Toshiba推出3300V高压SiC MOSFET模块
Toshiba推出3300V高压SiC MOSFET模块，额定电流达800A。Vishay新增50-150A 650V超结MOSFET模块，工作温度范围宽达-55至+150℃。
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新功率模块发布通常预示着产能扩充或技术迭代，短期对现货价格影响中性，但利好相关产业链。
- 相关厂商
- Toshiba、Vishay、Skyworks
- 料号
- Si829x3300V SiC MOSFET Module
- 影响评分
- 25 / 100，低影响
Toshiba推出3300V高压SiC MOSFET模块，额定电流达800A。Vishay新增50-150A 650V超结MOSFET模块，工作温度范围宽达-55至+150℃。
新功率模块发布通常预示着产能扩充或技术迭代，短期对现货价格影响中性，但利好相关产业链。
东芝推出IX800FXF2YMS4 3300V/800A SiC MOSFET模块，采用第三代技术及银烧结工艺。该产品主要面向轨道交通、UPS等高功率应用场景。
新产品发布，暂无供需或价格变动信号。
JAC Motors推出搭载100.46kWh LFP电池的N90 EV卡车，支持100kW直流快充。该车型针对城市物流场景设计。
电动卡车普及将推升动力电池需求。
TDK推出B3272*A/G/T系列DC-link薄膜电容，最高工作温度达+135°C且无需降额。该产品专为高功率密度、高环境温度的电动汽车牵引逆变器及工业驱动器设计。
新产品发布，短期对现货价格影响中性。
Raysolve、Starksemi及LEKIN在CIOE 2026展示雷射微显示光互连方案，Starksemi出货样品且带宽达2.5GHz。随着AI算力需求激增，该技术正从概念验证转向商用部署。
该技术商业化进程对GaN-on-Si及光模块产业链的潜在需求拉动。
东芝推出IX800FXF2YMS4，一款用于工业设备的第三代3300V SiC MOSFET模块。该产品针对铁路车辆和可再生能源系统进行了优化。
该产品展示了东芝在高压SiC领域的持续技术升级。
Vishay推出XFD11KxxCA系列双向TVS器件，峰值脉冲电流达207.1A。该器件采用DO-218AC封装，具备低箝位电压特性，覆盖33V至85V的汽车电气架构。
目前样品及量产供货，交期12周，将增强汽车及工业领域的过压保护能力。
大众安徽与众 08 猎影版 SUV 上市，搭载高通 SA8295P 芯片及双图灵芯片。新车基于 800V 平台，配备 95kWh 电池，支持 0 速激活 NOA。
新车上市增加对高通座舱芯片及高性能计算芯片的需求。
FSP发布Mega GM 1200W电源，定价229美元，美国缺货。该产品采用自研平台与日系电容，性能超越Gold认证。
日系电容需求增加；关注：美国市场供应紧张。
大众与众08猎影版将于9月12日上市，标配双图灵芯片，总算力达1500TOPS。该车基于800V平台打造，搭载宁德时代电池，定位中大型纯电SUV。
高算力车载芯片需求，但新车上市对现货价格影响中性。
Mouser Electronics正在分销Nordic Semiconductor的最新连接方案，涵盖nRF54L、nRF54LM20及nRF9151系列开发套件。这些方案支持BLE、Mesh、Matter及LTE-M/NB-IoT协议，其中nRF54LM20B集成了NPU以加速边缘AI应用。
新方案发布主要影响未来市场需求，对当前现货价格无直接冲击。
联想发布ThinkTab 11S平板，搭载天玑6300芯片，首发价1899元。该机配备8GB内存、128GB存储及7040mAh电池，主打商务办公场景。
刺激天玑6300、LPDDR4X及UFS 2.2芯片需求。
Aratas America LLC推出G3VH高压SiC MOSFET继电器，支持1800V和3300V负载电压。该继电器利用SiC技术实现高电压耐受能力和低导通电阻，适用于半导体测试设备等场景。
信号。
iQOO Neo11 Ultra今日发布，搭载天玑9500M芯片与9100mAh大电池。该机主打游戏体验，配备8K冰穹散热与KPL认证。
短期提振中端芯片需求，但市场影响有限。
NoMIS Power演示了首款6.5kV大尺寸SiC MOSFET，阻断电压超8kV，导通电阻90mΩ，目前处于样品阶段。该产品计划于2026年第四季度量产，并扩展至10kV及以上的高压SiC器件路线图。
高压SiC器件路线图延伸，但量产时间较晚，对当前供需无直接影响。
Power Integrations宣布其PowiGaN技术电压等级提升至2200V，预计2028年底量产。该技术打破了此前1700V的电压上限，将应用于数据中心和电动汽车等高功率场景。
高压GaN市场前景明确，将推动相关产品未来价格上涨。
Power Integrations宣布推出业界首款2.2kV横向GaN开关，采用Cascode配置。该技术演示瞄准数据中心和电动汽车辅助电源等高电压应用。
这一里程碑表明GaN技术正向更高电压演进，将影响未来的功率密度和供应链规划。
STMicroelectronics发布Pin兼容BMIC支持48V/96V应用。该芯片符合ASIL-D标准，专为混合动力及纯电动汽车锂电池组设计。
新品发布将推动汽车级BMIC需求增长。
三星Galaxy F70 Pro现身Geekbench，跑分显示其搭载骁龙6 Gen 3芯片。该机配备8GB内存、6.7英寸120Hz屏幕及6000mAh电池。
新机搭载骁龙6 Gen 3，对相关芯片需求有轻微提振作用。
RoboSense发布第二代全固态激光雷达E2，体积缩小60%且重量减少40%。该产品基于自研SPAD-SoC“孔雀”芯片，采用28nm制程与全固态扫描架构。
提升激光雷达集成度与量产潜力。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |