NuAxi Stream - 实时半导体情报

10月21日周三

8 条

21:25影响评分 30
Impulse Embedded重新推出VELA系列：采用研华硬件、英国现货可组装的工业电脑、GPU系统与服务器
Impulse Embedded Ltd宣布重新推出“VELA: Powered by Advantech”系列，为源自英国、有现货并可立即组装的工业电脑、GPU系统和服务器。系统由Impulse Embedded在英国配置和测试，采用研华工业计算硬件，客户可按应用需求选择处理器、内存、存储、显卡、操作系统、扩展和I/O等选项。该系列分为四档：VELA IPC面向通用工业计算，可含13代Intel Core处理器、工业级DDR4内存；VELA Performance可结合13代Intel Core i7或i9、最高128GB工业级DDR4内存和最高2TB PCIe Gen4 NVMe存储，并可指定RAID存储选项；VELA GPU面向AI模型训练、AI推理、机器视觉等依赖专用图形或并行处理的负载，提供塔式和4U配置；VELA Server提供服务器级处理，有塔式、1U、2U和4U格式，网络选项可扩展至100GbE，部分配置支持RDIMM内存、RAID存储和冗余电源。两家公司合作已超过20年。原文未说明该重新推出事件的特定原因，但引述表明其目的在于提供可按确切需求定制的系统，并避免定制计算常见的长交期。
industrial PCs GPU systems serversImpulse Embedded Ltd、Advantech
18:13影响评分 45
QYResearch：2025年全球汽车印刷电子市场销售额达35.45亿美元，预计2032年达66.24亿美元，CAGR为9.3%（2026-2032）
据QYResearch（北京恒州博智国际信息咨询有限公司）的统计及预测，2025年全球汽车印刷电子市场销售额达到了35.45亿美元，预计2032年将达到66.24亿美元，年复合增长率（CAGR）为9.3%（2026-2032）。报告指出，汽车印刷电子单件价格通常约为3–15美元，简单印刷加热元件与15–40美元的多层模内电子控制面板存在明显价格差异。该技术通过印刷工艺将功能材料沉积于柔性、刚性、模塑或三维基材上，应用于触控传感器、加热元件、天线、照明电路、显示、人机交互及传感等功能，并向智能内饰、智能表面、车辆通信、热管理及ADAS感知系统延伸。报告将市场按电子功能（触控与人机交互、加热、照明、传感、天线与射频等）、集成结构（柔性印刷电子、模内电子、三维共形电子、混合印刷电子）和印刷线宽（＜100 μm至＞1,000 μm）细分，并分析北美、欧洲、中国、日本、东南亚和印度等地区现状及发展趋势，列出TactoTek、LEONHARD KURZ、Nissha、Canatu、PolyIC等主要企业。此为研究机构的市场预测报告，并非已实现的业绩或价格变动。
汽车印刷电子（automotive printed electronics）TactoTek Oy、LEONHARD KURZ Stiftung & Co. KG 等 24 家
15:39影响评分 45
AMD与Intel联手推进x86 CPU的AI开发
AMD与Intel于当地时间10月20日宣布，将把双方在PyTorch中的x86 CPU优化工作整合到oneAPI深度神经网络库（oneDNN）中，以简化x86中央处理器（CPU）的人工智能开发。该举措旨在减少AI生态系统的碎片化，并使优化技术更易于获取，让开发者能够更轻松地在AMD和Intel CPU上构建、维护和部署AI应用。oneDNN是一个开源深度学习加速库，最初由Intel开发，现由Linux基金会旗下的UXL基金会管理。此外，AMD与Intel还在AI计算扩展（ACE）方面开展合作，这是x86指令集架构（ISA）的下一代扩展，旨在加速AI计算中的基本运算——矩阵乘法，该技术将通过未来的oneDNN更新集成到PyTorch中。
x86 CPUsAMD、Intel并购合作
15:01影响评分 10
FTCO与数字孪生加速光子集成电路制造感知仿真：工作流程整合GDS版图导入、3D工艺仿真、GPU加速FDTD、实验设计与AI代理建模
Semiconductor Engineering发布一篇技术文章，介绍利用FTCO与数字孪生加速光子集成电路的制造感知仿真。文章描述的制造工作流程包括：GDS版图导入、3D工艺仿真、GPU加速的FDTD、实验设计（DOE）以及基于AI的代理建模。原文未说明原因，也未提供任何价格、产量、公司或供应链数据。
photonic integrated circuits
12:17影响评分 45
AMD将把ZenDNN优化技术全面整合进Intel主导的oneDNN开源深度学习库，oneDNN成为PyTorch在x86 CPU上的默认加速后端
据快科技10月21日报道，在x86生态咨询小组（EAG）的推动下，AMD与Intel近日宣布了一项合作：AMD将把其ZenDNN优化技术全面整合进Intel主导的oneDNN开源深度学习库，整合后oneDNN成为PyTorch在x86 CPU上的默认加速后端，开发者不再需要为两家处理器分别维护两套软件路径。此前oneDNN由Intel开发并针对自家芯片深度调优，AMD另维护兼容oneDNN API但内核专为Zen架构编写的ZenDNN分支，混合部署AMD与Intel CPU的服务器集群中开发者需按硬件选择不同库构建。整合后AMD的Zen专属优化将向上游合并至oneDNN主干，开发者依赖一个统一库即可在任意x86芯片上获得最优执行路径。AMD同时以指导委员会成员身份加入管理oneDNN的UXL基金会，从外部贡献者变为核心决策方之一；Intel数据中心战略项目副总裁Jeff McVeigh表示开发者不应为发挥x86 CPU最佳性能而被迫思考独立的软件路径。两家公司还正在联合推进AI Compute Extensions（ACE）矩阵乘法扩展指令集，借助统一的oneDNN，ACE在PyTorch中的支持只需集成一次，而非在两家各自代码路径中重复实现。
ZenDNN oneDNN PyTorchAMD、Intel并购合作
03:59影响评分 25
Guerrilla RF扩展GaN设计支持并开始送样新的高功率器件（GRF0005/GRF0012仿真模型上线Modelithics COMPLETE Library）
位于美国北卡罗来纳州格林斯伯勒的Guerrilla RF Inc (GRF)（为无线应用提供射频集成电路(RFIC)和单片微波集成电路(MMIC)）表示，其GRF0005和GRF0012氮化镓(GaN)功率晶体管的新型非线性仿真模型现已在Modelithics COMPLETE Library中提供；公司同时扩展GaN设计支持并开始送样新的高功率器件（据标题）。原文未说明原因，也未给出具体日期或数量。
GaN power transistorsGuerrilla RF Inc (GRF)
03:05影响评分 60
马斯克目标Terafab芯片于2028年第三季度量产，2027年年中前产出首款SRAM测试芯片
