Lumentum演示1060nm VCSEL光互联
Lumentum、Astera Labs和Corning在OCP峰会演示1060nm VCSEL光互联技术,专为AI机架级架构设计。该技术结合了Astera Labs的智能交换机和Corning的多模光纤。
新光互连技术验证将推动未来AI服务器对高速光模块的需求。
- 相关厂商
- Lumentum Holdings Inc、Astera Labs Inc、Corning Inc
- 影响评分
- 10 / 100,低影响
Lumentum、Astera Labs和Corning在OCP峰会演示1060nm VCSEL光互联技术,专为AI机架级架构设计。该技术结合了Astera Labs的智能交换机和Corning的多模光纤。
新光互连技术验证将推动未来AI服务器对高速光模块的需求。
Toray Industries成功测试150°C耐高温薄膜电容原型,散热结构尺寸减半。该技术解决了高功率驱动系统中的热稳定性问题,对飞行汽车等新兴领域至关重要。
长期利好耐高温薄膜电容需求,推动高功率应用设计优化。
压接连接器向AI及工业领域扩张,采用CuNiSi等合金材料。该技术提供免焊接组装方案,支持高集成度与功率密度。
关注高密度连接器及铜合金材料需求,但无具体价格或产能变动数据。
三星代工宣布推迟1.4nm工艺量产至2029年,并坚持使用2nm工艺三年。TSMC计划在2026年H2量产1.6nm A16工艺,三星则推迟High-NA EUV的应用。
该消息属于技术路线图调整,对当前现货价格无直接影响。
A*STAR发布FAPlace框架优化2.5D系统Chiplet放置与中介层占地。该技术旨在消除循环依赖以提升封装设计效率。
长期看利于Chiplet封装技术迭代,但短期无供需影响。
SK海力士通过美国子公司招聘3D堆叠DRAM-on-Logic工程师,并与客户合作开发。该技术旨在解决移动AI的高带宽与低功耗瓶颈,SK海力士正与台积电推进HBM4及下一代架构研发。
(技术路线图更新,短期供需无直接影响)。
SK海力士、TetraMem与南加州大学合作开发基于忆阻器的存内计算SoC。该芯片旨在提升边缘AI能效,但理论峰值仅2.54 TOPS,远低于Copilot+要求。
作为实验性技术验证,目前对现货价格及供需无直接影响。
S2C与Andes Technology在COMPUTEX 2026展示RISC-V IP与FPGA原型验证协同效应。双方利用Andes AX66处理器和S2C Prodigy S8-100平台在AMD Versal SoC上运行LLM。
验证技术进步推动RISC-V生态发展,但短期无现货价影响。
台积电在2026年欧洲技术研讨会上公布A12、A13及N2U工艺路线图,目标在先进封装中提升48倍晶体管密度。此次更新通过设计-技术协同优化(DTCO)和背供电技术,旨在提升能效并支持未来AI算力需求。
该路线图虽预示未来先进制程需求,但未涉及当前现货价格或产能变动。
英飞凌主导欧盟91亿欧元Moore4Power项目,联合62家机构研发下一代功率电子。该项目聚焦“More than Moore”异构集成,涵盖Si、SiC及GaN技术,应用于风电、电动车及铁路。
该技术路线图对未来SiC/GaN产能及效率提升具有长期指引意义。
CSA Catapult开发定制SiC功率模块用于SONATA电动滑行系统,目标功率密度达15 kW/kg。该项目由英国航空技术研究所资助,旨在通过再生制动技术提升航空能效。
SiC功率模块长期技术发展,但短期对现货价格无直接影响。
步科股份一季度无框力矩电机出货3.5万台,人形机器人订单从小批量跨越至批量;容大感光布局AI算力PCB光刻胶,思瑞浦在光模块领域形成多层次产品布局。
机器人及AI算力产业链需求预期,但需关注具体订单规模与产能兑现情况。
牛津大学分拆公司Lumai正在研发面向AI推理的光学计算技术,旨在提升每瓦性能。该公司瞄准数据中心在运行大语言模型和推荐系统时遇到的能效与扩展性瓶颈。
/利多/关注:此为长期研发进展,对当前半导体供应链、价格及交易无直接影响。
英飞凌宣布计划推出基于RISC-V架构的AURIX车规MCU产品。此次转型旨在应对软件定义汽车(SDV)需求及降低对Arm架构的依赖。
RISC-V在车规领域的长期生态建设进度,短期对现货价格无直接影响。
韩华半导体正在开发W2W混合键合设备以支持前端及先进封装工艺。该设备旨在服务逻辑芯片市场,并计划对标行业龙头EV Group的精度水平。此举标志着韩华在先进封装领域的技术布局,需关注后续量产时间表对供应链格局的影响。
Zeus在其华城研究中心建成临时键合与解键合工艺测试平台,为内存客户提供设备与材料测试环境。该设施基于2022年启动的政府项目,旨在支持HBM制造工艺研发。
此为长期研发基础设施投入,对当前元件供应、价格及交易决策无直接影响。
三家固态变压器初创公司融资2.8亿美元,多家巨头加码该技术。该技术利用SiC/GaN等宽禁带半导体,旨在替代传统变压器以实现800V DC数据中心配电。
长期功率半导体需求增长,但当前现货价格无直接影响。
中国国防科技大学与中科院金属所团队利用液态金/钨双金属薄膜CVD法,实现了亚毫米级单层WSi₂N₄薄膜的晶圆级生长,生长速率较文献提升约1000倍。针对后摩尔时代传统硅基芯片面临的短沟道效应与功耗墙挑战,该技术有望解决现有2D材料中高性能p型材料稀缺的瓶颈。
该技术为下一代芯片材料提供了关键支持,但需长期产业化验证。
HRL实验室宣布其T3L 40nm GaN-on-SiC技术达到MRL 6。该技术由波音和通用汽车共同拥有,主要面向国防和高性能商业应用。
(无直接价格影响)。
国防科技大学与中科院金属所联合团队在二维半导体晶圆级生长与可控掺杂领域取得突破,成果发表于《国家科学评论》。该研究旨在为后摩尔时代芯片技术提供材料支撑。
此为远期研发里程碑,对当前元器件供应、价格及交易决策无直接影响。
爆款新品里,到底装了谁的芯片?拆开,一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |