Toshiba推出3300V高压SiC MOSFET模块
Toshiba推出3300V高压SiC MOSFET模块，额定电流达800A。Vishay新增50-150A 650V超结MOSFET模块，工作温度范围宽达-55至+150℃。
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新功率模块发布通常预示着产能扩充或技术迭代，短期对现货价格影响中性，但利好相关产业链。
- 相关厂商
- Toshiba、Vishay、Skyworks
- 料号
- Si829x3300V SiC MOSFET Module
- 影响评分
- 25 / 100，低影响
Toshiba推出3300V高压SiC MOSFET模块，额定电流达800A。Vishay新增50-150A 650V超结MOSFET模块，工作温度范围宽达-55至+150℃。
新功率模块发布通常预示着产能扩充或技术迭代，短期对现货价格影响中性，但利好相关产业链。
Kioxia推出搭载Gen 3 XL-FLASH技术的GP系列SSD，随机读取性能提升至2000万IOPS以上。新款LD4 SSD采用PCIe 5接口和BiCS 8 218层闪存，面向AI数据中心市场。
AI算力需求推动高性能存储升级，但新品发布暂无现货价影响。
东芝推出IX800FXF2YMS4 3300V/800A SiC MOSFET模块，采用第三代技术及银烧结工艺。该产品主要面向轨道交通、UPS等高功率应用场景。
新产品发布，暂无供需或价格变动信号。
Renesas推出首款100V增强模式GaN FET，涵盖RTP100E005G1FL等型号。该产品专为AI数据中心、工业自动化等高功率密度场景设计，具备超快开关速度。
新产品线拓展有望提升公司在高功率半导体领域的市场份额。
Saelig公司推出MegiQ RMS 3D全向天线测量系统，支持370MHz至6GHz频段及±1.0dB精度。该系统旨在替代昂贵的电波暗室，允许工程师在普通实验室进行全球面辐射测量。
新产品发布，暂无明确的供需或价格变动信号。
JAC Motors推出搭载100.46kWh LFP电池的N90 EV卡车，支持100kW直流快充。该车型针对城市物流场景设计。
电动卡车普及将推升动力电池需求。
TDK推出B3272*A/G/T系列DC-link薄膜电容，最高工作温度达+135°C且无需降额。该产品专为高功率密度、高环境温度的电动汽车牵引逆变器及工业驱动器设计。
新产品发布，短期对现货价格影响中性。
EOI计划2027年推出AI光通信样品，并依托前五大客户订单推动2026年复苏。该公司正于墨西哥扩产并拓展非头灯汽车电子。
其AI光通信业务进展及墨西哥扩产计划。
东芝推出IX800FXF2YMS4，一款用于工业设备的第三代3300V SiC MOSFET模块。该产品针对铁路车辆和可再生能源系统进行了优化。
该产品展示了东芝在高压SiC领域的持续技术升级。
Lattice半导体推出Mach-N2 FPGA系列，集成闪存与后量子密码学功能，今日可下单。该系列面向长期基础设施项目，满足CNSA 2.0合规及系统控制与安全需求。
新产品发布虽具技术前瞻性，但短期内对现货价格影响中性。
DapuStor发布J5060企业级SSD，通过牺牲6%至20%的QLC容量换取更快的随机写入性能。该产品旨在解决QLC写入慢的问题，但目前缺乏定价及上市时间。
新品发布暂无现货影响。
STMicroelectronics推出SLLIMM Compact系列，首款20A模块STGI15C60S体积缩小30%。该模块专为空调、热泵等家电的低中功率电机驱动设计。
新产品发布，但短期内对现货价格无直接影响。
SK海力士在AI Infra Summit 2026展示了HBF、PIM/AiMX及SALT-KV等下一代AI内存技术。该技术旨在填补HBM与SSD之间的空白，以适应推理时代的算力需求。
关注：此次展示主要聚焦技术愿景，尚未披露具体产能规划或价格影响。
美光推出首款512GB DDR5-9200 RDIMM，获AMD和Intel验证。该模块功耗仅16W，比四颗128GB模块低60%，采用先进TSV封装。
目前对现货价格无直接影响，主要面向未来AI和高性能计算需求。
ST推出L4983 PFC控制器，针对kW级电源设计，评估板峰值效率达97.4%。该芯片集成多种保护与待机模式，旨在提升工业及服务器电源能效。
新产品发布，对当前现货价格及供应链无直接影响。
华为9月7日发布Mate XT 2，全系搭载麒麟9050 Pro芯片，整机性能较前代提升42%。该芯片采用独创“韬定律”逻辑折叠架构，通过内部立体分层结构实现性能与能效突破。
华为全栈自研体系完善，有望带动国产半导体产业链升级，但短期对通用芯片现货价格影响中性。
英特尔推出Crescent Island离散GPU，配备32个Xe核心及最高480GB LPDDR5X内存。该设计专为代理AI推理优化，通过稀疏路由和推测解码提升每瓦Token数。
新架构将提振对高带宽大容量内存（LPDDR5X）及AI加速器的需求。
Cerebras Systems于2026年8月推出新一代AI加速器CS-4，性能较GPU方案提升30倍。该产品基于三颗WSE-3 Turbo芯片构建，算力达750 PFLOPs，功耗效率提升10倍。
作为行业首款30倍性能提升的加速器，CS-4将重塑AI推理市场格局，对现有GPU厂商构成直接竞争压力。
松下推出厚膜电流检测电阻，成本最高可降50%以替代金属分流电阻。该产品针对低中电流应用，通过优化材料和结构解决低阻值与低TCR的权衡问题。
该替代方案在特定应用中具有显著的成本优势和热性能提升，可能改变现有电阻选型逻辑。
NoMIS Power演示了首款6.5kV大尺寸SiC MOSFET，阻断电压超8kV，导通电阻90mΩ，目前处于样品阶段。该产品计划于2026年第四季度量产，并扩展至10kV及以上的高压SiC器件路线图。
高压SiC器件路线图延伸，但量产时间较晚，对当前供需无直接影响。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |