台积电应英伟达要求评估进军先进存储芯片领域，3D DRAM为潜在切入点，尚未作出生产承诺

发生了什么

据The Information周五报道，台积电正应英伟达要求，评估生产先进存储芯片的可行性，核心技术方向为三维动态随机存取存储器（3D DRAM），作为潜在的切入点。若计划落地，台积电将从逻辑芯片代工延伸至存储领域，并在AI硬件供应链中扮演更核心角色，有望在中长期缓解供应紧张局面。但台积电目前尚未作出任何生产承诺，报道亦未披露具体时间表、投资规模或产能目标。背景方面：此轮存储芯片短缺的成因之一，是AI基础设施建设的债务驱动式投资热潮大幅拉升了对高带宽存储器的需求；短缺已对全球主要设备制造商利润率构成压力，并推高苹果iPhone、索尼PlayStation等终端售价；台积电股价本周随Taiex大幅下挫，Taiex周五盘中一度暴跌近9%，跌入熊市区间，创2001年以来最差单周表现；大陆长鑫存储亦计划扩大产能；此外本周民主党横扫美国国会两院后，AI企业与投资者担忧潜在的数据中心建设限制措施可能拖慢AI投资节奏，为需求前景增添不确定性。

影响与信号

受影响器件与厂商

来源与时间

来源：华尔街见闻 · 2026/11/6 · 查看原始来源