Fraunhofer展示500kW/l SiC逆变器
Fraunhofer IZM展示了基于SiC MOSFET和AMB芯片嵌入技术的500 kW/l逆变器模块。该技术通过PCB嵌入和铜顶层金属化降低寄生电感,提升功率密度和热性能。
利多
SiC功率器件封装技术,但当前对现货价格影响中性,属于研发里程碑。
- 相关厂商
- Fraunhofer IZM、Mitsubishi Electric、AT&S、Infineon Technologies
- 影响评分
- 10 / 100,低影响
Fraunhofer IZM展示了基于SiC MOSFET和AMB芯片嵌入技术的500 kW/l逆变器模块。该技术通过PCB嵌入和铜顶层金属化降低寄生电感,提升功率密度和热性能。
SiC功率器件封装技术,但当前对现货价格影响中性,属于研发里程碑。
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此为长期技术进展,对现有电子元件供需及价格无直接影响。
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此为远期研发进展,对当前组件供应、价格及交易决策无直接影响。
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此为远期研发合作,未提及具体产能、价格或供应变动,对当前交易无直接影响。
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