阿里巴巴玄铁RISC-V芯片累计出货突破6亿颗，拓展至AI服务器等领域
阿里巴巴达摩院的玄铁RISC-V处理器IP累计出货量已超过60亿颗，公司正从嵌入式应用扩展到AI计算、服务器、自动驾驶和机器人领域。
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阿里巴巴达摩院的玄铁RISC-V处理器IP累计出货量已超过60亿颗，公司正从嵌入式应用扩展到AI计算、服务器、自动驾驶和机器人领域。
据报道，英伟达成功从快速增长的人工智能初创公司Modal赢得中央处理器(CPU)芯片订单。Modal此前完全依赖英特尔和AMD芯片，这一订单初步表明，英伟达进军长期由英特尔和AMD这两家竞争对手主导的市场已取得成效。（消息来源：财联社；原文未说明原因）
36氪报道，创业板指涨超1%，沪指涨0.06%，深成指涨0.63%。板块方面，机器人、消费电子、PCB、半导体芯片、医药生物等方向涨幅居前；沪深京三市上涨个股近3800只。半导体芯片为涨幅居前的方向之一，原文未说明上涨原因。
村田制作所宣布开发出全球最小的008004英寸（0.25mm×0.125mm）NTC热敏电阻NCU01系列（该'全球最小'基于村田截至2026年10月19日的研究）。与村田此前最小的01005英寸（0.4mm×0.2mm）产品相比，新系列在实现等效温度感应性能的同时，将贴装面积减少约60%，电阻公差与B常数公差均为±1%。村田计划于2026年10月开始提供样品，并于2027年内启动量产；产品阵容将从100kΩ和10kΩ电阻值开始逐步扩充。主要应用包括智能手机、可穿戴设备电路板上的温度监测，以及IC封装和SiP模块。该开发声明属于计划性产品推进，样品与量产尚未实现。
近日披露的A股相关产业链上市公司三季报、业绩预告及快报显示，算力需求正加快转化为上市公司的经营增量和盈利弹性：服务器、计算与存储芯片销售增长，高端覆铜板、印制电路板等环节盈利改善，需求进一步向光通信及生产测试设备等多环节传导。中国人民大学重阳金融研究院研究员刘英表示，算力需求通过扩大服务器、芯片、光通信等产品采购，带动相关制造业生产增长，并进一步拉动研发、扩产及设备投入；工业投资向算力、半导体和高端装备等领域集聚。
苹果宣布将于10月28日举行名为“Apple Experience in Los Angeles”的产品发布活动，并于周一向媒体和分析师发出邀请，邮件中“Pro and tell”的表述暗示发布将聚焦搭载强大自研芯片的高端“Pro”设备。Melius Research分析师Ben Reitzes周一在报告中预计今年秋季将推出新款Mac，包括一款触屏笔记本；这将是上月接替Tim Cook出任首席执行官的John Ternus短暂任期内的第三场发布活动，此前两场分别发布了新款iPhone（包括折叠屏Duo）以及智能家居中枢和带屏音箱HomeView。苹果在8月为Mac Mini和Mac Studio更新了芯片，春季更新了MacBook Pro并推出MacBook Neo，而iMac自2024年10月以来未更新；最近一个季度Mac销售额约占整体营收的10%。活动尚未举行，触屏笔记本仅为分析师预期，原文未说明原因。
2026年OCP全球峰会于10月12日至15日在加利福尼亚州圣何塞举行，峰会凸显行业焦点从开放服务器硬件转向开放AI基础设施；机架级标准化目前正扩展到AI工厂的系统级协同设计。原文未说明原因。
快科技10月19日消息，华为畅享100系列正在路上，预计推出畅享100、畅享100 Pro和畅享100 Pro Max三款机型，新机将全系搭载麒麟芯片，支持5A、Wi-Fi 7和星闪技术。据数码博主“看山叔”透露的规格：畅享100 Pro Max配备6.84英寸OLED屏幕，最高亮度8000尼特，512GB版本搭载麒麟8020芯片，128GB和256GB版本采用麒麟8020A芯片，配备5000万像素RYYB主摄、800万像素前置摄像头、8800mAh电池，支持40W有线快充；畅享100 Pro搭载麒麟8020A芯片，采用6.7英寸OLED屏幕，后置5000万像素RYYB摄像头，前置升级至3200万像素，内置6100mAh电池，支持40W快充；标准版畅享100采用麒麟8000S芯片，6.56英寸LCD屏幕，后置1300万像素、前置800万像素摄像头，电池容量同为6100mAh，支持40W快充。华为尚未公布具体发布时间及售价，相关配置仍有待官方确认，原文未说明原因。
2026年10月19日，半导体行业协会（SIA）赞扬GlobalFoundries在美国-日本战略投资initiative下的扩张计划。SIA宣布，GlobalFoundries被选中在纽约州马尔塔运营两座新半导体制造工厂，这是首批在美国-日本战略投资initiative下的半导体项目，美国和日本将共同拥有这些工厂。初始投资100亿美元将用于建设一座新晶圆厂，投产后每年可增加约90万片300mm晶圆的美国制造产能。另一项约100亿美元的投资将用于建设产能相似的第二座晶圆厂。两座工厂将完全由日本通过美国-日本战略投资initiative资助。GlobalFoundries计划在当年晚些时候动工建设第一座工厂。
据西门子于2026年10月14日宣布，其与英伟达推进合作，将英伟达cuLitho库与西门子Calibre制造软件集成，旨在使复杂的光掩模优化在全芯片规模上切实可行。据西门子称，该集成可使全芯片光学校近校正（OPC）工作负载速度提升至多12倍；西门子另引用针对选定工作负载至少10倍至17倍的仿真加速。这些测量针对特定计算任务，并不等同于整个芯片制造流程的等效加速，也不保证对每个客户配置都有相同改进。开发动因是工程师设计的图形不会自动精确印到硅片上：在极小尺寸下，衍射等物理效应会扭曲投影图像，而计算光刻可预测这些效应并调整光掩模几何形状。西门子将转向高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）视为一大挑战。西门子还表示，加速可将漫长的周转时间从数周缩短至数天，并可能降低能耗和计算基础设施占用；其意义取决于在扩大有用优化规模的同时保持精度。
台积电在10月15日的投资者说明会上宣布，计划在台湾台南新建一座3nm晶圆厂，生产预计于2028年上半年开始。台积电董事长兼CEO魏哲家表示，公司预计未来数年对3nm芯片的需求强劲。该新厂加入已在南部科学园区建设中的另一座3nm厂，后者预计2027年上半年开始量产。海外方面，魏哲家称亚利桑那3nm厂进度超前，设备正在安装，生产定于2027年第三季度开始；日本熊本第二座晶圆厂也将采用3nm工艺，预计2028年开始量产。为支撑3nm需求，台积电正将部分5nm产能转为3nm，并据《自由时报》报道在7nm、5nm和3nm工艺间优化产能。据台南市政府新闻稿，台积电自进驻南部科学园区以来已在该市建成20座晶圆厂及封装测试设施，在台南投资超过1.86万亿新台币（约570亿美元），创造超过11,300个直接就业机会；台积电还已在安定区市有土地上开建一座2nm厂，这是该公司首次在地方政府所有的土地上建厂。台积电与市政府均未披露新3nm厂的投资规模或产能。
据公开报道，闻泰科技旗下安世中国通过与中国战略合作伙伴达成合作，已实现MOSFET、逻辑IC等产品在12英寸晶圆平台升级；在晶体管与保护器件方面，部分产品已成功实现12英寸晶圆工艺平台的研发和量产，为全球首家掌握该项核心技术与生产能力的企业，12英寸单片有效芯片产出较8英寸提升约2.2至2.4倍，车规器件交付周期由12至16周压缩至4至6周。文章并援引中国汽车工业协会数据称，传统燃油车单车所需芯片约600至700颗，电动车约1600颗，智能汽车提升至3000颗左右，新能源汽车功率半导体单车价值量约为传统燃油车的2至3倍；在功率半导体行业整体供需偏紧、价格上行的背景下，本土晶圆直供与东莞封测构成的供应链闭环使MOSFET、逻辑IC等产品的本土交付确定性显著增强。原文未说明原因。
谷歌的 TPU v9 涉及 MediaTek，可能面临延迟，出货可能滑至 1Q28；同时，ByteDance 可能从 MediaTek 采购数据中心芯片。源文未说明原因。
显示贴合设备制造商Shindo Eng Lab于当地时间10月15日在旧金山SEMICON West 2026上公布了一种芯片封装架构，将图形处理器（GPU）与高带宽存储器（HBM）垂直堆叠，中间夹一层约200微米厚的玻璃陶瓷中介层。该架构中GPU位于中介层上方、HBM位于下方，两者通过中介层中的垂直导电通孔连接；液冷模块分别置于GPU上方和HBM下方以相反方向散热；电力由底部印刷电路板（PCB）经金属柱输送至中介层并分配给两颗芯片。原文指出，当前AI半导体封装采用将GPU与HBM并排放置在硅中介层上的2.5D架构，垂直堆叠会缩短芯片间距离，但带来热量集中和热胀冷缩导致翘曲等挑战；Shindo声称其可调整热膨胀特性的玻璃陶瓷中介层结合两侧冷却可缓解这些问题。形成垂直导电通孔的技术为透过玻璃陶瓷通孔（TGCV），公司于9月发布，该工艺在玻璃陶瓷基板上用光刻同时形成孔洞图案并以铜填充；Shindo最初将TGCV作为倒装芯片球栅阵列（FC-BGA）基板中有机核心的潜在替代品提出。Shindo主要为显示面板与盖板玻璃贴合提供层压和真空贴合设备，此前无半导体基板业务经验。该公司已为该架构提交专利申请，并正与约10家公司进行技术讨论，已向其中部分公司提供样品；尚未披露其打算直接制造并销售中介层还是供应设备。Shindo一位官员表示，最终目标是实现以TGCV为基础技术、垂直集成GPU与HBM的3D架构，并计划将该结构提交给委外封测（OSAT）公司讨论潜在应用。该架构尚属提案阶段，未见量产或商业化实现。
Qualcomm于10月19日宣布，将在韩国江陵举办的2026年ITS世界大会（10月19日至23日，江原道江陵奥林匹克公园）上展示基于车联网（V2X）通信的交通安全技术与服务，并展示实际应用。大会聚焦智能交通系统政策、技术与服务，涵盖网联汽车、自动驾驶、智能基础设施与人工智能。Qualcomm将在会上演示七项技术，包括可扩展V2X、基于ADAS的V2X、智能基础设施、全球V2X解决方案以及合作伙伴利用Qualcomm技术开发的产品。Qualcomm韩国总裁金相杓发表了题为'Accelerating Innovation in Traffic Safety'的主题演讲。
三星电子正在开发Exynos 2700，计划于2027年在其Galaxy S27系列中扩大使用（属于计划，尚未实现）；与此同时，华为已将下一代麒麟芯片转入测试阶段。原文指出，双方的竞争举措正给三星带来压力，促使三星提升应用处理器（AP）性能、制造良率和成本竞争力，以减少对高通和联发科的依赖。原文未说明上述事件的具体原因。
据10月19日消息，奇瑞计划于10月20日在芜湖举办以“Change·改变”为主题的2026奇瑞全球创新大会，届时将发布首个汽车行业垂域大模型，并展示专为物理AI世界模型设计的车规级芯片作为底层硬件。大会期间，墨甲首款消费级家庭陪伴人形机器人“墨宝”计划全球首发并开启全球预订，奇瑞智慧农机产品矩阵也将公开亮相。出行与能源领域方面，原生前装Robotaxi将亮相，奇瑞将全球首发交流V2G技术和快充技术；10月16日，奇瑞与国家电网举行战略签约仪式，正式开启首个车网互联V2G规模化运营场站的建设。
芬兰技术产业协会（TIF）发布了对欧盟《芯片法案2.0》的建议（该法案为委员会提案，尚待立法程序，资金尚未确定），主张法案应以需求为出发点。文中引用的市场背景数据：全球芯片销售额2025年达7010亿美元，今年将突破1万亿美元，并按欧盟委员会的估算到2030年达1.6万亿美元；欧洲目前生产的芯片占全球不到十分之一，覆盖自身消费约五分之一。提案要点包括：首次同时处理需求与供给（大挑战、行业主导的需求加速器、创新采购），首次OfType（first-of-a-kind）地位扩展至全价值链，许可审批上限为12个月，对量子芯片和光子学提供专项支持。资金方面：《条例》本身几乎不含新资金，资金将在2028—2034年欧盟预算与欧洲竞争力基金中另行谈判；委员会影响评估模型给出的示例投资为400亿欧元，业界建议设立300亿至600亿欧元的欧盟半导体专项预算。提案的战略项目优先领域清单包含先进制造、AI芯片、存储和前沿设计，但未包含量子与光子芯片制造。文章还提到，芬兰的行业主导战略'Chips from the North'目标是在2035年前将该行业收入提高两倍至50亿至60亿欧元，并归纳出七项建议（快速行动、确保关键规模的欧盟资金、保留并扩展first-of-a-kind定义至量子芯片制造、以战略项目建设需求导向的关键产能并锚定一座先进晶圆厂、赋予行业结构化角色、通过可信国际伙伴关系构建韧性、保持供应安全义务精准有限）。原文未说明原因——本文为立场性分析文章，不涉及具体价格变动或事件原因。
TrendForce最新报告《2027红外感测与光通讯市场趋势》显示，数据中心网络扩张带来的数据传输需求快速增长，提升了业界对基于VCSEL的近封装光学(NPO)技术的兴趣。该技术因低功耗、易于维护和成熟的供应链而受到青睐。Lumentum、古河电工、Coherent、博通、ams OSRAM和海思等六家领先光元件厂商正在该领域投入大量研发资源。
快科技10月19日报道，日本存储芯片巨头铠侠控股的市值已从今年6月约60万亿日元（约合人民币2.54万亿）的峰值跌至10月中旬约21万亿日元（约合人民币8876亿），蒸发约六成半。据高盛统计，10月1日至15日期间三星电子股价下跌20%，SK海力士下跌25%，美光科技下跌11%，闪迪下跌11%，铠侠下跌26%，六家主要存储厂商合计市值蒸发约7380亿美元；铠侠跌幅最深，因其业务高度集中于NAND闪存，且企业级服务器市场出货占比超过三成。文章给出的原因：一方面利率上升威胁AI数据中心的商业模式，另一方面以长江存储、长鑫存储为代表的国产芯片快速追赶，动摇海外巨头的定价权与市场份额。据Counterpoint Research数据，2026年第二季度长江存储NAND出货量份额约16.5%，首次超越铠侠与美光跃居全球第三，仅次于三星和SK海力士；若剔除SK海力士旗下Solidigm则升至全球第二；2025年第一季度至2026年第一季度长江存储全球NAND营收份额从9%升至14%。据TrendForce数据，长鑫存储2026年第二季度DRAM营收达146.24亿美元，环比增长99.3%，全球市占率从7.6%升至9.5%，同期全球DRAM产业整体环比增长59.5%。技术路线方面：长江存储基于自研Xtacking架构已实现267层3D NAND量产，并计划于2026年下半年启动超300层产品X5-9080的量产；长鑫存储计划年底前供应采用4F²架构的DDR5服务器内存（以上量产计划均为规划状态）。