东芝推出3300V/800A SiC模块
东芝推出IX800FXF2YMS4 3300V/800A SiC MOSFET模块，采用第三代技术及银烧结工艺。该产品主要面向轨道交通、UPS等高功率应用场景。
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新产品发布，暂无供需或价格变动信号。
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- Toshiba Electronics Europe
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- IX800FXF2YMS4
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东芝推出IX800FXF2YMS4 3300V/800A SiC MOSFET模块，采用第三代技术及银烧结工艺。该产品主要面向轨道交通、UPS等高功率应用场景。
新产品发布，暂无供需或价格变动信号。
微芯与Navitas推出800V DC至6V DC参考设计，采用GaNFast FETs与dsPIC33AK DSC。该设计旨在提升AI数据中心功率密度与效率，符合OCP 800V标准。
YAGEO推出用于碳化硅和氮化镓栅极驱动的LLC变压器及多层压电致动器。此举旨在拓展其在高功率电子与精密运动控制领域的应用版图。
该新品对相关细分市场需求的结构性拉动。
Mouser Electronics正在分销Nordic Semiconductor的最新连接方案，涵盖nRF54L、nRF54LM20及nRF9151系列开发套件。这些方案支持BLE、Mesh、Matter及LTE-M/NB-IoT协议，其中nRF54LM20B集成了NPU以加速边缘AI应用。
新方案发布主要影响未来市场需求，对当前现货价格无直接冲击。
EPC宣布EPC2370 GaN FET量产，单价2.52美元。该器件专为AI服务器800V/6V架构设计，替代25V MOSFET。
满足AI算力高密度电源需求，现货供应增加。
NoMIS Power演示了首款6.5kV大尺寸SiC MOSFET，阻断电压超8kV，导通电阻90mΩ，目前处于样品阶段。该产品计划于2026年第四季度量产，并扩展至10kV及以上的高压SiC器件路线图。
高压SiC器件路线图延伸，但量产时间较晚，对当前供需无直接影响。
Keystone推出SMT 5mm玻璃保险丝座现货。该产品兼容标准5x20mm保险丝，采用卷带包装以实现自动化组装。对现有价格影响中性。
Power Integrations宣布推出业界首款2.2kV横向GaN开关，采用Cascode配置。该技术演示瞄准数据中心和电动汽车辅助电源等高电压应用。
这一里程碑表明GaN技术正向更高电压演进，将影响未来的功率密度和供应链规划。
Bourns推出集成共模扼流圈的汽车BMS信号变压器及屏蔽功率电感。产品专为紧凑型DC-DC转换器设计。
新产品发布，但无即时供需或价格影响。
EIZO推出基于NVIDIA RTX PRO Blackwell架构的Condor XR2S 6U VPX系列，单卡集成双GPU。该系列支持PCIe Gen 5及GDDR7内存，专为边缘计算和AI推理设计。
新卡发布验证了Blackwell嵌入式GPU的市场需求，利好相关芯片供应。
SiMa Technologies宣布转型为自研硅片的AI软件公司，推出“一键式”物理AI开发环境。Modalix MLSoC旨在提供比传统GPU方案高10倍的能效。
英飞凌推出首款针对AI数据中心HV DC总线的24kW SiC BBU参考设计。该设计采用650V和1200V SiC技术，功率密度达450W/in3，效率超99%。
此设计有望加速数据中心向高压直流架构转型，利好英飞凌SiC产品需求。
英飞凌扩充CoolSiC JFET常关型产品组合，新增封装选项。此举旨在满足AI数据中心及工业应用对高性能功率分配与保护系统的需求。
新产品发布通常不直接改变现货价格，但有助于满足特定高需求场景。
Nordic半导体推出基于nRF54L15的双天线原型标签，专为Apple Find My和Google Find Hub优化。该开发板支持边缘AI和Matter协议，旨在加速资产追踪等低功耗无线产品的概念验证。
作为开发工具，短期内对现货价格无直接影响，但长期可能提振相关物联网芯片需求。
NextSilicon计划将Arbel RISC-V核心量产为64核和128核服务器CPU，目标于2028年Q1上市。该芯片专为AI基础设施和高性能计算设计，旨在提供高性能的RISC-V替代方案。
此举标志着RISC-V架构在服务器领域的进一步成熟，可能改变未来x86和ARM的竞争格局。
Vishay扩展ILHB车规磁珠系列，电流提升至6A。该产品涵盖0402至1206尺寸，满足汽车及工业领域需求。
无直接价格影响。
Bourns推出MH3261-T系列高电流铁氧体磁珠，额定电流最高达11A，尺寸为3.2x1.6mm，专为高密度电源应用设计。该系列具备低直流电阻和宽阻抗范围，有助于在紧凑型系统中实现高效的电磁干扰抑制。对当前价格影响中性，但预示被动元件产能扩张。
英飞凌推出业界首款基于CoolSiC Gen2技术的750V碳化硅双向开关，目前已开始提供样品。该器件采用双裸片共漏极架构，主要面向车载充电器及AI数据中心高压电源等应用。
该产品尚处样品阶段，对当前SiC功率器件现货市场的供需与价格暂无直接影响。
Power Integrations发布两款基于1700V GaN技术的AI数据中心辅助电源参考设计。该方案针对NVIDIA Kyber平台，可将电路板面积和BOM减少约30%。
长期利好AI服务器高压GaN需求，但短期无直接价格或现货供应影响。
英飞凌加入Nvidia MGX生态系统，提供800 VDC至<10 V的电源管理解决方案。该合作利用GaN和SiC技术提升AI服务器功率密度与能效。
预计将提振GaN和SiC功率器件在AI基础设施中的需求。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |