毫米波频段向30GHz以上迁移
行业正向30GHz以上的毫米波频段及波导技术转移以克服信号损耗。传统互连技术在高频下失效，工程师需重新设计信号路径。
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GaN 与 GaAs 在射频领域的替代趋势。
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行业正向30GHz以上的毫米波频段及波导技术转移以克服信号损耗。传统互连技术在高频下失效，工程师需重新设计信号路径。
GaN 与 GaAs 在射频领域的替代趋势。
Nvidia正在测试PTFE和HC树脂用于Rubin Ultra NVL576 Switch Tray，计划2027年下半年量产。此举旨在寻找玻璃基板替代材料以优化AI服务器性能。
PTFE及HC树脂材料供应商。
Velaura公司宣称其技术可将AI算力功耗降低2X至4X。该技术主要针对算术计算单元，占XPU功耗的40%-70%。
随着算力成为AI瓶颈，能效提升有望刺激相关芯片需求。
文章介绍了通过双触点架构和超低电阻触点来扩展18A节点，从而增加驱动电流并提升频率。该技术旨在匹配电容的同时实现更高性能，属于先进制程工艺的优化。
此技术细节属于研发背景信息，暂无明确的供需或价格影响。
文章提出了一种在按下按钮时改变数字电位器(DPOT)设置的电路设计。该设计用于替代释放按钮时才改变设置的方案。此为纯技术设计思路，对供应链无实质影响。
Starcloud完成2.5亿美元融资获英伟达投资研发太空GPU。该公司计划建设8.8万颗卫星集群提供20GW算力。
该事件对当前GPU现货价格无直接影响，属长期技术趋势。
英伟达计划于2028年下半年量产代号“费曼”的下一代GPU，采用台积电A16工艺。该芯片将结合SoIC 3D堆叠、CoWoS-L封装及CPO光互连技术，并导入定制化HBM4E内存。
未来先进封装与光互连产能布局。
英伟达扩展Agent工具包，新增PhysicsNeMo物理AI层与CUDA-X数值计算库。该工具旨在构建自主工程系统，连接推理模型与物理仿真及EDA工具。
关注EDA软件与AI算力需求趋势。
iQ Sense开发出基于光子集成电路的动物健康连续体内生化监测平台。该技术通过异构集成、无电池设计和AI实现，旨在将实验室分析能力缩小至毫米级芯片。
该技术利用成熟技术趋势，但尚未对现有供应链产生直接价格影响。
Accellera在DAC 2026午餐会上探讨EDA领域AI应用标准，重点讨论互操作性与数据交换挑战。行业专家与学术界人士就AI原生EDA工具的标准化展开辩论。
这是关于未来技术趋势的讨论，不涉及供应链中断或即时价格变动。
法国巴黎综合理工学院等机构在《自然》期刊发表全球首个全光子时间晶体制备成果，实现皮秒级光学特性动态变化。该技术利用等离子体超材料，为超高速计算机及太赫兹激光器铺路。
目前属于基础研究阶段，无直接供应链或价格影响。
TSMC面板级封装CoPoS与Intel EMIB技术对比，前者旨在提升AI加速器面积利用率，后者通过局部硅桥降低互连成本。CoPoS可支持更大尺寸的AI加速器，但电气性能与良率数据尚不明确；EMIB已量产多年。
两者在电气性能与制造工艺上存在不同权衡，影响未来高带宽内存封装方案选择。
BEOL集成磁技术通过在CMOS晶圆上沉积磁薄膜和导电绕组，将无源元件嵌入半导体制造工艺。该技术利用标准金属互连步骤和低温沉积工艺，制造平面螺旋或环形微型电感器，减少寄生电阻和电感。
SK海力士开发CTI技术，将176层3D NAND干扰减少30%，保持力提升45%，单元尺寸缩小10%。为解决高堆叠3D NAND垂直干扰问题，公司转向缩小单元尺寸以增加容量。
技术突破为AI内存扩展铺平了道路，但尚未对现货价格产生直接影响。
三星计划2026年底量产CXL 3.2内存模块，SK海力士展示CXL 3.2样品。针对HBM和DDR容量瓶颈，两家厂商正开发CXL技术以扩展AI内存。
长期技术演进，对当前现货价格无直接冲击。
SambaNova混合计算平台结合H200与SN50 RDUs在MiniMax M2.7基准测试中达到763 tok/s。该架构通过分离预填充和解码任务，旨在延长老旧GPU机队的生命周期。
基准测试验证了SambaNova的技术，但尚未对标准组件的供应短缺或价格变动产生直接影响。
东北大学在超宽禁带半导体基板的大尺寸化方面取得进展。该技术旨在解决当前基板尺寸限制问题，提升功率器件性能。
目前属于技术研发阶段，尚未对现货价格产生直接影响。
海思详解星闪音频技术，物理层传输速率达16Mbps，可承载48kHz/24bit无损规格。传统短距无线技术带宽不足导致音源压缩，星闪架构通过高阶调制技术解决此瓶颈。
该技术为无线音频传输提供新方案，但尚未引发供需或价格波动。
MIT研究人员将GaN晶体管嵌入单晶钻石层以解决热瓶颈。该技术发表于IEEE IMS 2026，通过异构集成消除寄生电容，提升6G及卫星通信系统可靠性。
这是长期技术突破，目前无明确的供需或价格影响。
东京大学团队在《Science》发表论文，利用BN纳米管作为模板合成了1纳米MoS₂纳米管。该成果验证了理论预测并展示了结构控制潜力，但距离实际应用还很远。
关注：技术突破为未来超小型半导体通道提供新路径，但距离量产应用尚远。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |