NuAxi半导体贸易情报

4F²有望使DRAM单元面积缩小33%，美光对4F²说不，SK海力士在财报电话会议上释放信号计划推进6F²架构，同时继续探索4F²与3D DRAM

发生了什么

据TrendForce于2026年10月28日9:37 AM发布的消息，4F²技术有望使DRAM单元面积缩小33%，但并非所有存储大厂都确信这是未来方向。美光对4F²表示拒绝，而SK海力士则保持开放态度：在今日的财报电话会议上，这家韩国存储大厂释放了推进其已验证的6F²架构的信号，同时继续为未来探索4F²和3D DRAM。

影响与信号

低影响影响力评分：20/100

受影响器件与厂商

4F² DRAM cell architecture6F² DRAM architecture3D DRAM

Micron SK hynix

DRAM4F²6F²3D DRAMtechnology roadmapearnings call

来源与时间

来源：TrendForce Official (Market Data) · 2026/10/28 · 查看原始来源

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