意法半导体与CEA-Leti展示3D射频前端集成技术
CEA-Leti与意法半导体在IEDM 2025展示了用于射频前端的3D顺序集成技术。该研究旨在单芯片上集成锗硅异质结晶体管、射频SOI开关与高质量无源器件,以提升下一代通信系统性能。
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此为远期研发进展,对当前元件供应、价格及产能无直接影响。
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CEA-Leti与意法半导体在IEDM 2025展示了用于射频前端的3D顺序集成技术。该研究旨在单芯片上集成锗硅异质结晶体管、射频SOI开关与高质量无源器件,以提升下一代通信系统性能。
此为远期研发进展,对当前元件供应、价格及产能无直接影响。
Tower半导体将300mm晶圆键合技术扩展至硅光子与SiGe BiCMOS工艺。该技术原用于堆叠BSI图像传感器,现支持异构3D-IC集成。
技术能力提升,利好高端模拟与光电芯片长期产能规划。
Tower Semiconductor与瑞萨电子合作,利用Tower的硅锗BiCMOS技术制造波束成形芯片。瑞萨的波束成形产品已在5G、卫星通信和航空航天领域获得关键客户设计订单。
此为长期技术合作,对当前元器件供应、价格及库存无直接影响。
比利时imec与根特大学研究人员展示了采用SiGe BiCMOS电路和锗光电探测器的200Gbps光接收器。该技术旨在应对数据中心和光网络对爆炸性数据速率增长的需求。
此为远期研发里程碑,对当前组件供应、价格及交易决策无直接影响。
住友电工在2022年IEEE BCICTS会议上发布采用Hf基栅极介质的N极性GaN HEMT技术。该研发针对未来更高容量与高速通信的后5G时代需求。
此为远期研发里程碑,对当前GaN组件供应链、价格及产能无直接影响。
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