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英特尔18A-P性能提升18%

英特尔18A-P工艺通过Power Boost和应变工程,将RibbonFET和PowerVia性能提升至第一代以上,功耗降低18%,开关速度提升12%。该工艺在保持设计兼容性的前提下,通过优化接触电阻和互连层,实现了更高的晶体管驱动电流。中性:该技术升级将增强英特尔代工服务的长期竞争力,但短期内对现货市场价格无直接影响。

RibbonFETPowerViaW3P Transistor
technicalperformanceintel

2026/9/2

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