EOI规划2027年AI光通信样品
EOI计划2027年推出AI光通信样品，并依托前五大客户订单推动2026年复苏。该公司正于墨西哥扩产并拓展非头灯汽车电子。
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其AI光通信业务进展及墨西哥扩产计划。
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EOI计划2027年推出AI光通信样品，并依托前五大客户订单推动2026年复苏。该公司正于墨西哥扩产并拓展非头灯汽车电子。
其AI光通信业务进展及墨西哥扩产计划。
Raysolve、Starksemi及LEKIN在CIOE 2026展示雷射微显示光互连方案，Starksemi出货样品且带宽达2.5GHz。随着AI算力需求激增，该技术正从概念验证转向商用部署。
该技术商业化进程对GaN-on-Si及光模块产业链的潜在需求拉动。
MediaTek发布2nm Dimensity 9600 Pro以降低内存使用。在内存成本高企背景下，该芯片旨在减少内存占用。
DRAM短期需求，关注移动端芯片架构优化趋势。
华为发布行业首个搭载NPO的Ascend 960超节点，支持最大10万亿参数模型。该系统旨在突破单卡算力极限以实现AI算力规模化。
华为Ascend芯片及NPO光学组件需求。
ST推出1.1MP车载图像传感器VD56GA，红外灵敏度提升60%。该传感器旨在降低驾驶员和乘客监测系统的成本，支持向更多车型平台普及。
该产品有助于扩大车内感知系统在量产车上的应用，预计将带动相关传感器需求增长。
AMD将在选定的Versal自适应SoC中引入原生UCIe 1.1接口。此举旨在通过模块化芯片组系统降低延迟、功耗及开发成本。
短期对现货价格无直接影响，长期或提升芯片组设计灵活性。
TSMC 计划 2026 年量产 COUPE CPO 解决方案，实现 200Gbps 操作。该技术通过 SoIC 垂直堆叠电子与光子芯片，提升能效并降低延迟。
TSMC 硅光子代工业务及 AI 互联供应链。
Keystone推出SMT 5mm玻璃保险丝座现货。该产品兼容标准5x20mm保险丝，采用卷带包装以实现自动化组装。对现有价格影响中性。
Power Integrations宣布推出业界首款2.2kV横向GaN开关，采用Cascode配置。该技术演示瞄准数据中心和电动汽车辅助电源等高电压应用。
这一里程碑表明GaN技术正向更高电压演进，将影响未来的功率密度和供应链规划。
英伟达与博通开始CPO交换机出货，但光引擎良率与硅光产能承压。
硅光与光引擎板块，短期供应紧张风险上升。
UMC与SILITH宣布完成首批硅光子IC晶圆量产交付。该合作结合了SILITH的1.6T平台与UMC的12英寸产线，服务于AI数据中心光互连。
产能扩张与量产准备就绪，暂无供需缺口信号。
SiMa Technologies宣布转型为自研硅片的AI软件公司，推出“一键式”物理AI开发环境。Modalix MLSoC旨在提供比传统GPU方案高10倍的能效。
Marvell于Q2开始送样3nm工艺的Teralynx T100交换芯片，带宽达102.4Tbps。该芯片专为AI工作负载设计，支持512端口高基数架构及ESUN和UEC协议，旨在降低延迟并提升集群效率。
AI网络交换机需求，验证了高端算力基础设施的持续扩容趋势。
Largan Precision计划于9月建立光纤阵列（FA）自动化试产线，目标2027年贡献营收。公司宣称其技术精度低于0.3微米，优于行业0.5至0.8微米的水平。
随着AI数据中心CPO渗透率提升，公司正寻求手机镜头外的第二增长曲线。
大立光在2026年Computex首次参展，展示面向AI数据中心的共封装光学(CPO)技术。此举标志着该公司寻求在传统镜头业务之外的新增长点，向光通信领域扩张。
属于长期技术趋势与研发里程碑，对当前电子元器件现货交易及供需格局无直接影响。
Marvell发布102.4Tbps交换芯片Teralynx T100，盘前股价飙升超24%。该3nm芯片主打低功耗AI数据中心，并获英伟达20亿美元战略投资背书。
Marvell网络芯片订单及先进制程产能需求，但需警惕落后竞品的市场份额挤压风险。
英伟达宣布基于光电一体封装(CPO)技术的Spectrum-X硅光交换机全面量产。该技术能效提升5倍，由台积电、SPIL、TFC和Foxconn协同完成芯片制造、封装与系统组装。
CPO量产将重塑数据中心光互连供应链，传统光模块需求面临长期替代风险，利好先进封装及硅光代工产能。
友达光电启动Micro LED CPO采样，布局光通信模块。公司寻求面板业务外的新增长路径，视其为未来营收利润驱动力。
技术趋势，目前对现货价格无直接影响。
新加坡初创公司LightSpeed Photonics推出400G近封装光互连产品，瞄准AI数据中心。该公司致力于开发下一代数据中心基础设施的光学收发器。
关注：新产品发布有望提振光学模块需求，但短期供应端无实质影响。
东芝开始出货1200V SiC MOSFET TW007D120E样品，RDS(on)较现有产品降低58%。该器件专为AI数据中心和可再生能源设计，采用QDPAK封装以提升散热性能。
预计2026年量产，将提升数据中心电源转换效率。