Toshiba推出3300V高压SiC MOSFET模块
Toshiba推出3300V高压SiC MOSFET模块,额定电流达800A。Vishay新增50-150A 650V超结MOSFET模块,工作温度范围宽达-55至+150℃。
新功率模块发布通常预示着产能扩充或技术迭代,短期对现货价格影响中性,但利好相关产业链。
- 相关厂商
- Toshiba、Vishay、Skyworks
- 料号
- Si829x3300V SiC MOSFET Module
- 影响评分
- 25 / 100,低影响
Toshiba推出3300V高压SiC MOSFET模块,额定电流达800A。Vishay新增50-150A 650V超结MOSFET模块,工作温度范围宽达-55至+150℃。
新功率模块发布通常预示着产能扩充或技术迭代,短期对现货价格影响中性,但利好相关产业链。
STMicroelectronics推出SLLIMM Compact系列,首款20A模块STGI15C60S体积缩小30%。该模块专为空调、热泵等家电的低中功率电机驱动设计。
新产品发布,但短期内对现货价格无直接影响。
Power Integrations宣布推出业界首款2.2kV横向GaN开关,采用Cascode配置。该技术演示瞄准数据中心和电动汽车辅助电源等高电压应用。
这一里程碑表明GaN技术正向更高电压演进,将影响未来的功率密度和供应链规划。
英飞凌推出IGK048B041S和IGK120B041S两款CoolGaN BDS开关,PCB面积减82%。新器件针对便携式电源系统,具备更低导通电阻和漏电流。
推动英飞凌GaN产品线扩展及300mm晶圆制造产能落地。
Alpha and Omega Semiconductor发布针对AI服务器与高端GPU的SmartClamp™ DrMOS系列,旗舰型号为AOZ53228QI。该产品集成过流保护功能,旨在解决高负载下电感饱和导致的电流失控风险。
此为常规新品发布,未提及对现有元件供应、需求或价格的直接影响。
SK Signet推出400kW高功率DC充电平台,将功率电子与分配器硬件集成。该设计旨在提高充电站的功率密度,美国初始生产阶段正在进行中。
功率半导体(IGBT/SiC)需求潜力。
SemiQ推出1200V QSiC™ Dual3碳化硅半桥模块系列,声称功率密度达240 W/in³,旨在替代IGBT。新品针对数据中心液冷与储能变流器市场,迎合AI算力带来的高功率需求。
此为常规新品发布,未提及产能、价格或供应变动,对现有元件交易无直接影响。
Wolfspeed推出业界首款商用10kV SiC功率MOSFET,宣称可将系统成本降低30%,功率密度提升300%。该产品主要面向AI数据中心电网、中压UPS及固态变压器等高压应用场景。
此为技术研发里程碑,对现有现货市场供需及价格无直接影响。
Wolfspeed推出首款商用10kV SiC MOSFET CPM3-10000-0300A,旨在解决电网及工业电源转换的可靠性挑战。该器件具备高效率与快速开关特性,可简化多级拓扑结构并替代IGBT。
高电压SiC技术突破,有望推动工业及电网电源转换效率提升。
安森美推出首款基于1200V SiC MOSFET的SPM 31系列智能功率模块,宣称其能效与功率密度优于场截止7型IGBT方案。该产品发布属于公司常规技术迭代与市场拓展。
新品发布可能影响长期需求结构,但对当前现货市场价格及供应无直接冲击。
英飞凌宣布其新款CoolSiC混合分立器件获中国厂商VMAX采用,用于6.6kW车载充电器。该器件将TRENCHSTOP 5 IGBT与CoolSiC肖特基二极管集成于D2PAK封装,旨在优化成本性能。
此为常规产品发布与客户采用新闻,未提及产能、短缺或价格变动,对当前交易无直接方向性影响。
三菱电机宣布推出六款用于电动汽车逆变器的J3系列功率模块新品,将于3月25日开始提供样品。此举旨在扩大其在快速增长的新能源汽车市场的产品组合。
此次为标准新品发布,对现有功率半导体的供应、需求及价格无直接影响。
英飞凌为其CoolSiC 1200V和2000V MOSFET模块系列新增了基于M1H技术的62mm标准封装。此举旨在进军250kW以上的中功率应用市场,以SiC技术替代硅基IGBT。
此次产品线扩充属于常规技术迭代,可能逐步提升相关模块需求,但未对当前现货供应或价格构成直接影响。
安森美EliteSiC MOSFET与IGBT功率模块获中国盛弘电气太阳能逆变器及200kW储能系统采用。双方合作旨在提升光伏及储能系统的功率转换性能。
/利多/关注: 中性,此为特定客户的设计中标新闻,未对相关元件的市场供需及现货价格产生直接影响。
英飞凌推出HybridPACK Drive G2汽车功率模块,提供750V和1200V电压选项及下一代芯片技术。该产品基于G1架构升级,旨在满足电动汽车牵引逆变器对更高功率和易用性的需求。
作为常规新品发布,未提及对现有元件供应、库存或价格的直接影响。
已经到底了
爆款新品里,到底装了谁的芯片?拆开,一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |