英飞凌与Wolfspeed的长期供应协议扩大并延长至8英寸碳化硅晶圆
英飞凌根据一项扩大并延长的长期供应协议，从Wolfspeed获得8英寸碳化硅(SiC)晶圆供应。该协议使这家德国芯片制造商为其SiC晶圆厂转换所需的更大尺寸衬底获得了另一个供应来源；对这家美国材料供应商而言，该协议意味着一家顶级客户在其财务重组约一年后作出的采购承诺。
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英飞凌根据一项扩大并延长的长期供应协议，从Wolfspeed获得8英寸碳化硅(SiC)晶圆供应。该协议使这家德国芯片制造商为其SiC晶圆厂转换所需的更大尺寸衬底获得了另一个供应来源；对这家美国材料供应商而言，该协议意味着一家顶级客户在其财务重组约一年后作出的采购承诺。
快科技10月19日消息，在2026年OCP全球峰会上，英特尔分享其硅光子愿景并提出“金锤子”战略：宣称自己是唯一能够以300毫米磷化铟（InP）硅光子技术大规模服务整个行业的高量产晶圆厂，这些300毫米晶圆将承载面向高性能计算（HPC）和人工智能（AI）领域未来NPO与CPO功能所需的尖端硅材料。数据中心系统与解决方案副总裁尼克·杜贝称硅光子为下一代系统的“金锤子”，并表示关于硅光子成为行业标准的讨论已持续一段时间，英特尔及其团队正夜以继日地工作，力求在未来几年内将其变为现实——此为愿景与计划，尚未实现。原文给出的原因是：行业在传输距离、带宽密度和每比特能耗方面正触及极限，而硅光子能够同时解决这些问题。英特尔还表示拥有可构建可靠硅光子平台的集成工具（如集成激光器，可实现无需维护的集成光源），并将推动外部光源社区标准以提供美国晶圆厂制造的多波长光源；预计将显著降低所有数据传输的每比特能耗，估计光子学系统可使其降至每比特5皮焦耳以下；并认为硅光子将开辟一类新系统，在机架、节点和系统规模上实现更大灵活性与更好能效。上述均为英特尔的宣示与预期，不构成已实现的结果。
据《工商时报》援引机构投资人消息，谷歌TPU v9项目（由联发科参与）的初步tape-out可能因设计修改推迟至2027年1月，出货可能推迟至2028年第一季度；2026年11月的送样目标保持不变，生产版本tape-out预计在第二季度。报道称，谷歌TPU v9 Core A设计（代号Humufish）的修改使开发延迟约三周，影响联发科负责的Core B与I/O设计。另据TrendForce，该芯片预计采用英特尔的EMIB-T先进封装，基板良率仍是产能扩展与成本竞争力的关键挑战。据彭博援引消息人士，字节跳动接近达成协议采购联发科的数据中心芯片，有望成为继谷歌（Alphabet）之后联发科的第二个主要ASIC客户。台湾ASIC设计公司方面：GUC受云端客户CPU与ASIC项目支撑，9月营收达新台币71.45亿元，同比增长97.8%；Alchip因3nm AI加速器出货增加，9月营收达新台币99.79亿元，同比大增496%。Faraday已取得三星2nm工艺设计套件（PDK）以争取相关设计机会；据《工商时报》报道，三星4nm产能据称已被满载利用，促使部分AI ASIC客户评估其2nm节点。Faraday还完成了英特尔18A-P的设计环境搭建并开始提供设计服务，计划在2027年争取更多项目。《工商时报》援引机构投资人称，全球AI ASIC加速器出货量预计2027年达到1410万颗，同比增长约69%。
据Seoul Economic Daily报道（ZDNet曾在9月报道三星为定制HBM采取双轨策略，同时利用自家代工和竞争对手台积电），NVIDIA已要求三星、SK hynix和美光在其于8月发布的NVHBM基底层中采用台积电3nm工艺。据称三星设备解决方案（DS）部门经内部评估后同意了这一要求。报道给出的原因是：NVIDIA推动供应商间生产标准化以确保HBM性能一致并简化产品验证；此外行业估计台积电3nm良率超过90%，而三星代工2nm（SF2）工艺良率约为60%。NVHBM的定制基底层集成了传统上由GPU承载的内存控制器；据NVIDIA称，相比标准HBM4E，该技术提供最多30%的更高内存带宽、15%的更低HBM功耗和25%的更多XPU计算裸片面积。该合作并非全新：据Seoul Economic Daily，三星和台积电四年前首次合作以确保HBM与台积电GPU封装工艺兼容，此次是首次延伸至HBM制造。三星仍保留自有代工选项：由于台积电3nm产能面临AI加速器和智能手机芯片的竞争需求，三星正在2nm工艺上验证NVHBM基底层生产，作为台积电产能受限时的潜在替代方案。台积电在10月15日的财报电话会议上提示3nm产能紧张，该节点占第三季度晶圆销售额的33%，为其所有工艺节点中最大份额；据Economic Daily News，董事长兼CEO魏哲家宣布在台南再建一座3nm晶圆厂的计划（叠加亚利桑那、日本熊本和台湾南部科学园区的现有扩建项目），新厂定于2028年上半年开始量产。三星还继续为标准HBM产品线自制基底层：今年早些时候进入量产的HBM4和正在进行生产验证的HBM4E均使用三星代工4nm工艺制造基底层，其核心裸片在其华城和平泽园区的1c DRAM产线上制造；三星计划对供应其他客户（包括AMD）的定制HBM保持基底层turnkey生产方式。
在2026年开放计算项目（OCP 2026）全球峰会上，英特尔展示了硅光子技术发展蓝图，数据中心系统与解决方案公司副总裁尼克·杜贝将硅光子形容为下一代系统架构的“黄金之锤”，并称英特尔是目前唯一能够大规模量产300毫米磷化铟（InP）硅光子晶圆的高产能代工厂。原因方面，源文称传统铜线互连正日益逼近物理极限，在传输距离、封装边缘带宽密度及每比特传输能耗等方面面临瓶颈，数据中心架构需向光互连演进，能耗目标推进至低于5皮焦耳每比特。英特尔指出，当前光学收发器市场中激光芯片与磷化铟材料产能长期供不应求，其将磷化铟光源技术直接整合进300毫米硅晶圆制程以提升制造效率与产能规模；自2016年投入商用以来，已累计出货超过800万个光学收发器和3200万个集成激光器。英特尔正依托300毫米硅光子制程与集成磷化铟光源技术推动共封装光学（CPO）与近封装光学（NPO）发展。
据业内分析和摩根大通报告，台积电正考虑加快其代号A14（Angstrom）的1.4纳米工艺量产计划：按目前计划预计2027年第三季度进入试产阶段，目标2028年上半年启动大规模生产，并可能在2028年下半年开始贡献营收；此前市场普遍预期其2028年下半年才开始生产1.4纳米晶圆，但随着AI芯片需求在2026年和2027年持续供不应求，台积电面临提前扩充先进制程产能的压力，据称将依靠四座工厂共同承担1.4纳米产能建设。苹果预计成为首批采用该工艺的客户之一，分析人士认为若台积电2028年实现量产，苹果可能在同年或随后推出基于该工艺的A22 Pro芯片；另有消息称苹果可能在仅经历两代2纳米产品后便转向1.4纳米。目前估计每片1.4纳米晶圆制造成本高达4.5万美元，高通、联发科等厂商可能选择在2纳米工艺上停留更长时间而非迅速跟进。上述内容均为计划或分析预期，尚未实施。
据报道，日本经济产业省近日宣布，已批准台积电在熊本县第二工厂生产3纳米制程先进半导体的计划，这将是日本国内首度制造3纳米制程晶片。根据新生产计划，3纳米制程晶片的月产能为6000片。台积电原拟在该工厂制造6纳米与12纳米等制程的半导体，本次更改生产计划的原因是研判到AI需求增加，因而切换成更高性能的产品。该事项目前处于获批计划阶段，尚非已实现的生产结果。
10月6日，由于担忧ASML可能进入混合键合设备市场以及HBM相关设备需求延后，美国银行下调了荷兰封装设备厂商Besi的投资评级，当日Besi股价下跌5.39%；次日瑞银进一步下调评级，Besi股价再跌8.49%，短短两个交易日累计下挫约13.4%。ASML早在2025年就已交付面向先进封装的TWINSCAN XT:260光刻系统，今年又传出研发混合键合设备的消息，并与Prodrive Technologies、VDL ETG等长期供应商进行合作接洽；2026年5月15日公布的国际专利WO2026098870A1《Bonding Apparatus》申请人为ASML Netherlands BV，但ASML尚未公开确认其混合键合设备的商业交付时间、客户认证进度或量产性能。10月1日，应用材料与Besi升级合作，Besi将成为应用材料位于硅谷的EPIC研发中心创新合作伙伴，该中心规划投资规模最高约50亿美元，投资将随客户项目推进逐步展开；五天后应用材料又宣布与英特尔深化合作，研发范围覆盖下一代晶体管、片上互连以及Foveros 3D先进封装。2026年3月，路透社援引知情人士报道称Besi因混合键合技术受到潜在收购方关注，Lam Research和应用材料均在相关名单中，但截至目前公开报道并未证实相关收购交易最终达成。此外，2026年5月Imec与EV Group宣布在晶圆到晶圆混合键合研究中实现200nm铜互连间距，300mm晶圆上所有测试芯片键合后铜焊盘叠对偏差低于40nm。大规模混合键合设备订单真正释放的时间仍受下游技术路线与量产进度制约。
10月18日消息，据日本经济产业省官网公示，台积电控股的在日合资子公司JASM第二晶圆厂转产3nm的计划已获批准。该厂原规划生产40nm、12nm、6nm，总月产能6.3万片晶圆（40nm月产1.5万片、12nm和6nm合计月产4.8万片），现调整为仅生产3nm，月产能6,000片晶圆，项目预计2028年12月完工，同月投产。原文未说明调整原因。JASM同时调整了已量产的第一晶圆厂规划：原计划生产22/28nm和12/16nm芯片，设计产能5.5万片晶圆；现舍弃12/16nm节点，调整为月产4.5万片22/28nm晶圆和5,000片40nm晶圆。
10月18日消息，据 Tweaktown 报道，一名韩国半导体工程师（X 平台账号 @TTHUEONE）指控，特斯拉在与三星签订芯片代工协议时试图争取极为优厚的条款：既要获取敏感的制造工艺信息、审计权限，同时还要求压低报价；该工程师还称特斯拉的 Terafab 项目从三星位于得州泰勒的工厂挖走了大量员工。特斯拉与三星均没有对该指控予以证实或否认，原文未说明原因的指控真实性尚无定论。报道称，争议核心的代工合同方面，特斯拉 AI5 芯片已在三星泰勒工厂试生产，目标在 2027 年实现量产，算力目标为 2000 至 2500 TOPS；马斯克称该芯片性能约为同级别英伟达芯片的三倍、成本仅为后者的十分之一，但这些数据尚未得到第三方独立验证；AI6 与 AI6.5 芯片预计将分别采用台积电和三星的 2 纳米工艺，内存容量降至 144GB。另据消息，三星已从韩国本土调派先进制程良率工程师前往泰勒工厂，为计划在 2027 年启动的 2 纳米芯片量产做准备。《Business Post》今年 3 月曾报道两座工厂地理位置邻近对三星构成结构性风险，彼时特斯拉已在为该项目招聘半导体研发工程师。
这是湖南贝哲斯信息咨询有限公司发布的半导体用高纯过氧化氢行业分析报告（2026版）的推广性介绍，不涉及具体价格变动或产能事件。报告称2025年全球半导体用高纯过氧化氢市场规模达 亿元（人民币），中国市场规模达 亿元（原文数值留空），并援引贝哲斯咨询预测称2032年全球市场规模将增长至 亿元，预测期间CAGR将达到 %（原文数值留空）。报告按产品等级细分为UP (SEMI G2)、UP-SSS (SEMI G5)、UP-S (SEMI G3)、EL (SEMI G1)、UP-SS (SEMI G4)，按终端应用细分为芯片、晶圆、其他；列出的中国行业内主要企业包括杭州精欣化工、晶瑞电材、Changchun Group、Solvay、MGC、Evonik、Arkema、OCI Company、Technic，并称报告包含2025年业务规模排行前三企业市场份额占比分析。市场规模的历年区间覆盖2020-2025年，预测区间为2025-2031年。原文未说明原因（本条无价格或供需变动事件）。
10月16日，据彭博社援引知情人士报道，软银集团正就收购美国最大安保服务公司Allied Universal展开初步洽谈（初步研究），潜在交易可能给Allied Universal带来最高180亿美元的股权估值；该公司还背负约120亿美元公开市场债务（涵盖贷款与债券两类工具），交易总价值或接近300亿美元。目前谈判仍处于初步阶段，包括最终价格在内的关键条款均未确定。消息传出后，软银ADR单日暴跌近10%，至每份14.72美元。报道称孙正义已将安保服务业务定位为检验其投资组合公司所开发机器人技术的关键试验场，但类人形安保机器人的实际应用仍需较长时间、相关技术尚未成熟。
据快科技10月17日消息，博主数码闲聊站公布的数据显示，截至W41周，华为Mate 90系列激活销量约为43.6万台，位居国产旗舰第一名。该系列包含五款机型：Mate 90、Mate 90 Pro、Mate 90 Pro Max、Mate 90 Pro Max典藏版和Mate 90 RS非凡大师。硬件方面，Mate 90标准版搭载麒麟9030芯片，Mate 90 Pro搭载麒麟9035芯片，Mate 90 Pro的12GB内存版本搭载麒麟9050，16GB版本、典藏版及RS版搭载麒麟9050 Pro芯片；麒麟9050 Pro首次采用逻辑折叠技术，不依赖更先进光刻节点。Mate 90系列起售价为5999元。原文未说明该销量数据的进一步原因或影响。
三星据报道将于今年11月在得克萨斯州泰勒为其第二座芯片厂（Taylor Fab 2）动工，量产目标定在2030年。DigiTimes援引韩国The Guru报道称，Fab 2面积约为270万平方英尺。三星似乎也已在10月15日厂址附近的一场活动上确认了该时间安排，三星Austin Semiconductor的Jonathan Taylor表示建设应于下月初启动，且Fab 2将比Fab One大1.5倍。Fab 2将采用的工艺尚未公布。作为背景，第一座泰勒厂（Fab 1）已大幅超出其原定的2024年目标，目前正进行分阶段认证，已安装设备开始运行；Fab 1采用EUV光刻用于三星2nm工艺，计划2026年底投入运营、2027年量产；其最知名客户为特斯拉，双方签署了至2033年、金额165亿美元的AI6芯片协议，三星还将在得州为特斯拉以2nm工艺生产AI5；两座厂之间订单如何分配尚不明确。三星计划在得州中部投资超过370亿美元，并获得最高47.45亿美元的CHIPS法案资金支持。鉴于Fab 1耗时之久，原文指出2030年量产目标将在很大程度上取决于需求。
Terafab 项目已获得 16.8 亿美元的一期资金（四期总额最高可达 119 亿美元）；其位于奥斯汀的研究晶圆厂正在每月处理几千片晶圆，迭代工艺配方、晶体管设计和封装变体，而格里姆斯县正在建设的产能晶圆厂目标是每月 10 万片晶圆起始量，首片硅预计在 2029 年交付，采用埃隆·马斯克所命名的英特尔 14A 工艺。站点和一期资金已获批准，研究晶圆厂正在施工，但尚未公开首片晶圆日期或所有权条款，且特斯拉和英特尔均未签订合约约束。文章认为，先进封装而非光刻将决定单屋顶概念是否盈利。
据Moore's Law Is Dead YouTube频道曝光的裸片照片，Intel即将推出的移动端"Nova Lake"系列芯片细节披露。其中"Nova Lake-HX"采用8+16+4核心配置（8个P-Core、16个E-Core、4个LPE-Core），总硅片尺寸为12x30毫米、合计360平方毫米，由六颗不同工艺节点的裸片组成：图形tile基于Intel 3-E节点，内含4个Xe GPU核心，面积约26平方毫米；21平方毫米的虚拟裸片用于封装结构完整性；72平方毫米的大裸片基于Intel 18A-P节点，承载4个LPE-Core并作为中央枢纽；另一颗58平方毫米的18A-P裸片作为外设控制tile；主计算tile由外部代工（TSMC N2P节点）承载8P+16E CPU核心配置，占最大面积104平方毫米；旁边还有85平方毫米的无源tile用于结构完整性和"Nova Lake-HX"芯片的预期运作。"Nova Lake-H"变体采用4+8+4配置（4个P-Core、8个E-Core、4个LPE-Core），封装明显更小，为12x23毫米、总面积276平方毫米；除主计算tile（TSMC N2P节点、4P+8E核心配置、55平方毫米）外，其余配置与HX相同，其相邻无源裸片仅45平方毫米，外设控制裸片、中央枢纽裸片和图形tile均采用Intel节点制造并与HX变体相同。
英飞凌科技与Wolfspeed签署一项多年期协议，以确保200mm碳化硅(SiC)晶圆的供应，支持其向更大直径制造的转变。该协议建立在两家公司20年合作关系的基础上，并将双方现有的晶圆供应安排从150mm衬底转向200mm衬底。
IBM与西门子宣布合作开展研究，以推进IBM的nanostack架构；该架构在其7埃节点上集成近1000亿颗晶体管。西门子方面贡献EDA、仿真与光刻方面的专业能力。原文未说明原因，亦未给出具体时间表或财务条款。
IBM 当地时间本月 14 日（IT之家 10 月 16 日报道）宣布，其计划在 2027 年第 1 季度发布适用于其 7A nanostack 尖端制程的早期研发 PDK（工艺设计套件），目前为计划状态。IBM 的 7A nanostack 在业内率先采用了不同于 FinFET 和 GAA FET 的 CFET 器件结构；欲在该制程上制造芯片必须先熟悉 CFET 实现的特征并适应其特性变化。该早期研发 PDK 将包含用于逻辑功能的示例标准单元库和一个示例 SRAM 设计，作为早期设计技术协同优化（DTCO）平台，并不会提供成熟商业 PDK 所包含的所有模型。电路设计人员可利用这份 PDK 研究布局和布线。IBM 在该 PDK 上的潜在合作方包括 Fabless 企业、EDA 供应商、设备供应商以及对技术开发感兴趣的研究机构。原文未说明原因。
Wolfspeed Inc（美国北卡罗来纳州达勒姆）与英飞凌科技（德国慕尼黑）签署了一项新的多年期协议，将两家公司之间现有的长期碳化硅（SiC）衬底供应安排从150mm直径晶圆过渡到200mm直径晶圆，并扩大和延长了该长期供应协议。原文未说明原因。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |