Toshiba推出3300V高压SiC MOSFET模块
Toshiba推出3300V高压SiC MOSFET模块，额定电流达800A。Vishay新增50-150A 650V超结MOSFET模块，工作温度范围宽达-55至+150℃。
关注
新功率模块发布通常预示着产能扩充或技术迭代，短期对现货价格影响中性，但利好相关产业链。
- 相关厂商
- Toshiba、Vishay、Skyworks
- 料号
- Si829x3300V SiC MOSFET Module
- 影响评分
- 25 / 100，低影响
Toshiba推出3300V高压SiC MOSFET模块，额定电流达800A。Vishay新增50-150A 650V超结MOSFET模块，工作温度范围宽达-55至+150℃。
新功率模块发布通常预示着产能扩充或技术迭代，短期对现货价格影响中性，但利好相关产业链。
东芝推出IX800FXF2YMS4 3300V/800A SiC MOSFET模块，采用第三代技术及银烧结工艺。该产品主要面向轨道交通、UPS等高功率应用场景。
新产品发布，暂无供需或价格变动信号。
东芝推出IX800FXF2YMS4，一款用于工业设备的第三代3300V SiC MOSFET模块。该产品针对铁路车辆和可再生能源系统进行了优化。
该产品展示了东芝在高压SiC领域的持续技术升级。
Alkaidsemi推出全球首款1200V SiC超结MOSFET。该产品率先完成验证，瞄准AI服务器电源及高压直流数据中心架构。
验证成功有助于抢占AI服务器电源市场，利好SiC功率芯片需求预期。
EPC宣布EPC2370 GaN FET量产，单价2.52美元。该器件专为AI服务器800V/6V架构设计，替代25V MOSFET。
满足AI算力高密度电源需求，现货供应增加。
Aratas America LLC推出G3VH高压SiC MOSFET继电器，支持1800V和3300V负载电压。该继电器利用SiC技术实现高电压耐受能力和低导通电阻，适用于半导体测试设备等场景。
信号。
NoMIS Power演示了首款6.5kV大尺寸SiC MOSFET，阻断电压超8kV，导通电阻90mΩ，目前处于样品阶段。该产品计划于2026年第四季度量产，并扩展至10kV及以上的高压SiC器件路线图。
高压SiC器件路线图延伸，但量产时间较晚，对当前供需无直接影响。
Power Integrations宣布推出业界首款2.2kV横向GaN开关，采用Cascode配置。该技术演示瞄准数据中心和电动汽车辅助电源等高电压应用。
这一里程碑表明GaN技术正向更高电压演进，将影响未来的功率密度和供应链规划。
AOS推出AOPL66801 80V MOSFET，采用DFN6x5 AmpStack封装，通过垂直堆叠和Clip设计提升功率密度并降低寄生电感。该产品主要面向电动工具及AI工厂等高密度应用，属于新产品发布，暂无明确的供需或价格影响。
Diodes推出DML1012ALDSQ智能负载开关，起价0.17美元。该器件专为汽车ADAS等应用设计，具备8mΩ低导通电阻及6A持续电流能力。
新器件进入市场，可能提升Diodes在汽车电源管理领域的份额。
技嘉宣布推出 AORUS GeForce RTX 5080 INFINITY 16G 与 WOOD 版两款显卡，均搭载 16GB GDDR7 显存。该系列为庆祝技嘉成立 40 周年而设计，预计将于 2026 年 7 月上市，目前尚未在电商平台显示。
（中性）。
Nexperia推出1200V SiC MOSFET QDPAK封装。该封装专为高功率密度和热需求应用优化，扩展了其宽禁带产品组合。
新封装有助于提升SiC器件在高功率场景下的散热性能与市场竞争力。
Wolfspeed发布第五代SiC MOSFET技术，针对1200V和750V汽车及工业应用。该技术展示了显著的效率提升，旨在满足下一代功率器件需求。
新世代产品发布通常预示未来需求增长，但短期内对现货价格影响有限。
英飞凌推出IGK048B041S和IGK120B041S两款CoolGaN BDS开关，PCB面积减82%。新器件针对便携式电源系统，具备更低导通电阻和漏电流。
推动英飞凌GaN产品线扩展及300mm晶圆制造产能落地。
东芝开始出货1200V SiC MOSFET TW007D120E样品，RDS(on)较现有产品降低58%。该器件专为AI数据中心和可再生能源设计，采用QDPAK封装以提升散热性能。
预计2026年量产，将提升数据中心电源转换效率。
Stackpole推出RVCU系列高电压芯片电阻，VCR降至25-50ppm。该产品专为精密分压器和测量应用设计，旨在提升稳定性。
（中性）：新产品发布，对现有市场供需及价格影响有限。
英飞凌扩充XHP 2功率模块范围，新增2300V CoolSiC MOSFET变体。该产品支持高达1500V的直流链路电压，旨在满足可再生能源基础设施对更高系统电压的需求。
新产品发布通常预示产能扩充，短期内对现货价格影响中性，但长期利好高电压能源系统供应链。
Alpha and Omega Semiconductor发布针对AI服务器与高端GPU的SmartClamp™ DrMOS系列，旗舰型号为AOZ53228QI。该产品集成过流保护功能，旨在解决高负载下电感饱和导致的电流失控风险。
此为常规新品发布，未提及对现有元件供应、需求或价格的直接影响。
东芝推出TLX9920光耦，用于SSR中的MOSFET栅极驱动，具备5000Vrms隔离电压。该器件专为汽车BMS、OBC及工业电源控制设计，采用SO6L封装，满足AEC-Q101标准。
新产品发布对隔离器件需求的潜在拉动。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |