NuAxi半导体贸易情报
低影响影响力评分：15/100
瑞萨发布650V双向GaN开关TP65B110HRU
瑞萨电子发布TP65B110HRU，一款650V双向GaN开关，宣称可在太阳能微逆变器等应用中减少一半开关器件并实现超97.5%系统效率。此举基于耗尽型GaN技术，旨在简化电源架构并提升功率密度。中性：此为新产品发布，未提及产能、供应或价格变动，对现有元件交易无直接影响。
GaN SwitchPower Semiconductor
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来源：Power Electronics News · 2026/3/26 · 查看原始来源
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