、高环境温度的电动汽车牵引逆变器及工业驱动器设计。
新产品发布，短期对现货价格影响中性。
MediaTek发布2nm Dimensity 9600 Pro以降低内存使用。在内存成本高企背景下，该芯片旨在减少内存占用。
DRAM短期需求，关注移动端芯片架构优化趋势。
STMicroelectronics推出SLLIMM Compact系列，首款20A模块STGI15C60S体积缩小30%。该模块专为空调、热泵等家电的低中功率电机驱动设计。
新产品发布，但短期内对现货价格无直接影响。
Vishay推出XFD11KxxCA系列双向TVS器件，峰值脉冲电流达207.1A。该器件采用DO-218AC封装，具备低箝位电压特性，覆盖33V至85V的汽车电气架构。
目前样品及量产供货，交期12周，将增强汽车及工业领域的过压保护能力。
ST推出L4983 PFC控制器，针对kW级电源设计，评估板峰值效率达97.4%。该芯片集成多种保护与待机模式，旨在提升工业及服务器电源能效。
新产品发布，对当前现货价格及供应链无直接影响。
FSP发布Mega GM 1200W电源，定价229美元，美国缺货。该产品采用自研平台与日系电容，性能超越Gold认证。
日系电容需求增加；关注：美国市场供应紧张。
AMD发布Threadripper Halo工作站，搭载4颗MI350P加速卡及576GB HBM3e显存。该系统专为本地AI研究设计，预计售价10万至15万美元。
高端AI加速卡及HBM3e需求预期提升。
三星V10 BV-NAND获FMS 2026创新奖，比特密度较上一代提升58%。该产品采用超过400字线架构，旨在满足AI时代对高容量、高性能及低功耗存储的需求。
新产品发布，缺乏具体价格或供应数据。
Lane Electronics现货供应Weald Electronics四款无人机用紧凑型连接器，涵盖LM200、M300、D2及SMC系列。这些连接器具备2mm间距、耐高温及航空级镀金触点等特性。
供应链端确认现货供应，缓解采购焦虑；中性：目前无明确的缺货或涨价信号。
三星发布全球首款LPDDR5X-PIM内存，AI推理速度提升3.01倍。作为HBM的廉价替代方案，该技术旨在解决AI芯片成本高昂问题。
LPDDR5X市场需求，潜在利空HBM份额。
EPC宣布EPC2370 GaN FET量产，单价2.52美元。该器件专为AI服务器800V/6V架构设计，替代25V MOSFET。
满足AI算力高密度电源需求，现货供应增加。
TSMC 计划 2026 年量产 COUPE CPO 解决方案，实现 200Gbps 操作。该技术通过 SoIC 垂直堆叠电子与光子芯片，提升能效并降低延迟。
TSMC 硅光子代工业务及 AI 互联供应链。
Aratas America LLC推出G3VH高压SiC MOSFET继电器，支持1800V和3300V负载电压。该继电器利用SiC技术实现高电压耐受能力和低导通电阻，适用于半导体测试设备等场景。
信号。
Keystone推出SMT 5mm玻璃保险丝座现货。该产品兼容标准5x20mm保险丝，采用卷带包装以实现自动化组装。对现有价格影响中性。
Power Integrations宣布其PowiGaN技术电压等级提升至2200V，预计2028年底量产。该技术打破了此前1700V的电压上限，将应用于数据中心和电动汽车等高功率场景。
高压GaN市场前景明确，将推动相关产品未来价格上涨。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |