Hanwha Systems已开始为韩国自主研发的KF-21超音速战斗机生产多功能显示器（MFD）。根据10月21日的行业消息，Hanwha Systems已完成KF-21 MFD的开发并开始量产。已签署合同涵盖40架飞机的初始生产批次，整体采购计划可能扩大到120架飞机，包括后续批次的80架。2024年11月，Hanwha Systems与KAI签署了价值约616亿韩元的合同，供应KF-21的四种航空电子设备，包括MFD、任务计算机、音频通信控制系统和红外搜索与跟踪系统，合同持续至2026年12月。
日本富士胶片正在扩大极紫外(EUV)光刻胶产能，以深化与三星电子的合作。公司在美国子公司总裁Brian O'Donnelly表示，富士胶片正在平泽生产EUV光刻胶，尽管尚未进入全面量产，但部分EUV光刻胶产品已通过主要客户的认证测试。富士胶片在静冈（日本，先进光刻胶开发与生产主基地）和平泽（韩国，邻近三星，用于最先进产品）两地扩建了EUV光刻胶生产设施，两地EUV光刻胶生产与检测设备于2025年10月开始运行。原文未明确说明平泽工厂何时进入全面量产。公司称人工智能（AI）正在推动2纳米及以下工艺材料需求，先进制程扩张增加了ArF和EUV光刻胶需求，此为扩张的原因。此外，富士胶片还在三星天安园区附近扩建CMP抛光液产能，计划增产约30%，新增设施定于2027年上半年开始运行，该公司在铜互连CMP抛光液领域持有全球最大市场份额。富士胶片还计划在美国得克萨斯州卡罗尔顿（邻近三星Taylor厂）等地布局，并考虑在韩国进一步扩充制造布局的多种方案。
据行业消息人士10月21日称，LS Electric正寻求在美国和东南亚等海外市场扩大其半导体工厂自动化业务。多年来，该公司一直试图进入用于在半导体工厂内搬运物料的空中走行式无人搬运车（OHT）系统的控制系统和驱动部件市场，尽管其提供运动控制器、伺服驱动器和电机，但其在国内的供应实绩仍然有限。日本企业长期主导OHT设备与控制部件市场：Daifuku和Murata Machinery在成套OHT系统上占据先发地位，三菱电机等供应商以专有通信协议提供控制系统和驱动部件，使替换整套现有系统的门槛很高；韩国方面，三星电子子公司SEMES在2010年代成功开发国产OHT设备，随后有SFA和MX Robotics（前身SMCore）等公司。行业人士称，半导体厂商在下达设备订单时常指定关键OHT部件供应商，在韩国主要使用三菱电机产品，欧洲也使用西门子产品。据市场研究机构QY Research，全球半导体自动物料搬运系统（AMHS）市场预计将从2025年的37.09亿美元增长到2032年的59.88亿美元，同期OHT在整体市场中的份额预计从46.86%升至48.91%。LS Electric表示，正寻求在国内外半导体公司于美国和东南亚建设新工厂时供应成套可靠自动化产品，并先在汽车和电池产线领域积累实绩、验证其自动化控制技术的可靠性。
Taesung于10月21日表示，其参加10月20日在台湾台北开幕的TPCA Show 2026，展示用于制造FC-BGA基板和玻璃基板的关键工艺设备技术，包括用于孔填充的铜电镀设备和表面处理技术，以及玻璃基板的TGV加工设备和垂直显影、蚀刻、电镀系统。该公司称该设备用于制造更大、更高层数的FC-BGA基板，且AI服务器与高性能半导体市场正在扩大。Taesung近期已签署协议向一家全球主要半导体封装基板制造商供应FC-BGA设备，并收到一家韩国主要基板制造商的意向书(LOI)，拟购买用于SOCAMM模块生产的铜电镀设备；目前正与国内外客户就玻璃基板设备的量产供应进行最终阶段的洽谈。为满足不断增长的需求，Taesung已在新天安工厂建立量产体系，其产能超过现有安山工厂的六倍。今年TPCA Show吸引约670家全球公司，占用1830个展位。
AI与高性能计算(HPC)的快速发展推动PCB向更高层数、更高密度和更高性能材料方向演进，引发上游材料与设备的无明确结束时点的短缺。覆铜板(CCL)、铜箔与钻头的关键供应商正在推出覆盖未来3-4年的产能扩张计划；标题显示扩张延续至2029年之后。上述扩产为计划状态，原文未说明具体扩产规模、投资金额或是否已落地。
日媒《日刊工业新闻》当地时间昨日（10月21日报道）称，Canon（佳能）计划到2029年将其面向半导体后端工艺的光刻机产能较当前水平提升50%。该计划为报道所援引的消息，属计划状态，尚未确认实施。佳能正在开发用于先进封装工艺的i线光刻设备，并开发了一种分辨率达0.8μm（800nm）的大尺寸基板光刻机台，能处理510×515(mm)基板，具备高对准精度和大视场角。佳能半导体设备事业部负责人三浦圣也在接受采访时表示，无掩膜直写图案化方案目前暂时还不是i线光刻机在RDL生产领域的直接竞争对手。原文未说明原因。
据路透社报道，随着AI需求从DRAM延伸至NAND，且中国厂商YMTC竞争加剧，三星与SK海力士正计划升级其中国NAND工厂：三星计划将西安工厂从约200层升级至286层V9 NAND（内部项目代号“Monami”）；SK海力士大连厂已获准生产最高240层NAND，据报正计划从现有192层技术升级至240层或以上，并可能寻求美国批准用于300层以上技术的研发。TrendForce估计，中国约占三星NAND总产出的30–35%，占SK海力士的40–45%。但美国出口管制仍是主要障碍：两家公司须每年申请许可证才能在中国工厂安装美国产设备，且华盛顿在2025年表示不会批准当地的技术升级或产能扩张；两公司向路透社确认升级正在与华盛顿密切协调下进行，但拒绝披露详细生产计划。竞争方面，YMTC的NAND产品以160层和232层为主，已限量生产294层芯片并计划突破300层。此外据首尔经济日报，三星已将约60%的V-NAND产能转向V9（286层），向NVIDIA加大出货，并开始V10 NAND的量产与供货，下一代V11（目标约500层）研发正在加速；据Bloter，SK海力士正加快转向321层NAND，该技术在2026年第二季度已成为其最大NAND生产板块，预计到年底其国内约一半NAND产能将转向321层产品。
据路透社报道，马斯克在一场SpaceX电话会议上表示，其半导体制造项目Terafab目标在2028年第三季度实现量产，但他承认第三或第四季度均有可能，并称该时间表“非常激进”，因为美国的先进逻辑芯片工厂通常需要三年或更长时间建造。在量产之前，Terafab计划于2027年5月或6月前后在奥斯汀研发设施生产首款使用SRAM电路的功能性测试芯片。设备供应仍是主要挑战，尤其是来自ASML以及Applied Materials、KLA等美国供应商；当被问及SpaceX是否已向ASML订购EUV光刻机时，马斯克未直接回答，但感谢ASML等供应商加快设备交付。据路透社报道，ASML预计即使计划扩大EUV产能，到2028年需求仍将超过供给。据The Elec报道，特斯拉和SpaceX正与韩国半导体材料、零部件和设备供应商洽谈建立Terafab供应链，多家公司已签署保密协议，其中HPSP和Hanmi Semiconductor是仅有的两家被公开与Terafab联系在一起的韩国设备供应商；但据报道Terafab寻求比中国竞争对手更低的价格。关于制造伙伴，TSMC董事长兼CEO魏哲家确认双方仍在讨论，但强调任何涉及TSMC的工厂必须由TSMC运营，这与马斯克10月7日关于其公司将自建自营Terafab（可能允许TSMC转租空间而不承担运营角色）的说法存在分歧；另据路透社援引彭博报道，Intel CEO陈立武表示公司将继续参与Terafab。
据Chosun Biz报道，三星电子据称已于本月早些时候开始Exynos 2700的晶圆生产，产量较Exynos 2600可能增加逾10%，以振兴其非存储半导体业务。Exynos 2700预计于2027年用于Galaxy S27系列，主要覆盖标准版和Plus版，并可能用于新的Pro版本；但Ultra旗舰机型越来越可能完全依赖高通Snapdragon处理器，最终芯片配置尚未确定。Exynos 2700据报采用三星代工第二代2nm工艺SF2P，相较用于Exynos 2600的第一代SF2，目标为性能提升12%、功耗降低25%、芯片面积缩小8%，且据称为首款采用SF2P进入量产的芯片；据The Bell，三星已与主要伙伴共享生产计划，但初期晶圆投片仍然有限。报道指出，Exynos 2700量产良率及其在Galaxy S27系列中的采用程度将决定非存储业务复苏的幅度；三星4nm产线据报接近满载，同时继续为5nm工艺寻找客户。此外，据TrendForce，移动DRAM价格预计在4Q26继续上涨，但涨幅放缓，因供应商将产能转向利润率更高的服务器产品，成本上升使三星自研处理器的价格竞争力更加重要。
Axcelis Technologies在韩国平泽为一座新的离子注入设备制造工厂破土动工。该事件为工厂建设的开工节点，文中未说明工厂投产时间、产能规模或投资金额。
据TrendForce于2026年10月20日发布的消息，AI封装供应紧张正向上游蔓延，IC基板正受到供应瓶颈冲击。台湾厂商Unimicron警告，在CoWoS与EMIB需求升温的背景下，关键设备的交期已拉长，超过80%的关键设备交期拉长，部分设备交期达到30个月；同时关键材料在2027年面临潜在的20%短缺（短缺为潜在预测，非已实现结果）。
美国半导体离子注入设备制造商Axcelis于10月20日在韩国京畿道平泽市五松产业园内为其新Axcelis亚洲运营中心(AAOC)举行奠基仪式，计划将平泽业务扩展为亚洲制造枢纽。新设施占地约22,314平方米，建筑面积约15,537平方米，总楼面面积约为现有制造设施的5倍，将包含设备制造设施、仓库、无尘室和培训中心。建设预计需约18个月，计划于2028年下半年全面投入运营，投资总额约3,500万美元。新厂将主要制造用于前端半导体工艺的离子注入设备，并采用精益制造方法。AAOC是Axcelis在美国境外唯一的制造设施，该公司于2021年设立AAOC,2022年下半年开始生产出货，当时工厂面积约3,967平方米，产能相当于美国总部业务的约20%,60%的产出用于出口。Axcelis韩国员工数已从2022年的120人增至目前约200人，并计划中长期增至约300人。此前9月，Axcelis曾与美国贸易工业资源部官员在华盛顿特区举行投资宣言仪式。
KoMiCo于10月19日披露,其子公司MiCo Ceramics计划以1500亿韩元向LG Display收购位于庆尚北道龟尾的一座闲置工厂的土地及建筑物,用于分阶段扩大半导体制造设备用陶瓷加热器和静电卡盘(ESCs)的产能,该收购计划定于2027年2月19日进行。该工厂因LG Display缩减液晶显示器(LCD)业务而停运。收购价格相当于KoMiCo合并总资产的14.56%,仅收购成本(不含额外设备投资)就相当于其此前最大投资——第四龟尾工厂? 不,第四江陵工厂65.5亿韩元投资的2.3倍;龟尾地块面积183,565平方米,约为第四江陵工厂8,807平方米场地的21倍,总建筑面积389,540平方米。MiCo Ceramics目前运营位于安城的两个生产设施和江陵的四个生产设施,公司设备利用率为2026年上半年的79.6%。2026年上半年公司营收1495亿韩元、净利润487亿韩元,同比分别增长21.1%和46.5%。公司尚未披露如何为1500亿韩元收购及额外设备投资融资;其2025年底持有现金及现金等价物285亿韩元,据母公司半年度报告披露的子公司现金余额变动估算,截至2026年6月底约为622亿韩元,即使全部用于收购仍面临878亿韩元的缺口;2025年底公司有1180亿韩元借款及账面价值193亿韩元的可转换债券,且其IPO计划因重复上市的担忧面临障碍。KoMiCo官员表示,除已披露内容外难以提供具体细节。
Genesem与全球第三大晶圆代工厂Company A及其外包封装合作伙伴达成独家协议，从2027年起独家供应配备AI视觉的切筋分片设备GVISION AI+。该设备于第三季度通过量产认证，2027年预计交付约20台，合同价值超过300亿韩元。AI功能使设备价格比现有型号增加10%以上。
据Wccftech在2026年OCP全球峰会上报道，英特尔正在扩展其硅光子学能力，原因是对AI和高性能计算（HPC）领域高带宽光互连的需求增长；英特尔宣称自己是唯一能够大规模向业界供应300mm磷化铟（InP）硅光子学的高产量代工厂，该技术旨在支持下一代近封装光学（NPO）和共封装光学（CPO）。原文指出，传统InP衬底通常限于150mm（6英寸）晶圆，3英寸和4英寸规格仍广泛使用，InP晶体脆性大、生长缓慢并存在缺陷控制挑战，限制每片晶圆的激光芯片产出并拖慢扩产；英特尔将基于InP的激光技术集成到其300mm硅光子学制造平台，旨在提高生产效率和可扩展性。TrendForce称，NVIDIA已开始向部分合作伙伴出货其Spectrum-X CPO交换机（与TSMC联合开发，采用COUPE技术），Broadcom继续有限出货其51.2 Tb/s Bailly CPO交换机，并在OCP 2026展示第三代Tomahawk 6-Davisson CPO交换机（102.4 Tb/s交换容量、每通道200 Gbps）；TSMC计划于2026年开始生产其COUPE-on-substrate方案，目标相比板级可插拔光学实现两倍能效和十倍延迟降低。据ijiwei，中际旭创已建立专用CPO产线并开始小批量生产800G CPO光模块，部分客户已下单，出货可能于2027年开始、2028年有望更广泛采用；2026年9月，华为发布了基于NPO的昇腾960超节点，用于大规模AI训练和推理。TrendForce指出，测试仍是CPO量产关键瓶颈：光对准时间已降至秒级或更短，但单个光子集成电路（PIC）的完整测试仍可能超过100秒，瓶颈转向测试速度和成本；TrendForce预计2027年是整合CPO测试系统的关键年份，2028年是评估大规模量产准备的关键时期。
SECO 的 Modular Vision 10.1 MX95 已从早期订购预订阶段进入大规模生产阶段。
台湾半导体封装设备供应商E&R Engineering Corp.宣布开设其马来西亚子公司E&R Semiconductor (MALAYSIA) SDN. BHD.，以扩大封装材料产能。新厂房目前正在进行样品测试与认证，公司称量产预定于明年年初正式启动。该厂预计创造50个本地就业机会，并加强E&R在东南亚的供应能力，为半导体及OSAT客户提供实时技术支持与供应链灵活性。总裁KS Chen表示，开设马来西亚厂房是其载带业务全球布局的里程碑，为应对东南亚客户需求增长，公司将部分生产重心转移至马来西亚并扩大产能。厂长总经理AK Ong称新设施落成使其能更贴近客户提供实时支持。此为计划中的扩产，量产尚未开始。
据原文，2025年第二季度起，三星、SK海力士、美光和长鑫先后表态将逐步停接DDR4订单、直至全面停产（停产为表态/计划性质，尚非已完成的全面停产）；到年中，消费级DDR4合约价已出现单月涨幅超60%的行情。2025年11月DDR4单颗现货价约12美元，到今年10月冲至46.321美元，11个月涨286%。原文给出的原因是：最先进的晶圆产能被集中调往AI加速卡刚需的HBM和新一代DDR5，头部厂商超80%的先进产能压在这两类产品上；HBM在DRAM晶圆投片中的占比预计从2025年的个位数升至2026年的约22%、2027年约30%。DRAM合约价2026年一季度环比上涨93%至98%，二季度再涨58%至63%，摩根士丹利预测三、四季度还要分别涨50%和10%以上（预测）。长鑫2025年营收617.99亿元、同比增155.6%；今年上半年营收1503.10亿元、同比增873.64%，归母净利润776.05亿元（上年同期亏损23.32亿元）；前三季度业绩预告预计营收2650亿至2700亿元、归母净利润1310亿至1325亿元（上年同期亏损52.8亿元），二季度DRAM收入环比增99%主要来自移动端LPDDR4X/5X。产能方面，现有月产能机构口径不一，方向为2026年底超30万片、2028年前后接近50万片、长期规划指向60万片以上；上海新厂已启动设备招标，具备月产超10万片潜力。技术方面，长鑫科技总裁曹堪宇于10月10日公布首款4F²产品为服务器DDR5 RDIMM，预计年底前推出；4F²单元面积减约三分之一，同面积存储密度可提升30%至50%；三星已做出4F²工程芯片但量产目标在2028年前后，SK海力士预计更晚。
台积电在10月15日的投资者说明会上宣布，计划在台湾台南新建一座3nm晶圆厂，生产预计于2028年上半年开始。台积电董事长兼CEO魏哲家表示，公司预计未来数年对3nm芯片的需求强劲。该新厂加入已在南部科学园区建设中的另一座3nm厂，后者预计2027年上半年开始量产。海外方面，魏哲家称亚利桑那3nm厂进度超前，设备正在安装，生产定于2027年第三季度开始；日本熊本第二座晶圆厂也将采用3nm工艺，预计2028年开始量产。为支撑3nm需求，台积电正将部分5nm产能转为3nm，并据《自由时报》报道在7nm、5nm和3nm工艺间优化产能。据台南市政府新闻稿，台积电自进驻南部科学园区以来已在该市建成20座晶圆厂及封装测试设施，在台南投资超过1.86万亿新台币（约570亿美元），创造超过11,300个直接就业机会；台积电还已在安定区市有土地上开建一座2nm厂，这是该公司首次在地方政府所有的土地上建厂。台积电与市政府均未披露新3nm厂的投资规模或产能。
ACM Research（美国半导体设备制造商）正将业务扩展至中国以外，其面板级封装设备正在台湾推进客户评估，同时该公司投资于韩国和俄勒冈州。公司预计海外业务的增长速度将快于其中国收入，但原文说明技术采用、封装尺寸标准以及美中紧张关系可能影响其计划。该扩张为计划/预期状态，客户评估仍在进行，尚未表述为已完成。