Toshiba推出3300V高压SiC MOSFET模块
Toshiba推出3300V高压SiC MOSFET模块，额定电流达800A。Vishay新增50-150A 650V超结MOSFET模块，工作温度范围宽达-55至+150℃。
关注
新功率模块发布通常预示着产能扩充或技术迭代，短期对现货价格影响中性，但利好相关产业链。
- 相关厂商
- Toshiba、Vishay、Skyworks
- 料号
- Si829x3300V SiC MOSFET Module
- 影响评分
- 25 / 100，低影响
Toshiba推出3300V高压SiC MOSFET模块，额定电流达800A。Vishay新增50-150A 650V超结MOSFET模块，工作温度范围宽达-55至+150℃。
新功率模块发布通常预示着产能扩充或技术迭代，短期对现货价格影响中性，但利好相关产业链。
Coherent启动300mm高导热SiC衬底客户送样，散热性能较现有方案提升25%。此举旨在满足AI及HPC领域日益严苛的散热需求。
标志着公司SiC材料技术从研发向商业化评估过渡，未来有望增强先进封装散热材料供应能力。
VIAVI Solutions推出µPNT GDO-1000，采用M.2 B-key格式，尺寸22mm x 42mm，功耗约0.5瓦。该模块针对国防、空中平台及数据中心等受限环境，提供双频L1/L5接收及微秒级24小时保持时间，旨在替代昂贵的CSAC或体积庞大的OCXO。
新授时模块上市，可能改变CSAC与OCXO的市场需求结构。
Microchip Technology发布专为低功耗应用设计的真空微型晶体振荡器。该产品主打高稳定性、高精度及长期可靠性。
短期内对现货市场价格和供应链供需无实质性影响。
Microchip Technology推出EX-423 EMXO，功耗低至0.2W。该产品专为GPS、卫星通信等高稳定性需求场景设计，采用13mm x 13mm封装。
新晶振产品上市，利好Microchip Timing业务。
La Luce Cristallina在奥斯汀新厂开始生产200mm钛酸钡晶圆，年产能200-250片，并计划推出300mm产品。该材料针对6G通信、AI数据中心等高性能光子集成电路应用。
此为小众技术研发进展，对主流电子元件供应链及现货价格无直接影响。
博世推出第三代SiC芯片并向车企提供样品，旨在提升电动汽车续航与效率。此举顺应了数据中心与电动汽车对高效率功率半导体的迫切需求。
车规级SiC市场长期发展。
Arkham推出支持625MHz的次世代差动振荡器，面向AI服务器等应用。该产品旨在满足高性能计算对更高频率和稳定性的需求。
此为新品发布，对现有组件供需及价格无直接影响。
大立光電預計其膽固醇液晶配向膜將於2026年進入量產。該公司正擴大半導體材料組合，同時顯示材料營收預計持平。
/利空/关注: 中性，此為長期產品路線圖公告，無直接交易影響。
Syntiant与Seltech将展示边缘AI语音解决方案。基于双方2025年1月签署的战略协议，合作范围已从MEMS麦克风扩展至全系列边缘AI处理器。
该展示预示着低功耗语音识别芯片需求潜力，但尚未影响现货价格。
Novel Crystal Technology开始出货150mm氧化镓晶圆样品，目标2029年量产。这是下一代宽禁带半导体材料的长期研发里程碑。
对当前交易无直接影响，属于多年期发展规划。
浙江赛思将在MWC2026展示其自研SLIC芯片及44fs超低抖动差分振荡器等产品。该公司是国内时频同步与通信芯片领域的关键厂商。
此为常规产品发布，未提及产能、订单或价格变动，对当前交易无直接影响。
HexaTech公司宣布立即量产3英寸（76.2毫米）单晶氮化铝衬底产品。氮化铝衬底主要用于制造高功率射频器件和深紫外光电器件。
该产品发布属于特定高端材料的技术迭代，对当前主流电子元件的供需及交易价格无直接影响。
已经到底了