国防科大突破二维半导体晶圆级生长技术

国防科技大学与中科院金属所联合团队在二维半导体晶圆级生长与可控掺杂领域取得突破，成果发表于《国家科学评论》。该研究旨在为后摩尔时代芯片技术提供材料支撑。中性：此为远期研发里程碑，对当前元器件供应、价格及交易决策无直接影响。

来源：财联社电报 · 2026/4/8 · 查看原始来源