GMS发布MOSA兼容Thunderbolt™启用的Expansion™模块
General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
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General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
瑞萨电子近日发布了基于Gen 4+技术的650-V、20-mΩ d-mode GaN FET，采用8×8 mm双面散热（DSC）PQFN封装，型号为TP65H020G4PLSGBD，目前已向AI数据中心OEM和ODM送样，量产计划于2027年中。据瑞萨称，Gen 4+相较Gen 4通过单元设计和比导通电阻的渐进式改进，实现更低的RDS(on)、更小的尺寸、更低的栅极电容（CGS、CGD）和输出电容（Coss）；Gen 6预计要到2027年才提供样品。该器件为d-mode，与LV硅MOSFET配对使用。封装支持顶面、底面或双面散热，当前支持20-mΩ器件，未来10–15-mΩ器件或可单冷板散热。相比TOLT封装，DSC PQFN在x-y轴封装面积减少约57%至60%，高度约1 mm（对比TOLT的2.35 mm，表格中为2.3 mm），热阻抗低9%至10%（0.36 °C/W对比0.4 °C/W），四开关功率级PCB面积可减少约15%至25%。在6-kW、800 V转48 V、运行于650 kHz至1 MHz的IBC演示板风冷测试中，DSC全负载效率提升0.14%，相当于6-kW转换器中约10+ W的额外功率；测试未使用液冷，下一步将进行液冷测试。DSC 8×8（含650-V GaN）应用于初级侧，每个模块仅承受约400 V，两个模块串联以适应800 V总线。DSC封装技术的主要应用是初级侧800 V DC转换为48 V、12 V和6 V的中间总线转换器（IBC）。针对800 V转6 V输出电流超过3,000 A的情况，瑞萨正与EPC合作推进LV GaN的DSC封装选项。瑞萨在10月12日至15日于加州圣何塞举行的OCP全球峰会上展示了该器件，作为其800-V电源解决方案的一部分。
显示贴合设备制造商Shindo Eng Lab于当地时间10月15日在旧金山SEMICON West 2026上公布了一种芯片封装架构，将图形处理器（GPU）与高带宽存储器（HBM）垂直堆叠，中间夹一层约200微米厚的玻璃陶瓷中介层。该架构中GPU位于中介层上方、HBM位于下方，两者通过中介层中的垂直导电通孔连接；液冷模块分别置于GPU上方和HBM下方以相反方向散热；电力由底部印刷电路板（PCB）经金属柱输送至中介层并分配给两颗芯片。原文指出，当前AI半导体封装采用将GPU与HBM并排放置在硅中介层上的2.5D架构，垂直堆叠会缩短芯片间距离，但带来热量集中和热胀冷缩导致翘曲等挑战；Shindo声称其可调整热膨胀特性的玻璃陶瓷中介层结合两侧冷却可缓解这些问题。形成垂直导电通孔的技术为透过玻璃陶瓷通孔（TGCV），公司于9月发布，该工艺在玻璃陶瓷基板上用光刻同时形成孔洞图案并以铜填充；Shindo最初将TGCV作为倒装芯片球栅阵列（FC-BGA）基板中有机核心的潜在替代品提出。Shindo主要为显示面板与盖板玻璃贴合提供层压和真空贴合设备，此前无半导体基板业务经验。该公司已为该架构提交专利申请，并正与约10家公司进行技术讨论，已向其中部分公司提供样品；尚未披露其打算直接制造并销售中介层还是供应设备。Shindo一位官员表示，最终目标是实现以TGCV为基础技术、垂直集成GPU与HBM的3D架构，并计划将该结构提交给委外封测（OSAT）公司讨论潜在应用。该架构尚属提案阶段，未见量产或商业化实现。
韩国半导体设备制造商Hanmi Semiconductor在SEDEX 2026展会上展示了其高带宽内存（HBM）和AI芯片封装设备，包括用于HBM4生产的TC Bonder 4，以及计划于2027年推出的Wide TC Bonder（原文仅表述为计划，未说明已实现）。公司还推出了五款2.5D封装系统，旨在适应日益增大的AI芯片封装。
Cadence Design Systems与University of Notre Dame的研究人员发表了题为“A Composable AI-Accelerated Iterative Solver for 3D-IC Thermal Modeling”的研究论文。摘要指出，对异构2.5D/3D-IC封装进行精确热分析虽然必不可少，但计算上极为昂贵；一次全封装FEM仿真可能耗时数小时，而基于AI的代理模型则将整个堆叠视为单一的整体预测目标。原文未说明原因之外的其他背景，此为研究论文发布，属背景信息，不涉及价格、产能或供应事件。
Kulicke & Soffa 财政第三季度 2026 年净收入为 3.304 亿美元，同比增长 123%，毛利率 47.8%，非GAAP每股收益 1.20 美元，超出预期。公司预计财政 2026 年第四季度收入约为 3.75 亿美元，截至 2026 年 10 月 3 日，因半导体、存储、汽车和工业市场需求增强。
高通正加强进入人形机器人半导体市场，依托其在移动设备和汽车领域的经验，并提供集成AI软件包等开发工具。高通副总裁朴宰贤10月16日在首尔COEX举行的"Semiconductors Powering Humanoids"会议上表示，公司视人形机器人为高度复杂的汽车，并称"我们已拥有其开发所需的全部技术"。高通认为人形机器人的运行原理与自动驾驶车辆相似，利用摄像头等传感器感知环境、AI做决策、电机执行动作；自动驾驶车辆通常具有3至4个自由度(DoF)且限于平面移动，而人形机器人约有60个自由度，动作复杂得多。高通已开发面向机器人的SoC、低功耗无线通信、机器人操作系统技术、电源与热管理及AI开发工具；其Dragonwing SoC产品线集成CPU、GPU和NPU，包括面向扫地机器人等消费设备的Dragonwing Q2和Q4、面向餐厅送餐机器人等服务机器人的Q5和Q6、面向自主移动机器人(AMR)和四足机器人的IQ8，以及面向早期阶段人形机器人的IQ9。旗舰产品Dragonwing IQ10采用基于PC所用Oryon微架构的18核CPU，计算性能超过IQ9的5倍；高通称其低功耗SoC设计专长可应对封闭电池供电环境中的功耗与发热挑战。公司还提供用于大规模控制数百台机器人的Wi-Fi 7和5G通信方案、基于Linux的实时控制技术，以及Qualcomm AI Stack、Qualcomm AI Hub、SDK、MLOps和AI Data Flywheel等软件产品。
HD Hyundai Electric于10月16日表示，其于前一天在韩国京畿道城南市的HD Hyundai全球研发中心与LG CNS签署了谅解备忘录（MOU），就数据中心电力基础设施和智能工厂开发展开合作。双方将建立系统，以整体包形式供应AI数据中心所需的电力设备和配电设施，并将共同寻找商机、争取韩国国内及海外的数据中心电力基础设施项目合同。双方还考虑将LG CNS的AI、云和数据分析技术整合到HD Hyundai Electric的电力监控平台中。在制造方面，合作将聚焦HD Hyundai Electric清州配送园区（Cheongju Distribution Campus）的生产和物流自动化，HD Hyundai Electric提供制造现场数据，LG CNS应用其制造AI及工艺和物流自动化技术。合作尚属签署MOU阶段，属于计划性合作，具体合同和落地尚未实现。
Renesas Electronics推出其首个100-V增强型(E-mode)分立GaN功率晶体管家族，型号包括RTP100E005G1FL、RTP100E2P6G1FL、RTP100E1P8G1FL-DSC和RTP100E1P2G1FL-DSC。公司称这些低压GaN FET实现业界领先的硬开关和软开关品质因数(FOM)，硬开关FOM较同类GaN器件最多低35%，软开关FOM最多低63%。器件采用FCLGA封装，保持与硅器件兼容的占位面积，便于从硅MOSFET布局迁移而无需大幅改动PCB。RTP100E005G1FL和RTP100E2P6G1FL典型导通电阻分别为5 mΩ和2.6 mΩ；双面冷却的RTP100E1P8G1FL-DSC和RTP100E1P2G1FL-DSC导通电阻分别为1.8 mΩ和1.2 mΩ。根据应用需求和功率转换架构，这些晶体管可实现最多40–70%更低的开关损耗和系统级最多两倍的功率密度。该100-V家族面向AI数据中心、人形机器人和工厂自动化等高功率密度应用，可用于同步整流、多相降压转换和工业电机驱动等场景。新型低压GaN功率晶体管现已供货，并提供相应的评估板。
Vishay推出四款面向电池管理、储能和工业自动化系统的新车规级光学传感器，型号为VCND2040X02、VCND2040SLX02、VCND2045X02和VCND2045SLX02。四款器件将红外发射器与PIN光电二极管集成于4.4 mm x 2.25 mm x 1.9 mm的表贴封装中，具有两个独立透镜及发射器与探测器之间的集成串扰隔离结构，支持短距离自由空间光通信，配光纤可延长至数米。器件通过AEC-Q102认证，支持最高6 Mbit/s的系统节点间数据传输；采用可润湿侧翼引线框架，可侧视或顶视安装；MSL等级为3，符合RoHS、无卤素。VCND2040系列典型辐射强度35 mWsr、辐射功率8 mW、上升/下降时间18 ns、正向电压1.5 V(@ IF=24 mA)；VCND2045系列典型辐射强度65 mWsr、辐射功率12 mW、上升/下降时间9 ns、正向电压2.5 V(@ IF=24 mA)。原文未说明价格、产能或供货时间。
iC-Haus宣布将以机器人为重点参加electronica（慕尼黑，2026年11月10–13日，C5馆420展位）和SPS 2026（纽伦堡，2026年11月24–26日，4A馆146展位）两场展会，展示用于轴、关节、夹爪等定位感测与电机控制的高集成编码器和传感器iC。展品亮点包括用于空心轴应用（如机器人关节）中位置感测的新型iC-MUE磁性绝对值编码器SoC、用于光学测量系统（包括基于三角测量的距离与物体检测）的激光二极管驱动器，以及面向高性能电机反馈系统的iC RT2624 26位光学编码器方案。该消息为产品展示层面的背景信息，原文未说明任何价格、供应或需求变化，亦未说明原因。
Intekplus于10月12日宣布签署价值309.02亿韩元的半导体基板检测设备供应合同，为其今年最大单笔供应合同，合同金额相当于其去年合并收入的34.43%，供应期自2028年10月8日至2028年1月10日，客户信息因保密协议未披露。该合同使Intekplus今年已披露八份供应合同，总额约1036亿韩元，超过去年总收入，但因交付时间分散，全年不予确认收入。
Global Technology于10月12日表示，已与Sungho Electronics子公司ADST开始共同开发用于ADST主动对准设备的紫外(UV)固化光源单元，该设备用于制造CPO系统及高速光收发器。项目涵盖UV固化LED驱动IC、UV LED光源模块和控制单元。主动对准设备在CPO量产工艺中执行光学对准，需以亚微米精度定位光纤、透镜和光学器件后用UV固化胶固定，UV输出与曝光时间须精确控制以减少固化时的收缩与位移。Global Technology指出，国内设备制造商此前大多依赖进口UV固化光源。这是两家公司继下一代显示器micro-LED合作后的第二次合作，计划构建国内量产生态并实现关键设备组件本土化；开发完成后，双方考虑将光源单元部署于ADST设备。Sungho Electronics是ADST母公司，也是Global Technology的战略投资者。业界预计2027或2028年1.6T级设备开始采用时CPO商业化将加速。
韩国主要半导体材料、零部件及设备供应商将参加定于10月13日至15日在美国旧金山Moscone Center举行的SEMICON West 2026。据这些公司表示，美国半导体制造设施投资的不断增长正使韩国企业对SEMICON West的兴趣上升。材料供应商方面，ENF Technology将展示蚀刻液、清洗液、剥离液和稀释剂等工艺材料，该公司自2021年起从其得克萨斯州Kyle工厂向三星电子奥斯汀工厂供应材料，并于今年早些时候完成剥离液和稀释剂产能扩建，上半年开始向三星电子Taylor工厂供货；Dongjin Semichem将展示光刻胶、稀释剂和CMP抛光液，其位于得州的稀释剂和高纯硫酸生产设施目标今年年底前量产，预计将支持三星电子Taylor工厂及当地其他业务。设备商方面，Hanmi Semiconductor将展出面向HBM和2.5D封装的TC热压邦定机，Shindo Eng Lab将介绍玻璃陶瓷结合的TGCV基板技术；检测计量厂商Intekplus将展示封装与基板的自动外观检测及3D量测技术，其近期获得一家日本基板厂商用于玻璃基板研发的检测设备订单，Koh Young Technology将展示先进封装工艺的3D测量检测方案；测试零部件供应商ISC与LEENO Industrial也将参展。气体输送与控制相关零部件厂商BMT、DK-Lok、ASFlow，以及设备零部件和晶圆传送材料厂商BOBU Hi-Tech、Glint Materials亦将参展。SEMI预计本届展会将有超过1,500个展位、吸引超过35,000名观众。
台积电举办2026开放创新平台（OIP）生态论坛，提出人工智能正在重塑半导体设计，认为更快的芯片需要在逻辑、存储、封装、互连、供电和设计方法等整个系统层面取得进展。台积电称OIP平台拥有28家可信合作伙伴、超过10万个经硅验证且量产验证的IP产品，以及超过3000名工程师。其5.5倍掩模版尺寸的CoWoS封装已量产，并描述了在3DFabric Alliance支持下走向超过14倍掩模版封装的路径。连接方面，采用COUPE技术的200-gigabit-per-second微环调制器已量产，报告误码率低于10⁻⁸，并规划400-gigabit-per-second调制、多波长和光纤阵列集成，目标是在2030年达到每毫米每秒4太比特。台积电称超过70%的OIP论坛论文使用AI解决方案或涉及AI用例，并介绍六家初创企业；其提议的AI Design Kit（ADK）将设计赋能模式转向代理式AI框架。原文明确说明图表所示为公司展望与预估，其预测应视为推断。
铠侠于2026年10月9日（星期五）发布了LD4系列固态硬盘，采用E1.L形态（318.75毫米长×38.4毫米高×9.5毫米厚），面向超大规模数据中心的高密度存储部署，容量最高达122.88TB。新盘采用成熟的BiCS8 3D QLC NAND，针对AI数据存储库和对象存储等读取密集型工作负载。该系列基于符合NVMe 2.0e规范的专有平台，采用单端口配置，并满足Open Compute Project数据中心NVMe SSD规范2.6的部分要求；虽然列出PCIe 5.0兼容性，但实际运行于PCIe 4.0 x4速度（每通道最高16 GT/s），单向理论最大带宽约7.88 GB/s。铠侠目前向特定客户提供15.36TB和30.72TB LD4样品，并已验证支持122.88TB盘的架构，但未透露此类盘何时上市，也未透露该系列何时进入量产；公司同样未披露顺序读写速度、随机读写IOPS、延迟、DWPD/TBW耐久度或功耗。这些盘将于10月中旬在圣何塞举行的OCP全球峰会上演示。原文未说明原因（属产品发布，无需归因）。
GlobalFoundries 与台积电签订为期五年、价值 20 亿美元的有效制造协议，GlobalFoundries 将在美国纽约州马耳他工厂扩产，为台积电的 CoWoS 高级封装技术生产硅间隔器，产量计划于 2028 年上半年开始提升。
JEDEC发布首个硅光可靠性标准JESD264，规范调制器与波导测试。该标准填补光学测试空白，解决多芯片模块的热应力与对准问题。
（技术标准化推动行业应用，短期供需无显著变化）。
DIGITIMES指出AI算力受散热与电力瓶颈制约。随着CoWoS封装内晶体管集成度激增，数据传输速度成为制约算力发挥的关键。
散热与电力瓶颈限制了算力利用率，可能推高相关基础设施需求。
Broadcom在TSMC OIP 2026论坛强调ASIC战略优势，重点布局IP与生态整合。公司认为需在客户需求前解决未来工程难题。
ASIC市场长期战略动向。