GMS发布MOSA兼容Thunderbolt™启用的Expansion™模块
General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
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General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
沃尔沃汽车宣布扩大与英伟达的合作，为其未来车型开发自动驾驶技术，目标是让车辆能够应对从高速公路、城市交通到泊车的各类场景，并逐步引入eyes-off和mind-off驾驶。该技术将基于英伟达的Hyperion传感器与计算架构，结合Halos操作系统和Alpamayo驾驶软件栈，沃尔沃则贡献其车辆安全系统和工程专业知识。首款采用该技术的车型将是沃尔沃下一代车型，属于该公司所称的有史以来最大规模产品攻势的一部分。两家公司自2017年起开始合作，沃尔沃旗舰SUV EX90目前已在英伟达DRIVE Orin和DRIVE Xavier平台上运行。
瑞萨电子近日发布了基于Gen 4+技术的650-V、20-mΩ d-mode GaN FET，采用8×8 mm双面散热（DSC）PQFN封装，型号为TP65H020G4PLSGBD，目前已向AI数据中心OEM和ODM送样，量产计划于2027年中。据瑞萨称，Gen 4+相较Gen 4通过单元设计和比导通电阻的渐进式改进，实现更低的RDS(on)、更小的尺寸、更低的栅极电容（CGS、CGD）和输出电容（Coss）；Gen 6预计要到2027年才提供样品。该器件为d-mode，与LV硅MOSFET配对使用。封装支持顶面、底面或双面散热，当前支持20-mΩ器件，未来10–15-mΩ器件或可单冷板散热。相比TOLT封装，DSC PQFN在x-y轴封装面积减少约57%至60%，高度约1 mm（对比TOLT的2.35 mm，表格中为2.3 mm），热阻抗低9%至10%（0.36 °C/W对比0.4 °C/W），四开关功率级PCB面积可减少约15%至25%。在6-kW、800 V转48 V、运行于650 kHz至1 MHz的IBC演示板风冷测试中，DSC全负载效率提升0.14%，相当于6-kW转换器中约10+ W的额外功率；测试未使用液冷，下一步将进行液冷测试。DSC 8×8（含650-V GaN）应用于初级侧，每个模块仅承受约400 V，两个模块串联以适应800 V总线。DSC封装技术的主要应用是初级侧800 V DC转换为48 V、12 V和6 V的中间总线转换器（IBC）。针对800 V转6 V输出电流超过3,000 A的情况，瑞萨正与EPC合作推进LV GaN的DSC封装选项。瑞萨在10月12日至15日于加州圣何塞举行的OCP全球峰会上展示了该器件，作为其800-V电源解决方案的一部分。
据行业消息人士10月19日消息，三星显示正在开发一款不使用精细金属掩膜版（FMM）的7英寸级OLED原型，并准备采用其自主的Micro Patterned OLED（MPO）技术制作工程样品（ES）。该项目自3月启动，并非针对特定客户，而是基于假设的客户需求按接近量产标准开发；初步目标为2026年底，若样品准备情况不足，开发可能延至2027年第一季度。MPO开发在2026年初之前实际处于搁置状态：2025年9月，三星显示在其忠清南道牙山A2产线安装了应用材料旗下AKT的5.5代四分之一尺寸垂直沉积设备以评估无FMM技术，但该技术据称与公司现有中小尺寸及大尺寸OLED面板开发路线图不符，商业化方向也不明确。在3月获得并分析了一块采用Visionox无FMM ViP技术的智能手表OLED面板后，开发获得动力——分析结果显示其器件特性与FMM技术相当，与此前认为ViP良率和器件性能明显较低的判断不同；行业消息人士称Visionox仍在努力确保足够良率，但三星显示内部认为良率提升是其强项并可实现大幅进步。MPO通过微观隔离结构和光刻形成RGB像素而不使用FMM，且据称在制造后移除隔离结构，与保留隔离结构的ViP和LG Display的FliPP不同；业界观察人士认为这些工艺顺序与最终结构差异或可避开涵盖Visionox ViP、LG Display FliPP及应用材料无FMM技术的专利。该工艺被认为尤其适合高分辨率OLED显示：更易实现更紧的像素间距、减少有机层损伤和精细工艺控制复杂度、降低材料消耗和制造步骤数，省去蚀刻步骤也有望简化制造并降低成本。消息人士称MPO的开发方向比中大型面板更适合高分辨率OLED显示，一旦7英寸级样品可用，即可评估MPO技术优势在实际产品尺寸上的实现程度。
快科技10月19日消息，REDMI K100定档10月27日发布，目前已在各大平台上架接受预约。该机搭载高通骁龙8至尊版旗舰平台（快科技注：简称骁龙8E），配备狂暴独显芯片D2，采用165Hz电竞高刷屏和小米系最大10000mAh电池，支持100W有线闪充。博主数码闲聊站表示骁龙8E性能调校到位的话，日常体验与骁龙8E5、骁龙8EE6的差距会比想象中小，在3K价位段仍具竞争力。REDMI K100定位3000元档性能手机，由于当前REDMI K90在小米商城定价3499元起（12GB+256GB），文章推断K100起售价至少会是3499元，即超过3000元；对比同档机型，K100还拥有游戏独显芯片、万级大电池和BOSE调音。小米商城支付9.9元订金可获新品礼，包含小米Air 4 SE无线耳机、一年延保、6期免息分期、以旧换新补贴及365天只换不修等权益。
快科技10月19日消息，REDMI K100已官宣10月27日发布，官方确认新机搭载骁龙8至尊版旗舰芯片，并首次加入游戏独显D2，形成"狂暴双芯"组合。骁龙8至尊版是高通首款采用自研Oryon CPU架构、台积电3nm工艺的旗舰平台，配2颗超大核与6颗性能核、Adreno 830 GPU；游戏独显D2为REDMI此前在至尊版机型上采用的定制独显芯片，承担硬件级画面超分与超帧补帧任务。官方确认屏幕升级为165Hz高刷电竞直屏。根据爆料（非官方确认），该机将升级为6.9英寸大屏直屏方案，搭载超级像素屏幕技术，内置10000mAh级硅碳负极电池（小米手机史上最大电池）并支持100W有线快充。官方已公布新机外观，推出与Pro同款的流萤绿配色，背部右侧有Bose调音标识。原文未说明原因（无价格/供应相关事件）。
快科技10月19日消息，在2026年OCP全球峰会上，英特尔分享其硅光子愿景并提出“金锤子”战略：宣称自己是唯一能够以300毫米磷化铟（InP）硅光子技术大规模服务整个行业的高量产晶圆厂，这些300毫米晶圆将承载面向高性能计算（HPC）和人工智能（AI）领域未来NPO与CPO功能所需的尖端硅材料。数据中心系统与解决方案副总裁尼克·杜贝称硅光子为下一代系统的“金锤子”，并表示关于硅光子成为行业标准的讨论已持续一段时间，英特尔及其团队正夜以继日地工作，力求在未来几年内将其变为现实——此为愿景与计划，尚未实现。原文给出的原因是：行业在传输距离、带宽密度和每比特能耗方面正触及极限，而硅光子能够同时解决这些问题。英特尔还表示拥有可构建可靠硅光子平台的集成工具（如集成激光器，可实现无需维护的集成光源），并将推动外部光源社区标准以提供美国晶圆厂制造的多波长光源；预计将显著降低所有数据传输的每比特能耗，估计光子学系统可使其降至每比特5皮焦耳以下；并认为硅光子将开辟一类新系统，在机架、节点和系统规模上实现更大灵活性与更好能效。上述均为英特尔的宣示与预期，不构成已实现的结果。
10 月 18 日消息，极夜 (TOPFEEL) 昨日（即 10 月 17 日）公布了其 AI 双卡工作站 DeskOne A1，该型号基于英特尔酷睿 Ultra 9 处理器 275HX。DeskOne A1 拥有全铝机身，三维 370×195×290 (mm)，体积约 21L，标配 850W 电源，后部预留 4 槽宽度的扩展卡 I/O 面板开口。配置方面，其具备 4 条 DDR5 内存插槽（支持 7200MT/s）、2 条 PCIe Gen5 插槽（×16 / ×8 + ×8 / ×8 + ×4 + ×4）、1 条 PCIe Gen4 ×4 插槽，存储接口提供 1 个 M.2 PCIe Gen5 ×4、2 个 M.2 PCIe Gen4 ×4、2 个 SFF-8654 SlimSAS 4i (PCIe Gen4 / SATA)，并预留 M.2 无线网卡插槽。正面提供 2 个雷电 4、3 个 USB-A 10G、3.5mm 二合一音频插孔；反面提供 10GbE RJ-45、2.5GbE RJ-45、4 个 USB-A 10Gbps、2 个雷电 5、HDMI 2.1、2 个 Mini DisplayPort 输入、COM 扩展口。原文未说明价格及上市时间。
作者根据Texas Instruments的一份新闻稿介绍，该公司推出RES80A-Q1，这是一款50-MΩ精密电阻分压器，可用于高达2,000 V DC的极高电压，且已通过AEC-Q200汽车级无源元件认证，主要用途是高压EV电池包中为车辆电池管理系统（BMS）提供电压数据。该器件采用高性能模拟晶圆工艺和SiO2绝缘层封装，8引脚SOIC封装标称尺寸7.5 mm × 5.85 mm，高低压引脚间爬电和电气间隙至少8.5 mm；每个分压器的实测比值与标称值之差在±0.1%（最大）以内，规定温度范围和老化条件下的累积漂移仅±0.2%（最大），未经校准的RES80A-Q1的寿命容差保持在±0.3%（最大）范围内。文章背景性讨论了汽车（尤其是EV）对无源元件性能要求提升，以及该类标准目录器件可被非汽车设计采用，同时指出汽车复杂化带来的维修与供应链挑战；文中未包含任何价格变动、产能或供需数据。
据Tom's Hardware 2026年10月16日报道，中国初创公司Langdao Silex（2024年由清华大学气体放电等离子体实验室校友创立）在中国上海第26届中国国际工业博览会上展示了一台EUV光源原型，输出功率超过15W、90%零部件国产、并具备一定运行时间，但现场未点亮运行。其FlintNano LPP-OXXO系统采用激光等离子体(LPP)技术，配备1000W驱动激光器（工作频率1kHz–20kHz），转换效率超过2%，亮度达100 W/(mm²·sr)，可连续运行超过100小时，等离子体稳定性3% RMS、EUV输出功率稳定性5%；不过其输出仍不足以支撑高量产芯片生产，且公司未说明15W是在等离子体处还是中间焦点处测量。据TrendForce援引多方消息，该公司还需三到五年才能将该技术商业化。此外，其正在开发的高功率FlintMicro-LPP EUV光源已完成原理验证，但输出功率、转换效率和运行寿命均未披露。光源仅是EUV光刻机的一部分，完整EUV扫描仪还需收集/照明光学系统、多层膜反射镜、工件台/掩模台等进展。
onsemi与Sungrow宣布将onsemi的EliteSiC混合功率模块技术集成到Sungrow的PowerTitan 3.0储能平台，用于电网级储能系统的高功率DC-AC转换。据onsemi称，与上一代平台相比，新架构将逆变器级效率提升0.4个百分点，支持额定功率最高450 kW的功率转换单元，峰值效率超过99.3%。onsemi的分析显示，在100 MW电池储能装置中，0.4%的效率提升每年可节省超过475 MWh电量（与上一代模块相比）。该SiC混合技术结合碳化硅与硅功率器件，采用三级逆变器架构，提供更高功率密度和更好热性能。双方曾在平台开发、系统优化、工程验证和资格认证方面合作，此次采用建立在两家公司既有的战略关系之上。
英国分销商Anglia Components宣布一项供应整个模拟信号链的策略，以回应客户对部分模拟元器件供应的失望情绪。CEO Steve Rawlins称市场上存在ADI与TI占主导地位的“明显的双头垄断”。Anglia将其现有部分模拟授权供应商整合，并新增四家，初步公布10家授权供应商，提供ADC、DAC、放大器、时钟、接口IC、模拟开关、基准源和电源管理IC；其中Nanopower、Novosense和3Peak为现有供应商，BeRex、Linear Systems和Silanna于今年夏季签约，Cimo Microelectronics、Zynalog、Raystar Microelectronics和Quest Semiconductors为新签约。这些供应商经筛选审批，可提供与既有品牌引脚兼容、性能相当的产品。该举措旨在回应客户对供应链更大韧性的需求；Rawlins还提到每季度涨价促使设计人员寻找兼容替代品。Anglia预计在英国和北欧 appoint 四名专职模拟供应链的FAE（现场应用工程师），并预计后续会加入更多产品线。
据易车消息，IT之家10月16日消息，东风风神 L8+ 将于10月23日正式上市（上市为计划安排，尚未发生）。新车搭载天元智驾 T800，采用 Momenta R7 世界模型，配备英伟达 Thor-U 芯片，算力可达700TOPS，支持城市和高速 NOA；动力方面搭载1.5T发动机+电机组成的插电混动系统。背景信息：东风风神在今年7月宣布下半年将发布风神 L8Y/L8+/L9/E80 四款新车，其中风神 L8+ 剑指"同级最强智能辅助驾驶产品"。原文未说明原因（无相关价格或供应影响说明）。
Sipeed 宣布了其 MaixStation，这是一款与 Nvidia DGX Spark 和 AMD Ryzen AI Halo 竞争的国产产品，预计 128GB 型号售价约 3,999 美元。公司表示，签现已开放，将在 2026 年底进行 Kickstarter 众筹，众筹结束后三个月内开始发货。NPU 工具链将在 2026 年 10 月底发布。该公告发布于 2026 年 10 月 15 日。
IT之家10月15日消息，联想一体机新品小新 27 元气版定于10月16日00:00发售，新品尝鲜价均为6999元，当前可选霁蓝/绛紫/霞绯3种配色。该一体机基于英特尔酷睿 5 处理器 320，配备16GB LPDDR5X-7467内存、512GB SSD存储及27英寸FHD 120Hz 350nits高色域屏幕，预留第二M.2 SSD盘位，集成5MP摄像头与Harman 2.0音箱，机身薄至13mm，底座较上代减薄38%。I/O方面支持Wi-Fi，拥有2个USB-C 20Gbps、4个USB-A 10Gbps、1个1GbE RJ-45、1个HDMI 2.1 (TMDS) in&out和1个3.5mm二合一音频插孔。
pSemi高级产品营销经理Jason Ngai在Power Corner访谈中介绍ARC1C0608 LED背光驱动IC，该器件适用于单节（1S）锂离子笔记本，需将2.7至5.5 V输入升压至最高30 V的LCD背光电压。Ngai称现代SoC待机效率提升后，显示屏成为主要功耗来源，占总系统功耗最高约70%，且显示屏无法待机，只能调暗或关闭。他指出LED背光驱动为升压变换器，输入电压越低效率越差：典型1S LED驱动器效率约为中80至高80百分比区间，但在电池电压范围（满电约4.35 V，接近截止约3.2–3.6 V）内会降至中60至中70百分比。ARC1C0608采用升压加电荷泵的专有两级架构，可实现最高95%峰值效率，在大部分工作范围内效率为高80至90以上百分比；以3.8 V输入、22–24 V输出为例，电荷泵以3倍倍压工作，升压级只需升至约8 V。该架构降低对电感的依赖，可配合1.2 mm高（甚至0.6 mm高，效率仅降约1%）的芯片电感实现薄型方案。除笔记本外，该IC也适用于平板、VR头显、无人机车灯及自行车显示等单电池显示应用。
Microchip Technology推出辐照耐受型氮化镓(GaN)点-of-load(POL)转换器POL-05-20S-T,面向航天处理系统。该器件可提供最高20A连续输出电流，采用紧凑表贴封装，尺寸为1.51 × 1.51 × 0.45英寸，重量25 g,输入电压范围4.75 V至13.2 V,输出可在0.7 V至5 V之间调节，工作温度范围为满载时−55°C至+100°C。辐照耐受规格方面，Microchip规定了总电离剂量(TID)高达50 krad暴露前后的电气参数，并在线性能量转移(LET)高达43 MeV·cm²/mg水平下对单粒子效应(SEE)进行了表征。该产品面向FPGA、微控制器、ASIC等处理密集型器件的核芯电压轨等大电流、快速瞬变负载，现已有量产数量的供货。
Navitas Semiconductor宣布与NVIDIA合作开发一款24 kW、800 VDC转12 VDC的电源传输板(PDB),面向下一代AI数据中心基础设施，基于Navitas的GaNFast技术，支持NVIDIA MGX生态系统，可将电源直接传送给高性能计算处理器(xPU)。该方案计划在2026年OCP全球峰会的NVIDIA AI Factory MGX Wall合作伙伴展示区展出。此板为Navitas此前与NVIDIA合作发布的20 kW、800 V转6 V电源板的后续产品，两者均支持高压直流配电过渡及GaN和SiC技术在AI基础设施中的应用。新板设计目标为最高24 kW输出、满载效率97%、功率密度超过2,000 W/in³,采用NVIDIA 400 mm × 60 mm外形规格，可集成在计算主板靠近xPU处；采用单级转换架构，直接将800 VDC转换为12 VDC,省去常规50 V转12 V中间总线转换器(IBC)级，减少转换步骤、功率损耗和元件数量；12 V输出向VRM供电。初级侧功率级使用16颗NV6034 GaNFast FET(650 V耐压、18 mΩ导通电阻)，采用堆叠半桥拓扑和8 mm × 8 mm双冷却DFN封装。
第28届半导体展（SEDEX 2026）于10月14日至16日在首尔江南区COEX会展中心举办，为期三天，三星电子与SK海力士在展会上共同展出第七代高带宽内存HBM4E及新一代存储技术。三星HBM4E采用10纳米级第六代（1c）DRAM搭配4纳米制程基础裸片，单引脚传输速率14Gbps至最高16Gbps，较HBM4提升超20%；最高带宽达3.6TB/s，12层堆叠版本容量48GB，较上代增加30%以上；三星还计划推出8层32GB与16层64GB版本，并已于今年5月向全球客户送样12层版本。SK海力士展出的HBM4E最高传输速率同样达16Gbps，能效较HBM4提升逾20%，热阻降低约17%，采用先进MR-MUF工艺，6月已向主要客户送样12层48GB版本并开展性能验证。三星还展出zHBM概念产品，结合下一代晶圆键合技术，内存密度可达HBM5的10倍以上、能效提升3倍，同时展出面向边缘AI的LPDDR-PIM与zNAND-O方案。SK海力士提出HBF（高带宽闪存），目标容量约为HBM的10倍，采用UCIe开放接口标准。SK海力士开发总裁安铉在主题演讲中表示，预计2030年AI基础设施性能将较今年增长约20倍。
以色列媒体报道，当地时间周三，位于以色列南部基里亚特加特（Kiryat Gat）的英特尔晶圆工厂发生剧烈爆炸，造成1人危重、2人重伤，并引发厂区内危险物质泄漏，泄漏物已被确认为三氟化氮（NF₃）；出于对接触泄漏物质的担忧，当地居民被告知远离该区域。消息人士称爆炸由一辆运载三氟化氮的卡车引发；警察局局长沙伊·阿拉利表示，一辆卡车正向厂区内储罐卸装物质，在断开连接、第二辆卡车接上之后爆炸发生，目前尚无法判断是否存在刑事犯罪或过失嫌疑，并称这是某种故障所致，储罐已降温、未见进一步泄漏迹象，整个处置期间无需疏散基里亚特加特居民或工厂员工。红大卫盾会表示已将3名伤员转运至索罗卡医疗中心：一名50多岁男子经心肺复苏后仍危重且不稳定、上半身烧伤，处于镇静并使用呼吸机；一名30多岁男子同样经心肺复苏后危重且不稳定、大面积烧伤，已镇静并使用呼吸机；一名26岁男子重伤但情况稳定、上半身烧伤。南部地区消防与救援服务局通报，下午2时12分接报，消防员已控制住火势，目前已有8支消防救援队伍在现场作业，危险品处理队伍持续监测和风险评估。原文未说明爆炸对晶圆厂生产的影响。文中提到该园区有两座晶圆厂：在产的Fab 28为300毫米晶圆厂，2008年投产，最初按45纳米建，做过22纳米，现在做intel 7（约10纳米档），正在生产处理器和其他芯片；未投产的Fab 38为约250亿美元的扩建，2023年以色列政府配套拨款约32亿美元，规划过两间洁净室、面向更先进的极紫外光刻工艺，2024年6月英特尔通知承包商冻结工程，《环球报》2026年10月14日仍写这项扩建停着。报道没有统一是哪一座厂房：《耶路撒冷邮报》和Calcalist写的是Fab 28，部分英文站写成Fab 38。