NuAxi半导体贸易情报
低影响影响力评分：8/100
住友电工发布Hf基栅极N极性GaN HEMT
住友电工在2022年IEEE BCICTS会议上发布采用Hf基栅极介质的N极性GaN HEMT技术。该研发针对未来更高容量与高速通信的后5G时代需求。中性：此为远期研发里程碑，对当前GaN组件供应链、价格及产能无直接影响。
GaN HEMT
R&DGaNpost-5G
来源：Semiconductor Today · 2022/10/27 · 查看原始来源
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