据路透社报道，马斯克在一场SpaceX电话会议上表示，其半导体制造项目Terafab目标在2028年第三季度实现量产，但他承认第三或第四季度均有可能，并称该时间表“非常激进”，因为美国的先进逻辑芯片工厂通常需要三年或更长时间建造。在量产之前，Terafab计划于2027年5月或6月前后在奥斯汀研发设施生产首款使用SRAM电路的功能性测试芯片。设备供应仍是主要挑战，尤其是来自ASML以及Applied Materials、KLA等美国供应商；当被问及SpaceX是否已向ASML订购EUV光刻机时，马斯克未直接回答，但感谢ASML等供应商加快设备交付。据路透社报道，ASML预计即使计划扩大EUV产能，到2028年需求仍将超过供给。据The Elec报道，特斯拉和SpaceX正与韩国半导体材料、零部件和设备供应商洽谈建立Terafab供应链，多家公司已签署保密协议，其中HPSP和Hanmi Semiconductor是仅有的两家被公开与Terafab联系在一起的韩国设备供应商；但据报道Terafab寻求比中国竞争对手更低的价格。关于制造伙伴，TSMC董事长兼CEO魏哲家确认双方仍在讨论，但强调任何涉及TSMC的工厂必须由TSMC运营，这与马斯克10月7日关于其公司将自建自营Terafab（可能允许TSMC转租空间而不承担运营角色）的说法存在分歧；另据路透社援引彭博报道，Intel CEO陈立武表示公司将继续参与Terafab。
SRAM test chip advanced logic chips EUV lithography systemsTerafab、Tesla 等 10 家产能变化
00:30影响评分 40
复旦大学衍生公司Nexilumen推进Micro LED光互连，16通道阵列实现37 Gbps带宽，五通道WDM密度约201 Gbps/mm²
复旦大学衍生公司Nexilumen在Micro LED光互连方面取得新进展，通过空分复用（SDM）与波分复用（WDM）提升聚合带宽。其16通道Micro LED阵列实现37 Gbps数据速率；SDM方案采用集成16个独立驱动像素的4×4绿色Micro LED阵列，每像素平均数据速率约2.3 Gbps，16通道同时工作实现37 Gbps聚合速率。WDM方案在单块硅衬底上集成紫色、蓝色、绿色InGaN Micro LED以及黄色和红色混合Micro LED/量子点像素，在320×290μm面积内容纳五个独立驱动的波长通道，五通道实现18.66 Gbps数据速率，按总发光芯片面积计算对应约201 Gbps/mm²的数据速率密度。该公司此前在Nature Communications发表的研究中，通过通信链路与算法优化，在1.5 Gbps通信速率下实现0.056 pJ/bit的发射机能量效率。在CIOE 2026上，Nexilumen展示了长波长InGaN Micro LED、405 nm高速光源和多通道并行光链路，其中长波长器件在6.25 A/cm²电流密度下实现2.85 GHz电光调制带宽，405 nm光源在全工作电流范围内保持3 GHz以上调制带宽。公司正计划开发并验证目标1.6 Tbps的原型光互连系统，并聚焦面向短距互连（包括CPO和芯片间光I/O）的Micro LED光源、驱动器和系统方案。2026年7月，Nexilumen宣布完成由复旦创新和馥榕投资联合投资的数千万元种子轮融资。
Micro LED optical interconnect green Micro LED array InGaN Micro LEDsNexilumen

10月20日周二

12 条

23:03影响评分 55
宜鼎推出DDR5 8000 RDIMM，速度8000 MT/s（较上代高11.1%）、容量16GB–64GB，面向边缘AI与企业服务器，并计划2027年一季度推出更多DDR5 8000模组
宜鼎（Innodisk）宣布扩展其DDR5产品组合，推出8000 RDIMM，面向边缘AI和企业服务器等计算密集型应用。该模组数据传输速度为8000 MT/s，比上一代高11.1%，容量范围从16GB到64GB。模组集成TVS（瞬态电压抑制）二极管和eFuse保护，以降低电压波动和异常供电状况导致系统故障的风险；并配备30μ”金手指和防硫化保护，以提升接触耐久性和耐腐蚀性。规格包括288pin、x80总线宽度、1.1V电压、工作温度0°C~95°C (Tc)。宜钉还计划在2027年第一季度推出更多DDR5 8000模组，包括CUDIMM、CSODIMM、ECC CUDIMM和ECC CSODIMM。
DDR5 RDIMMInnodisk
22:38影响评分 40
Vox Power发布EIRE600：紧凑型600W开放式5英寸×3英寸AC/DC电源，超低1.1英寸高度
Vox Power于2026年10月20日发布消息，宣布扩展其单输出AC/DC电源EIRE家族，推出紧凑型600W电源EIRE600，尺寸仅5×3英寸，超低1.1英寸高度。该产品在强制风冷或传导冷却下可满额输出600W；在无风扇自然对流（115V AC）下可提供最高450W；针对短时更高功率需求，可在3秒内提供最高750W。效率最高达96%，支持2 MOPP隔离、BF级输出，以及Class I和Class II安装；通用85–264VAC输入，设计可在最高5,000米海拔和最高+85°C环境温度（需适当降额）下工作。提供12V、24V、36V和48V四种标准输出电压，并配备5V/2A偏置电源和12V辅助风扇输出，以及远程检测、AC_OK和禁止功能；主输出禁止时待机功耗约为200mW。EIRE600面向工业和医疗应用，通过Vox Power及其全球分销和代理网络供货。
AC/DC power supplyVox Power
22:30影响评分 30
SECO宣布Modular Vision 10.1 MX95从早期试用预购阶段进入量产供货（2026年10月20日）
SECO于2026年10月20日宣布，其Modular Vision 10.1 MX95已从早期试用预购阶段进入量产供货阶段。该平台基于NXP i.MX 95应用处理器，面向开发和升级工业人机界面（HMI）的OEM与系统集成商，集成10.1英寸触摸显示屏（亮度≥400尼特、背光寿命≥30,000小时）、最高2.0 TOPS/8 eTOPS的AI加速能力，具备前面板IP65防护、集成热管理和宽直流输入范围，并集成支持FIPS 140-3合规的硬件安全能力。平台搭载SECO基于Yocto的工业操作系统Clea OS。提供4 GB RAM/16 GB eMMC和8 GB RAM/64 GB eMMC两种配置，并可通过DigiKey购买，满足小批量需求的集成、验证和初期部署且无交货周期。
Modular Vision 10.1 MX95 NXP i.MX 95 applications processor 10.1-inch touch displaySECO、NXP 等 3 家
21:33影响评分 50
理想汽车“连山”完整自研三电技术体系发布，覆盖电池、电驱、充电网络
10月20日，在理想汽车Power Day电动技术发布会上，理想汽车发布了“连山”完整自研三电技术体系，包含连山电池、连山电驱和充电网络。理想还发布连山电池保障计划，包含电池不自燃终身保障和碰撞不起火终身保障两项终身保障。据介绍，连山电池具备长寿命特性，采用高稳定正极、低锂耗负极设计，搭配电解液双配方长寿命技术，支持持续动态修复；官方表示电芯材料级改善+电池包高度集成+整车级调度=全系车型续航提升，连山电池全系8年或16万公里电池健康度≥75%。连山电驱采用自主专利CAR119铸铝转子材料，城市纯电续航提升超15km、高速纯电续航提升超8km；理想将传统功率模块系统性重构，让电流直通芯片，续航提升30km，同时头部空间释放24mm；理想认为下一代电驱系统体积不变大，动力续航一起涨。充电网络方面，理想超充站已突破4200座，实现城市、高速、景区全覆盖，打通“12纵13横”高速公路，年内达成平均100km一个站，设备可用率99.9%，可提前看场站实况，高流量高速超充站节假日有专人值守。
电池电驱充电网络理想汽车
21:00影响评分 40
ASML与Xanadu合作研究先进光刻工艺以抑制光子量子计算中的光子损耗，为研究性质，未指定生产节点或数值损耗目标
ASML与Xanadu宣布开展合作，研究先进光刻工艺能否抑制光子量子计算中最关键的工程限制之一——光子损耗。双方将针对Xanadu的光子量子硬件研究先进光刻工艺，重点考察更严格的图形化控制能否抑制损耗机制并改善容错、实用规模机器的前景。该合作计划特别将光学损耗与线边缘粗糙度（LER）联系起来：光刻定义波导及其他纳米光子结构的横向边界，实际边缘中的纳米级偏差会扰动波导折射率边界，将导光耦合到辐射模式或产生背散射，导致传播损耗。ASML贡献光刻成像、工艺窗口、计量和计算校正方面的专长，Xanadu贡献器件需求、光子电路设计和量子级性能数据。原文明确指出：该合作并不意味着ASML在制造量子计算机，公告也未指定生产节点、工具平台或数值损耗目标；这是一项研究工作，旨在理解哪些光刻手段可以制造更低损耗的光子结构，近期成果是工艺知识而非成品容错机器。成功还将取决于封装、光纤到芯片耦合、探测器效率和光源质量，这些仅靠光刻无法解决。
photonic quantum hardware photonic waveguides nanophotonic structuresASML、Xanadu并购合作
19:00影响评分 20
MEMS开关在AI驱动光网络与数据中心日益普及，被视为半导体开关的可靠替代品
文章介绍MEMS（微机电）开关正受到关注，称其在AI驱动的光网络、数据中心及其他领域日益普及，并被视为半导体开关的可靠替代品。光MEMS开关（光路交换机OCS）通过微镜阵列直接路由光信号，省去光电转换，可节省数据中心成本与功耗，分为2D和3D两类；RF MEMS开关分为欧姆（DC接触）和电容两类，可替代PIN二极管和FET。文中称MEMS开关比半导体对应产品小90-95%。同时指出局限：开关速度较半导体开关慢微秒级、需要高驱动电压、运动部件会磨损、需密封防潮；高效MEMS开关仍处于企业和供应商的研发阶段，AC/DC高功率处理系统尚待商业化。文中未提及任何价格、产量或订单数据。
MEMS switch optical MEMS switch (OCS)RF MEMS switch
19:00影响评分 10
技术综述：仿真驱动SiC与GaN变换器热建模，WBG性能主要受发热位置与封装散热制约
这是一篇技术综述性文章（非市场事件），介绍以仿真为主的SiC和GaN功率变换器热建模方法。文章指出，宽禁带（WBG）器件开关速度更快、击穿电压更高、单位面积导通电阻更低，但热量集中在极小区域，局部热流密度可达每平方厘米数千瓦；若散热不当，可能导致热失控、栅氧化层退化、焊点开裂和灾难性器件失效。一篇发表于MDPI期刊Electronics的综述强调，WBG性能主要受器件内发热位置和封装散热有效性制约，而非仅取决于半导体本身的电气特性。文章说明4H-SiC在室温下热导率约为硅的3倍（约490 W/m·K 对 150 W/m·K），但工作时随温度按非线性规律显著下降；横向GaN HEMT的热量集中在栅极边缘附近微观区域，易形成局部热点，热建模需在栅漏区采用高空间分辨率。仿真工具链分三层：器件与封装级3D FEA/CFD仿真（如Ansys Icepak、Siemens Simcenter Flotherm）、降阶模型（Cauer/Foster RC网络ROM，Siemens的Embeddable BCI-ROM技术可在保护IP的前提下共享封装热模型），以及系统级电热协同仿真。文中举例Onsemi与Ansys开发了多保真热建模流程用于验证工业应用中的SiC MOSFET功率模块，并介绍了基于机器学习的快速结温估计方法。原文未涉及价格、产能、供需或任何市场变化。
SiC GaN
18:48影响评分 40
EPC的EPC2361 100V eGaN FET用于ADI 4kW高效降压-升压转换器参考设计
总部位于美国加州El Segundo的Efficient Power Conversion Corp（EPC）表示，其EPC2361 100V eGaN FET已被用于Analog Devices Inc（ADI）的一款高性能降压-升压转换器参考设计，该设计支持4kW功率、高效率。EPC主营用于电源管理应用的增强型氮化镓硅（eGaN）功率场效应晶体管（FET）及集成电路。此为设计应用合作信息，原文未给出价格、供应或需求数据。
100V eGaN FETs (enhancement-mode gallium nitride on silicon power FETs)Efficient Power Conversion Corp (EPC)、Analog Devices Inc (ADI)并购合作
17:44影响评分 30
QYResearch：2025年全球半导体先进封装设计服务市场规模约451.5亿美元，预计2032年达834.5亿美元，2026-2032年CAGR为9.2%
QYResearch（2026年10月发布）调研显示，2025年全球半导体先进封装设计服务市场规模大约为451.5亿美元，预计2032年将达到834.5亿美元，2026-2032期间年复合增长率（CAGR）为9.2%；该预测为综合历史发展、行业专家观点及分析师观点给出的预测，报告同时提示未来几年行业具有很大不确定性。报告历史数据为2021至2025年，预测数据为2025至2032年。该服务覆盖2.5D封装、3D封装、Chiplet异构集成、晶圆级封装、扇出型封装及系统级封装（SiP）等技术，按单封装集成芯片数量分为2–4颗、5–8颗、9–16颗及16颗以上四类，下游应用包括人工智能芯片、高性能计算芯片、通信芯片、汽车电子芯片、消费电子芯片及工业控制芯片。报告研究企业名单包括Amkor Technology、Cadence Design Systems、Synopsys、台积电、ASE Technology、长电科技、通富微电等27家企业。此为市场研究报告内容，不涉及具体价格变动、产能变化或企业事件。
半导体先进封装设计服务 2.5D封装 3D封装Amkor Technology、Cadence Design Systems 等 27 家
16:15影响评分 55
深科技成立半导体封测公司，注册资本5亿元
据天眼查App显示，近日深圳沛顿半导体封测有限公司成立，法定代表人为王海兰，注册资本5亿人民币，经营范围包括集成电路制造、集成电路芯片设计及服务、电子元器件制造、电子产品销售、普通货物仓储服务等。股东信息显示，该公司由沛顿科技（深圳）有限公司全资持股，沛顿科技则由深科技（深圳长城开发科技股份有限公司）全资持股。原文未说明该公司具体产能规划或投产时间。
集成电路深科技（深圳长城开发科技股份有限公司）、沛顿科技（深圳）有限公司等 3 家产能变化
15:48影响评分 55
增幅3980%：英特尔半导体（大连）有限公司注册资本增至8.16亿美元，与已出售给SK海力士的NAND闪存业务并非同一实体
10月20日消息，英特尔半导体（大连）有限公司于10月14日完成工商变更，注册资本从2000万美元增至8.16亿美元，增幅达3980%，原文未说明增资原因。该公司成立于2006年6月，经营范围覆盖半导体集成电路产品的制造、封装测试、加工、仓储及销售，由英特尔（中国）有限公司全资持股。此次增资主体需与英特尔已出售的NAND闪存业务作区分：2020年10月，SK海力士宣布以90亿美元（约合602.43亿元人民币）收购英特尔的NAND闪存及SSD业务，交易涵盖大连NAND闪存制造工厂；承接该资产的法律实体原名为“英特尔半导体存储技术（大连）有限公司”，于2025年3月完成股权交割，随后更名为“爱思开海力士半导体存储技术（大连）有限公司”，由SK海力士方面全资持有。本次注册资本变动发生在另一家由英特尔中国全资持有的原有公司主体上，两者并非同一法律实体。
半导体集成电路产品英特尔、SK海力士
13:37影响评分 40
Gaonchips将使用三星8纳米工艺开发下一代无人机AI芯片
Gaonchips于10月19日表示，将参与为韩国航空工业（KAI）运营的下一代无人系统开发人工智能（AI）半导体。该项目为KAI主导的空中无人平台项目，隶属于产业通商资源部（MOTIR）支持的K-On-Device AI半导体技术开发项目，Supergate为首席开发商。项目目标是开发一款作为下一代消耗型无人机“大脑”的AI片上系统（SoC），通过在设备端处理使无人机即使在通信中断或受限的环境下也能运行AI并独立执行任务。Gaonchips将使用三星电子的8纳米代工工艺实现自主研发的神经处理单元（NPU）和雷达信号处理技术，并负责整个芯片的物理设计和最终设计验证；KAI负责无人平台的系统集成与验证，Supergate主导AI芯片架构设计和软件开发。Gaonchips曾开发并量产5nm端侧AI半导体，并参与面向日本客户的2nm GAA工艺及2.5D封装AI加速器设计项目。
AI SoC (AI system-on-chip)neural processing unit (NPU)Gaonchips、Korea Aerospace Industries (KAI) 等 4 家并购合作

Analog	$0.68	−5.9%
连接器	$0.75	+0.2%
CPU	$386.74	−21.3%
DDR4	$88.40	−0.2%
DDR52026-W13	$14.89	−11.2%
GPU	$478.20	+8.2%
MCU	$0.68	−61.7%异常波动
MLCC	$0.01	+54.0%异常波动
MOSFET	$0.12	−82.8%异常波动
PMIC2026-W13	$0.44	−12.5%
SSD/HDD	$288.43	暂无

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10月21日周三

Impulse Embedded重新推出VELA系列：采用研华硬件、英国现货可组装的工业电脑、GPU系统与服务器

QYResearch：2025年全球汽车印刷电子市场销售额达35.45亿美元，预计2032年达66.24亿美元，CAGR为9.3%（2026-2032）

AMD与Intel联手推进x86 CPU的AI开发

FTCO与数字孪生加速光子集成电路制造感知仿真：工作流程整合GDS版图导入、3D工艺仿真、GPU加速FDTD、实验设计与AI代理建模

AMD将把ZenDNN优化技术全面整合进Intel主导的oneDNN开源深度学习库，oneDNN成为PyTorch在x86 CPU上的默认加速后端

Guerrilla RF扩展GaN设计支持并开始送样新的高功率器件（GRF0005/GRF0012仿真模型上线Modelithics COMPLETE Library）

马斯克目标Terafab芯片于2028年第三季度量产，2027年年中前产出首款SRAM测试芯片

复旦大学衍生公司Nexilumen推进Micro LED光互连，16通道阵列实现37 Gbps带宽，五通道WDM密度约201 Gbps/mm²

10月20日周二

宜鼎推出DDR5 8000 RDIMM，速度8000 MT/s（较上代高11.1%）、容量16GB–64GB，面向边缘AI与企业服务器，并计划2027年一季度推出更多DDR5 8000模组

Vox Power发布EIRE600：紧凑型600W开放式5英寸×3英寸AC/DC电源，超低1.1英寸高度

SECO宣布Modular Vision 10.1 MX95从早期试用预购阶段进入量产供货（2026年10月20日）

理想汽车“连山”完整自研三电技术体系发布，覆盖电池、电驱、充电网络

ASML与Xanadu合作研究先进光刻工艺以抑制光子量子计算中的光子损耗，为研究性质，未指定生产节点或数值损耗目标

MEMS开关在AI驱动光网络与数据中心日益普及，被视为半导体开关的可靠替代品

技术综述：仿真驱动SiC与GaN变换器热建模，WBG性能主要受发热位置与封装散热制约

EPC的EPC2361 100V eGaN FET用于ADI 4kW高效降压-升压转换器参考设计

QYResearch：2025年全球半导体先进封装设计服务市场规模约451.5亿美元，预计2032年达834.5亿美元，2026-2032年CAGR为9.2%

深科技成立半导体封测公司，注册资本5亿元

增幅3980%：英特尔半导体（大连）有限公司注册资本增至8.16亿美元，与已出售给SK海力士的NAND闪存业务并非同一实体

Gaonchips将使用三星8纳米工艺开发下一代无人机AI芯片

芯片拆解室已拆 1 台

器件价格指数NPI，较上期

热门器件

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10月21日 周三

10月20日 周二

芯片拆解室已拆 1 台

器件价格指数NPI，较上期

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10月21日周三

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