Toshiba推出3300V高压SiC MOSFET模块
Toshiba推出3300V高压SiC MOSFET模块，额定电流达800A。Vishay新增50-150A 650V超结MOSFET模块，工作温度范围宽达-55至+150℃。
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新功率模块发布通常预示着产能扩充或技术迭代，短期对现货价格影响中性，但利好相关产业链。
- 相关厂商
- Toshiba、Vishay、Skyworks
- 料号
- Si829x3300V SiC MOSFET Module
- 影响评分
- 25 / 100，低影响
Toshiba推出3300V高压SiC MOSFET模块，额定电流达800A。Vishay新增50-150A 650V超结MOSFET模块，工作温度范围宽达-55至+150℃。
新功率模块发布通常预示着产能扩充或技术迭代，短期对现货价格影响中性，但利好相关产业链。
东芝推出IX800FXF2YMS4 3300V/800A SiC MOSFET模块，采用第三代技术及银烧结工艺。该产品主要面向轨道交通、UPS等高功率应用场景。
新产品发布，暂无供需或价格变动信号。
AMD 'Gainsborough' APU代号现身驱动，或为Steam Deck 2定制芯片。该芯片采用FF6 BGA封装，传闻基于TSMC N3P工艺。
客户身份存在争议，或同时用于Ryzen Z3手持设备。
Raysolve、Starksemi及LEKIN在CIOE 2026展示雷射微显示光互连方案，Starksemi出货样品且带宽达2.5GHz。随着AI算力需求激增，该技术正从概念验证转向商用部署。
该技术商业化进程对GaN-on-Si及光模块产业链的潜在需求拉动。
东芝推出IX800FXF2YMS4，一款用于工业设备的第三代3300V SiC MOSFET模块。该产品针对铁路车辆和可再生能源系统进行了优化。
该产品展示了东芝在高压SiC领域的持续技术升级。
STMicroelectronics推出SLLIMM Compact系列，首款20A模块STGI15C60S体积缩小30%。该模块专为空调、热泵等家电的低中功率电机驱动设计。
新产品发布，但短期内对现货价格无直接影响。
TSMC 计划 2026 年量产 COUPE CPO 解决方案，实现 200Gbps 操作。该技术通过 SoIC 垂直堆叠电子与光子芯片，提升能效并降低延迟。
TSMC 硅光子代工业务及 AI 互联供应链。
Coherent Corp开始向AI半导体合作伙伴送样300mm高导热碳化硅衬底。此举旨在推进其可扩展材料平台，以满足AI和高性能计算系统日益增长的散热需求。
该产品发布预示着AI散热材料需求增长，可能推动相关SiC衬底供应链的长期需求。
NoMIS Power演示了首款6.5kV大尺寸SiC MOSFET，阻断电压超8kV，导通电阻90mΩ，目前处于样品阶段。该产品计划于2026年第四季度量产，并扩展至10kV及以上的高压SiC器件路线图。
高压SiC器件路线图延伸，但量产时间较晚，对当前供需无直接影响。
英伟达宣布Spectrum-X光子学进入量产，专为AI工厂设计。该技术将激光器数量减少4倍、功耗降低5倍。
利好光模块及激光器供应链，如Lumentum和天孚通信。
STMicroelectronics推出STGAP3S系列栅极驱动器，具备增强电气隔离功能。该系列旨在提升电源设计可靠性。
新产品发布对当前现货价格无直接影响。
Power Integrations宣布推出业界首款2.2kV横向GaN开关，采用Cascode配置。该技术演示瞄准数据中心和电动汽车辅助电源等高电压应用。
这一里程碑表明GaN技术正向更高电压演进，将影响未来的功率密度和供应链规划。
RoboSense发布第二代全固态激光雷达E2，体积缩小60%且重量减少40%。该产品基于自研SPAD-SoC“孔雀”芯片，采用28nm制程与全固态扫描架构。
提升激光雷达集成度与量产潜力。
Largan Precision计划于9月建立光纤阵列（FA）自动化试产线，目标2027年贡献营收。公司宣称其技术精度低于0.3微米，优于行业0.5至0.8微米的水平。
随着AI数据中心CPO渗透率提升，公司正寻求手机镜头外的第二增长曲线。
Vishay推出四款3000W TVS二极管系列，采用DFN6546A封装并具备湿焊边设计。新品针对汽车ADAS及工业自动化领域，提供高达+185°C的高温工作能力。
新品量产供货，满足新兴市场需求。
Power Integrations发布两款基于1700V GaN技术的AI数据中心辅助电源参考设计。该方案针对NVIDIA Kyber平台，可将电路板面积和BOM减少约30%。
长期利好AI服务器高压GaN需求，但短期无直接价格或现货供应影响。
武汉一尧科技实现360TB玻璃硬盘小规模量产，单盘容量达360TB。该技术基于飞秒激光5D光存储，具备10万年寿命及WORM特性，成本仅为传统存储的1/10。
长期看可能冲击传统存储介质市场，但短期对主流存储芯片供需无直接影响。
TDK、微芯及意法半导体推出面向AI数据中心与机器人的新型功率模块与GaN器件。英飞凌启动Si、SiC与GaN异构集成项目，意法半导体与Vishay发布高隔离光耦，旨在提升能效。
新产品发布预示AI与EV领域功率器件需求增长，但短期内对现货价格影响中性。
韩国YC Chem成为首家供应玻璃基板光刻胶的企业，客户计划2026年底量产。随着玻璃基板商业化进程加速，材料供应商正积极布局。
该技术路线对现有封装材料的潜在替代效应。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |