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SK海力士推进176层3D NAND量产

SK海力士开发CTI技术,将176层3D NAND干扰减少30%,保持力提升45%,单元尺寸缩小10%。为解决高堆叠3D NAND垂直干扰问题,公司转向缩小单元尺寸以增加容量。关注。技术突破为AI内存扩展铺平了道路,但尚未对现货价格产生直接影响。

3D NAND Flash
scalingtechnologyR&D

2026/7/21

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实时定价、供应信号与 AI 分析,为半导体贸易商而生