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NuAxi 汇总 eSSD 相关的公开半导体新闻、产品动态与供应链信号，并按时间持续更新。

已收录 37 条相关快讯

最新动态

10月29日 周四

  1. 影响评分 95

    三星电话会：三季度DRAM ASP环比涨约20%，存储供给紧张或延续至2028年，2027年HBM供货已按目标价售罄，AI需求从HBM扩展至SSD

    三星电子在10月29日的三季度业绩电话会上表示，存储市场供给紧张不仅将贯穿2027年，还可能延续至2028年；尽管行业2027年资本开支将大幅增加（公司预计2026年全年资本开支达84.4万亿韩元、较去年增加31.7万亿韩元），但受制于新增资本开支中相当部分用于购置新场地、建设周期与设备交期拉长、设备价格上涨及预付款锁产、HBM4E和HBM5 die尺寸扩大且金属制程层数增加、以及常规DRAM向HBM的生产转移，新增产能难以快速转化为bit产出。三星2027年HBM供货量已按反映产品竞争力的目标价格全部售罄，但仍持续收到主要客户的额外供货请求。三季度公司实现总营收195.3万亿韩元、营业利润107.4万亿韩元，分别环比大幅增长14%和20%，连续第四个季度刷新纪录，成为全球首家单季营业利润超100万亿韩元的科技公司；DRAM出货量环比增长低至中个位数百分比、NAND增长中个位数百分比，DRAM平均售价（ASP）环比上涨约20%，NAND ASP上涨高位十几个百分点；公司预计四季度DRAM价格环比上涨十几个百分点的中高位水平、NAND价格上涨十几个百分点左右。三季度HBM4销售量环比增长超过三倍、占HBM总销售额的60%，符合二季度设定的目标；HBM市场份额已于三季度提前达到与整体DRAM市场份额相当的水平；HBM4E样品已于今年5月初率先交付客户并获积极初步反馈，计划明年上半年启动量产、下半年大规模爬坡。AI需求正从HBM扩展至服务器SSD：Agentic AI推动KV缓存爆发式增长带动高性能、大容量TLC SSD需求，云端个人AI智能体带动QLC SSD需求，三星三季度已收到大批量QLC SSD追加订单；基于键合技术的V10 TLC产品已于三季度达到可量产状态，并准备于明年年初推出基于V9、采用2 Tb TLC、32层堆叠技术的256TB产品。商业模式方面，三星已与10家主要客户完成多年期供应合同签约，另有10家主要客户在谈、其中数家接近最后阶段，目标使多年期合同覆盖中长期产能的60%—70%，采用滚动续约机制。晶圆代工方面，预计2026年2纳米项目订单数量将较上一年增长一倍以上；美国Taylor工厂Fab 1洁净室已开始运营、设备安装已启动。股东回报方面，2026年预计总回报为90万亿至110万亿韩元，其中35万亿已列入计划或完成，董事会当日批准三季度每股4,601韩元现金股息、总额30万亿韩元，计划于11月支付；新政策及最终金额将于2027年1月下旬董事会确定。

    存储器HBMHBM4三星电子华尔街见闻价格波动
  2. 影响评分 88

    SK海力士季度营收首破100万亿韩元，营业利润达83万亿韩元

    SK海力士于10月28日公布，今年第三季度合并营收达104.62万亿韩元，首次突破100万亿韩元，营业利润为83.33万亿韩元，两项数字分别同比增长327.9%和632.1%，环比分别增长31.9%和37.6%，均略超市场一致预期。营业利润率达79.7%，环比提升3.5个百分点；净利润为39.78万亿韩元，同比增长215.7%，但环比下降57.7%。公司将其DRAM业绩归因于第四代高带宽内存（HBM4）出货增加及服务器用DDR5内存销售扩大；NAND业务受321层企业级固态硬盘（eSSD）销售增长及更聚焦数据中心高附加值产品带动而增长。公司已扩大长期供应协议（LTA），锁定覆盖2027年和2028年总产能超过50%的合同，并与包括全球大型云服务商（CSP）在内的14家主要客户签署LTA，同时在讨论将合同期限延长至通常的五年以上。SK海力士预计存储器供应短缺将持续至2030年，认为先进制程技术复杂性提高及新建产线所需时间将维持需求超过供应的市场结构。第四季度公司计划提高第六代10纳米级1c工艺在常规DRAM生产中的占比，扩大面向AI服务器的DDR5及基于LPDDR5的小型压缩附加内存模组（SOCAMM）销售；NAND方面计划将旗舰321层产品占比提升至国内产能的一半以上。为满足激增的HBM需求，公司计划在年底前最大化清州M15X工厂产能并扩大HBM4生产，预计第四季度HBM4将在出货量和营收上超越HBM3E成为主力产品。投资支出预计明年显著增加，包括首家利川（龙仁）工厂开始全面运营。公司还计划向股东返还约100万亿韩元，包括2026财年超过30万亿韩元现金分红和总计60万亿韩元回购注销（含8月公布的40万亿韩元），承诺返还超过50%的自由现金流。10月28日董事会批准第三季度现金分红14万亿韩元及总额20万亿韩元回购，其中10万亿韩元将注销，其余约10万亿韩元用于员工薪酬、不计入股东返还。第三季度每股分红20,000韩元，含反映业绩改善的10,000韩元及分享Kioxia投资收益的10,000韩元特别分红。

    DRAMHBM4DDR5SK hynixThe Elec

10月28日 周三

  1. 影响评分 60

    SK海力士2026年第三季度营收同比增长328%至104万亿韩元,净现金达98.7万亿韩元,计划年底前将M15X产能提升至最大以增产HBM4

    SK海力士2026年第三季度营收同比增长328%至104万亿韩元(789亿美元),首次突破100万亿韩元,净收入同比增长216%至39.8万亿韩元(约300亿美元),营业利润率80%,目前净现金头寸为98.7万亿韩元(740亿美元),基本无债务。公司表示,因考虑近期金融市场状况等因素,决定放弃Solidigm美国IPO并停止相关审查;该IPO原本旨在为Solidigm产能扩张筹集外部资金。公司称HBM4自本季度起成为主流产品,预计下季度销量和收入将超过HBM3E;已签署14份长期购买/供应协议(LTA),覆盖2027年和2028年超过一半的存储产能,并预计存储需求在2030年前持续超过供给。支出计划包括:将Kioxia股份收益的大部分约100万亿韩元(754亿美元)于今年返还股东;年底前将M15X晶圆厂产能提升至最大以增加HBM4产量;第四季度将321层NAND工艺占比提升至国内产能的一半以上以增加高性能大容量eSSD供应;2027年龙仁一期工厂全面投产带动产量上升。原文未说明原因的部分:为Solidigm美国建厂融资仍待解决,公司称仍缺约300亿美元。

    HBM4HBM3EDRAMSK HynixBlocks & Files产能变化
  2. 影响评分 95

    SK海力士3Q26营收104.6155万亿韩元，环比增32%、同比增328%，首破100万亿韩元，营业利益率创纪录达80%；DRAM ASP环比上涨近30%，NAND价格涨超20%

    SK海力士公布3Q26业绩：营收104.6155万亿韩元，环比增长32%、同比增长328%，为季度营收首次突破100万亿韩元；营业利润达83.3338万亿韩元，同比增长632%，营业利益率创纪录达80%。公司将强劲表现主要归因于HBM、服务器DDR5和企业级SSD（eSSD）等高价值产品。DRAM ASP环比上涨近30%，位元出货量增长约10%；NAND Flash价格上涨超过20%。公司指出AI基础设施需求正从少数大型CSP扩展至主流企业和国家级计划，但先进制程复杂性和较长的晶圆厂建设周期将限制供给增长，SK海力士预计结构性存储器缺货将持续至2030年。DRAM方面：SK海力士于3Q26开始HBM4批量出货，并预计该产品在4Q26出货量和营收均超过HBM3E，正式成为其主力HBM产品；公司还计划在年底前使M15X晶圆厂达到满载产能；2027年HBM供应谈判已完成。NAND方面：321层TLC企业级SSD销售持续扩大，公司计划在4Q26将321层产能占其韩国国内产能的比例提升至50%以上。SK海力士已与包括大型CSP在内的14家关键客户签署长期供应协议，标准合同期限为5年，部分客户在协商延长；这些协议已锁定覆盖2027年和2028年公司总产能50%以上的承诺。公司还表示2027年资本支出将较2026年大幅增加。TrendForce预计随着新增供给逐步上线，DRAM市场可能在2028年达到供需平衡。

    DRAMHBM4HBM3ESK hynixTrendForce Official (Market Data)价格波动
  3. 影响评分 0

    SK海力士公布3Q26业绩：营收104.6155万亿韩元、营业利润83.3338万亿韩元(利润率80%)，营收首破100万亿韩元创历史新高

    SK hynix宣布第三季度(3Q26)录得营收104.6155万亿韩元、营业利润83.3338万亿韩元(营业利润率80%)、净利润39.7756万亿韩元(净利率38%)。公司称在AI存储需求增长带动关键产品价格上涨的市场环境下，营收和营业利润均再创季度历史新高，其中营收首次超过100万亿韩元。营收和营业利润环比分别增长32%和38%。按产品划分，DRAM业绩受服务器DDR5销售大幅增长驱动，HBM4出货开始放量；NAND方面321层TLC eSSD销售扩大，面向数据中心的高附加值产品全面增长。截至第三季度末，现金及现金等价物为114.5万亿韩元，较上季度末增加26.5万亿韩元；借款减少2.8万亿韩元至15.8万亿韩元，净现金增至98.7万亿韩元。

    DRAMserver DDR5HBM4SK hynixTechPowerUp
  4. 影响评分 50

    SK 海力士 2026 财年前三季度报归母净利润 173.68 万亿韩元，同比增长 527%（暂定业绩快报，Q3 净利润环比下降 57.9%）

    SK 海力士于 10 月 28 日发布 2026 财年（2026 年 1 月～2026 年 12 月）前三季度（2026 年 1 月～2026 年 9 月）业绩快报及第三财季（2026 年 7 月～2026 年 9 月）业绩快报。前三季度营业总收入 236.51 万亿韩元（约合 1.19 万亿元人民币），同比增长 267.7%；归母净利润 173.68 万亿韩元（约合 8,765.87 亿元人民币），同比增长 527%；营业利润 181.49 万亿韩元（约合 9,159.63 亿元人民币），同比增长 547.3%。第三财季营业总收入 104.62 万亿韩元（约合 5,279.94 亿元人民币），同比增长 327.9%，环比增长 31.9%；归母净利润 39.53 万亿韩元（约合 1,995.3 亿元人民币），同比增长 213.9%，环比下降 57.9%；营业利润 83.34 万亿韩元（约合 4,206.11 亿元人民币），同比增长 632.1%，环比增长 37.6%。文中称营收与营业利润高增反映 AI 驱动的 DRAM/HBM 与企业级 SSD（eSSD）价格及销量共振；净利润环比下滑主要受法人税费用季际大幅变动影响（本季法人税费用环比显著上升），并非经营性盈利能力恶化。公司为全球领先存储厂商，主营 DRAM、NAND 闪存及 HBM，在全球 HBM 市场占有率约 58%。第三季度单季业绩超出花旗、RBC 等机构预期：花旗预测 Q3 营收约 101.2 万亿韩元、营业利润约 81.3 万亿韩元，实际快报营收 104.6 万亿韩元、营业利润 83.3 万亿韩元均超出其预测及市场一致预期；RBC 维持“跑赢大市”评级，花旗维持目标价 300 万韩元（约合 15,141 元人民币）及“买入”评级。本次为暂定业绩快报，尚待外部审计完成，最终数据可能调整；公司将于 2026 年 10 月 28 日上午 9 时召开业绩说明会，预计将就 HBM4 量产进度、DRAM/NAND 价格走势及资本开支计划给出更明确指引。

    DRAMNANDHBMSK 海力士IT Home
  5. 影响评分 60

    SK海力士公布2026年第三季度业绩：营收104.6155万亿韩元、营业利润83.3338万亿韩元均创单季历史新高，季度营收首破100万亿韩元，环比分别增长32%和38%

    SK海力士于2026年10月28日发布2026年第三季度业绩：第三季度营收104.6155万亿韩元、营业利润83.3338万亿韩元（营业利润率80%）、净利润39.7756万亿韩元（净利率38%），营收和营业利润均创历史新高，季度营收首次突破100万亿韩元；营收和营业利润环比分别增长32%和38%（2026年第二季度营收79.3187万亿韩元、营业利润60.5426万亿韩元），营收同比增长328%（2025年第三季度为24,448.9 billion KRW），营业利润同比增长632%，净利润环比下降58%、同比增长216%。公司称业绩受AI存储需求增长推动产品价格上升、HBM4与高附加值服务器产品销售扩大所驱动。公司预计HBM4将在第四季度在出货量和营收上超越HBM3E并成为主流产品（预期，非实际）；并预计内存需求超过供应的结构将持续到2030年（公司预测）。公司计划到今年年底将M15X提升至最大产能以增加HBM4产量，并计划在第四季度将321层工艺占其国内产能的比例提高到一半以上；已与包括全球云服务提供商在内的14家主要客户签订长期协议（LTA），目前锁定的LTA量对应2027年和2028年总产能的50%以上。公司宣布2026财年股东回报总额约100万亿韩元（含现金分红30万亿韩元以上、股份回购及注销60万亿韩元以上，其中8月宣布的40万亿韩元回购已于上周完成）；董事会决议第三季度现金分红14万亿韩元和20万亿韩元回购，季度每股分红20,000韩元（含10,000韩元业绩分红和10,000韩元分享Kioxia投资收益的特别分红），并计划明年大幅扩大投资。

    DRAMNANDHBM4SK hynix、KioxiaSK Hynix Newsroom

10月23日 周五

  1. 影响评分 45

    报道：SK海力士决定不再寻求Solidigm美国IPO，公司尚未公开确认

    据韩国经济日报周五援引未具名业内人士报道，SK海力士已决定不再寻求旗下子公司Solidigm在美国进行首次公开募股（IPO），但公司尚未公开确认这一决定。此前报道称，Solidigm正考虑赴纳斯达克上市，时间可能最早在2027年，估值最高或达1500亿美元；上市融资有望为其扩充产能、研发投入提供资金。该决定正值韩国监管部门加大对母子公司重复上市审查之际：韩国金融监督院院长李灿镇本月19日表示，Solidigm赴美上市可能涉及韩国重复上市监管规则；金融委员会主席李亿远22日也表示，Solidigm适用相关指引，SK海力士及其上层母公司需要履行保护股东权益的义务。潜在上市还引发韩国市场对股东权益稀释的担忧。Solidigm源自SK海力士对英特尔NAND闪存及固态硬盘业务的收购，SK海力士于2021年完成相关业务整合，Solidigm目前重点布局面向人工智能数据中心的企业级固态硬盘（eSSD）。SK海力士此前于10月1日表示，尚未就Solidigm的资本运作作出决定，公司正在评估内部资金与外部融资等方案，并强调任何决策都将以长期企业价值和股东利益为重要考量。

    NAND闪存固态硬盘企业级固态硬盘（eSSD）SK海力士、Solidigm 等 3 家华尔街见闻

10月16日 周五

  1. 影响评分 25

    SK hynix于2026年10月16日在OCP全球峰会2026展示下一代AI基础设施愿景，称“以存储为中心的服务器系统是未来”

    SK hynix于2026年10月16日在OCP全球峰会2026上展示了其下一代AI基础设施愿景，并提出“以存储为中心的服务器系统是未来”的观点。正文仅列出相关关键词，包括Agentic AI、AI、CXL、DRAM、eSSD、HBF、HBM和OCP Global Summit，未提供具体产品规格、性能数据或商业安排等进一步细节，原文也未说明相关技术或市场动向的原因。

    DRAMHBMeSSDSK hynixSK Hynix Newsroom
  2. 影响评分 20

    SK海力士在OCP全球峰会2026展示以内存为中心的下一代AI基础设施愿景，公开第二代CMM-DDR5（256GB、CXL 3.2、带宽80GB/s、能效提升约30%）

    SK海力士参加了2026年10月12日至15日在加州圣何塞举行的OCP全球峰会，展示了下一代内存解决方案并提出以内存为中心的AI时代服务器系统方向。展会现场，SK海力士公开了第二代CMM-DDR5（256GB，基于CXL 3.2），称与上一代相比带宽提高一倍以上（80GB/s）、能效提升约30%；并演示了CXL池化内存在AI代理服务、KV缓存共享等场景的效果。原文说明的背景是：随着AI处理的数据量爆炸式增长，数据瓶颈成为新的挑战。SK海力士还展示了HBM4/HBM4E/HBM3、HBF、服务器DDR5 RDIMM（256GB/128GB/96GB/64GB）及eSSD产品组合。文中另提及去年9月SK海力士与NAVER Cloud签署业务协议，以及PS1110 E3.S与PS1101 E3.S目前处于按序开发中。

    CXL Pooled MemoryCMM-DDR5MARSSK hynixSK Hynix Newsroom

10月13日 周二

  1. 影响评分 0

    SK 海力士发布 SSD 专用处理器架构 H-TPU，功耗仅为传统 CPU 的 2.5%

    SK 海力士于 10 月 12 日正式推出 SSD 专用处理器架构 H-TPU，该架构功耗仅约为传统 CPU 的 2.5%（占用面积约为 CPU 核心的 1/25），是一个可编程处理器，专门用于控制 SSD 数据平面和处理事务，不用于 AI 计算。SK 海力士计划将 H-TPU 应用于其 NAND 存储器产品线，包括下一代企业级固态硬盘（eSSD）控制器，并预计与明年发布的高带宽闪存（HBF）结合以实现协同效应。

    SK 海力士IT Home

10月12日 周一

  1. 影响评分 0

    SK Hynix公布H-TPU控制器架构，集成超过100个小处理器，功耗约为通用CPU核心的2.5%

    SK Hynix在2026年10月12日于仁川松岛Convensia举行的ISOCC 2026上，由副总裁Koo In-je披露了自研用于固态硬盘(SSD)的小型处理器Hynix Transaction Processing Unit (H-TPU)的架构与性能。该技术将传统上由通用CPU处理的重复性任务分配到超过100个H-TPU上并行处理，据SK Hynix称，单个H-TPU的功耗约为标准通用CPU核心的2.5%（四十分之一），芯片面积约为其4%（二十五分之一）；主通用CPU保留用于错误恢复、异常处理和存储策略管理等复杂任务。公司还开发了包括专用编译器在内的软件工具。SK Hynix计划将该技术应用于多条NAND闪存产品线，首先用于下一代企业级SSD(eSSD)控制器，随后集成到面向AI的下一代存储架构Storage Next（处理低至512字节的数据单元，为传统4KB单元的八分之一）以及计划于明年发布的高带宽闪存(HBF)中；这些应用仍属计划，尚未表明已实施。

    H-TPUSSD controllerenterprise SSD (eSSD)SK HynixThe Elec

9月17日 周四

  1. 影响评分 10

    SK海力士展示HBF等AI内存技术

    SK海力士在AI Infra Summit 2026展示了HBF、PIM/AiMX及SALT-KV等下一代AI内存技术。该技术旨在填补HBM与SSD之间的空白，以适应推理时代的算力需求。

    利多

    关注：此次展示主要聚焦技术愿景，尚未披露具体产能规划或价格影响。

    HBFPIMSALT-KVSK hynixSK Hynix Newsroom新品发布

9月2日 周三

  1. 影响评分 10

    台积电将微通道冷却纳入路线图

    台积电将微通道冷却纳入研发路线图，以解决AI芯片功耗激增的问题（5年内6倍）。随着封装功耗从600W增加到4100W，行业正从风冷转向液冷。

    关注

    该技术代表了先进封装的长期方向，但制造挑战意味着短期内不会出现供应中断。

    HBMAdvanced PackagingTSMCTrendForce技术动态

8月26日 周三

  1. 影响评分 10

    SK海力士展示AI内存全系列产品

    SK海力士在DTF 2026展示针对AI基础设施的内存解决方案组合，涵盖HBM、DRAM、cSSD及eSSD。此举旨在强化其在AI算力领域的供应链地位。

    中性

    缺乏具体供需数据，暂无价格指引。

    HBMDRAMcSSDSK hynixSK Hynix Newsroom新品发布

8月15日 周六

  1. 影响评分 100

    企业级SSD占NAND供应48%，AI需求翻倍

    企业级SSD在2026年Q2消耗全球48% NAND供应，较2025年26%近乎翻倍。AI推理工作负载需求激增，数据中心急需大容量高性能存储。

    利多

    供需失衡加剧，NAND价格面临上行压力。

    NAND FlashEnterprise SSDSamsung Electronics、SK Hynix 等 6 家cnBeta缺货预警

8月10日 周一

  1. 影响评分 70

    铠侠目标价下调13万日元，LTA效果待验证

    摩根大通将铠侠目标价从15.5万日元下调至13万日元，同时上调未来三年营业利润预测。尽管eSSD定价强劲，但市场对铠侠长期协议（LTA）能否稳定定价存疑，且股价已从高点暴跌56%。

    关注

    估值修复需等待LTA在实际业绩中兑现，公司宣布8000亿日元回购计划以回馈股东。

    NAND FlasheSSDKioxia、JPMorgan华尔街见闻财报业绩

8月9日 周日

  1. 影响评分 45

    SK海力士拟出售重庆工厂估值30亿美元

    SK海力士正考虑出售重庆NAND封装测试基地，估值约30亿美元，潜在买家包括中国基金。此举旨在加速增长，但交易仍处初步阶段。

    关注

    潜在供应链结构变化。

    NAND FlashSK hynix华尔街见闻并购合作

7月27日 周一

  1. 影响评分 15

    三星SK海力士eSSD订单激增

    三星与SK海力士正积极布局eSSD产品以抢占AI数据中心存储市场。随着生成式AI推理负载增加，超大规模云服务商正将支出重心从内存转向存储。

    利多

    eSSD需求，存储芯片板块受提振。

    eSSDEnterprise SSDsSamsung Electronics、SK HynixDigiTimes Asia市场分析

7月8日 周三

  1. 影响评分 25

    三星量产PCIe 6.0 SSD，速度翻倍

    三星电子量产全球首款PCIe 6.0企业级SSD PM1763，顺序读写速度达28.4GB/s。该产品专为AI数据中心设计，采用4纳米控制器及D2C液冷技术，能效较前代提升1.8倍。

    利多

    高端SSD市场，但新产能释放初期对现货价格影响中性。

    PCIe 6.0 SSDEnterprise SSDV-NAND FlashSamsung Electronics快科技新品发布