NoMIS Power演示6.5kV SiC MOSFET,量产定于2026年Q4
NoMIS Power演示了首款6.5kV大尺寸SiC MOSFET,阻断电压超8kV,导通电阻90mΩ,目前处于样品阶段。该产品计划于2026年第四季度量产,并扩展至10kV及以上的高压SiC器件路线图。
高压SiC器件路线图延伸,但量产时间较晚,对当前供需无直接影响。
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NoMIS Power演示了首款6.5kV大尺寸SiC MOSFET,阻断电压超8kV,导通电阻90mΩ,目前处于样品阶段。该产品计划于2026年第四季度量产,并扩展至10kV及以上的高压SiC器件路线图。
高压SiC器件路线图延伸,但量产时间较晚,对当前供需无直接影响。
Hirect在CWIEME 2026推出CTC、PICC及EPICC铜导体,启用新厂量产高压组件。该产品专为电网、铁路等基础设施的变压器与电机设计。
产能扩张可能增加铜导体供应,缓解高压组件用材的短缺压力。
瑞萨电子发布TP65B110HRU,一款650V双向GaN开关,宣称可在太阳能微逆变器等应用中减少一半开关器件并实现超97.5%系统效率。此举基于耗尽型GaN技术,旨在简化电源架构并提升功率密度。
此为新产品发布,未提及产能、供应或价格变动,对现有元件交易无直接影响。
台湾半导体推出两款车规级1200V SiC肖特基整流器,型号为TSCDFS01120G2H(1A)和TSCDFS02120G2H(2A),采用SOD-128封装。此举为该公司在汽车SiC功率器件产品线的常规扩充。
新品发布未直接影响现有元件的供应、需求或价格。
SemiQ推出1200V QSiC™ Dual3碳化硅半桥模块系列,声称功率密度达240 W/in³,旨在替代IGBT。新品针对数据中心液冷与储能变流器市场,迎合AI算力带来的高功率需求。
此为常规新品发布,未提及产能、价格或供应变动,对现有元件交易无直接影响。
SemiQ推出5款SOT-227模块,RDSon值分别为7.4mΩ、14.5mΩ和34mΩ。该模块采用肖特基二极管设计,在高温下具有更低的开关损耗。
新模块增加供应选择,但短期内对现货价格影响有限。
Nexperia为其产品组合新增两款1200V 20A碳化硅肖特基二极管。此举旨在满足数据中心、可再生能源等电力密集型基础设施应用对高效功率器件的需求。
新品发布增加了市场供应选择,但未改变现有供需格局或预示短期价格变动。
EPC公司宣布提供EPC2366工程样品,这是一款40V、0.8mΩ的氮化镓功率晶体管。该器件旨在取代传统硅MOSFET,用于高性能DC-DC转换器和同步整流器等应用。
此为常规新品发布,未影响现有元件供需格局,对交易无直接方向性影响。
Diodes公司推出五款4A至12A的650V低FOM SiC肖特基二极管系列DSCxxA065LP。新品采用高效封装,面向数据中心AI负载、可再生能源等高效率电源应用。
此为常规产品线扩充,在竞争性细分市场增加供给,对现货价格和供需无直接影响。
英飞凌推出首个集成肖特基二极管的工业级GaN功率晶体管产品家族CoolGaN G5。该集成方案旨在降低系统死区损耗、简化设计并减少物料成本。
此为新产品发布,对现有元器件的供应、需求及价格无直接即时影响。
英飞凌推出2000V CoolSiC肖特基二极管G5系列,号称首款2000V击穿电压的独立SiC二极管。此举旨在满足工业应用向更高直流母线电压发展的趋势。
此为新产品发布,对现有元件的供应、需求及价格无直接即时影响。
Vishay推出16款采用SOT-227封装的650V与1200V碳化硅肖特基二极管新品。此举旨在扩充其在高功率应用领域的产品组合,满足市场对标准封装SiC器件的需求。
新品上市仅增加市场可选型号,对现有碳化硅二极管库存的价格及供应格局无直接影响。
ROHM的EcoSiC MOSFET和肖特基二极管已被COSEL采用,用于其HFA/HCA系列3.5kW AC-DC电源,效率高达94%。HCA系列自2023年量产,HFA系列于2024年开始量产。
此次特定设计中标证实了SiC在电源领域的应用趋势,但未对SiC元件的整体供需或价格产生直接影响。
罗姆半导体推出16款新型表面贴装SiC肖特基二极管,首批8款已上市,另8款工业型号预计12月推出。新产品通过增大爬电距离提升了绝缘性能,主要面向汽车和工业应用。
此次产品线扩充属于常规技术迭代,未改变现有元件的供需格局或价格预期。
英飞凌推出650V G5 CoolGaN晶体管新品,扩展其高压氮化镓产品组合,目标应用包括消费类充电器、数据中心和可再生能源。此举属于GaN功率半导体市场竞争环境下的常规产品迭代。
新品上市增加市场供应选项,但未改变功率元器件的整体供需格局或价格走势。
英飞凌推出首款2000V耐压的CoolSiC肖特基二极管G5,电流范围10A至80A。该产品专为太阳能和电动汽车充电等高直流链路电压应用设计,旨在降低功率损耗。
新高压SiC器件上市,有望提升下游应用能效。
东芝电子元件及存储株式会社推出TRSxxx120Hx系列共10款1200V第三代SiC肖特基二极管,并已开始发货。此举旨在扩充其面向光伏逆变器、电动汽车充电站等工业设备的SiC产品阵容。
此为常规产品线更新,未提及产能变化或供应中断,对现货市场价格无直接影响。
SemiQ公司为其1200V QSiC系列碳化硅功率模块新增S7封装选项。此举旨在为需要更高效率的旧系统提供紧凑型设计及原位替换方案。
此次产品线常规扩充,未对碳化硅元件市场的供应、需求或价格产生直接可量化的交易影响。
Vishay推出16款全新第三代1200V SiC肖特基二极管,电流覆盖5至40安培。新品采用MPS设计,旨在提升开关电源应用的效率与可靠性。
此次产品线扩充为设计提供更多选择,但未对现有SiC二极管市场的供需或价格产生直接影响。
SemiQ公司推出1700V碳化硅肖特基分立二极管及双二极管模块,扩充其QSiC产品线。此举旨在满足高压应用市场需求,属于常规产品迭代。
新品上市为市场提供更多选择,但未对现有元件供需或价格产生直接影响。
爆款新品里,到底装了谁的芯片?拆开,一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |