英特尔18A-P性能提升18%
英特尔18A-P工艺通过Power Boost和应变工程，将RibbonFET和PowerVia性能提升至第一代以上，功耗降低18%，开关速度提升12%。该工艺在保持设计兼容性的前提下，通过优化接触电阻和互连层，实现了更高的晶体管驱动电流。
中性
该技术升级将增强英特尔代工服务的长期竞争力，但短期内对现货市场价格无直接影响。
- 相关厂商
- Intel Foundry、Intel
- 影响评分
- 10 / 100，低影响
英特尔18A-P工艺通过Power Boost和应变工程，将RibbonFET和PowerVia性能提升至第一代以上，功耗降低18%，开关速度提升12%。该工艺在保持设计兼容性的前提下，通过优化接触电阻和互连层，实现了更高的晶体管驱动电流。
该技术升级将增强英特尔代工服务的长期竞争力，但短期内对现货市场价格无直接影响。
SemiAnalysis拆解华为麒麟9030发现，中芯国际N+3工艺局部金属间距达32.5nm，优于英特尔18A量产间距36nm。该芯片采用DUV光刻及多重曝光技术，通过双鳍、接触孔直接位于有源栅极等手段提升密度，但密度仍比英特尔18A低38%。
技术指标落后，短期无供需影响。
三星、英特尔及台积电已启动2nm量产并规划1.4nm节点。台积电侧重差异化技术，三星聚焦良率，英特尔则激进推进GAA与High-NA EUV。
未来先进制程产能与技术路线图将重塑供应链格局。
已经到底了