Toshiba推出3300V高压SiC MOSFET模块
Toshiba推出3300V高压SiC MOSFET模块，额定电流达800A。Vishay新增50-150A 650V超结MOSFET模块，工作温度范围宽达-55至+150℃。
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新功率模块发布通常预示着产能扩充或技术迭代，短期对现货价格影响中性，但利好相关产业链。
- 相关厂商
- Toshiba、Vishay、Skyworks
- 料号
- Si829x3300V SiC MOSFET Module
- 影响评分
- 25 / 100，低影响
Toshiba推出3300V高压SiC MOSFET模块，额定电流达800A。Vishay新增50-150A 650V超结MOSFET模块，工作温度范围宽达-55至+150℃。
新功率模块发布通常预示着产能扩充或技术迭代，短期对现货价格影响中性，但利好相关产业链。
东芝推出IX800FXF2YMS4 3300V/800A SiC MOSFET模块，采用第三代技术及银烧结工艺。该产品主要面向轨道交通、UPS等高功率应用场景。
新产品发布，暂无供需或价格变动信号。
Vishay推出XFD11KxxCA系列双向TVS器件，峰值脉冲电流达207.1A。该器件采用DO-218AC封装，具备低箝位电压特性，覆盖33V至85V的汽车电气架构。
目前样品及量产供货，交期12周，将增强汽车及工业领域的过压保护能力。
ST推出L4983 PFC控制器，针对kW级电源设计，评估板峰值效率达97.4%。该芯片集成多种保护与待机模式，旨在提升工业及服务器电源能效。
新产品发布，对当前现货价格及供应链无直接影响。
Coherent启动300mm高导热SiC衬底客户送样，散热性能较现有方案提升25%。此举旨在满足AI及HPC领域日益严苛的散热需求。
标志着公司SiC材料技术从研发向商业化评估过渡，未来有望增强先进封装散热材料供应能力。
EPC宣布EPC2370 GaN FET量产，单价2.52美元。该器件专为AI服务器800V/6V架构设计，替代25V MOSFET。
满足AI算力高密度电源需求，现货供应增加。
NoMIS Power演示了首款6.5kV大尺寸SiC MOSFET，阻断电压超8kV，导通电阻90mΩ，目前处于样品阶段。该产品计划于2026年第四季度量产，并扩展至10kV及以上的高压SiC器件路线图。
高压SiC器件路线图延伸，但量产时间较晚，对当前供需无直接影响。
Power Integrations宣布推出业界首款2.2kV横向GaN开关，采用Cascode配置。该技术演示瞄准数据中心和电动汽车辅助电源等高电压应用。
这一里程碑表明GaN技术正向更高电压演进，将影响未来的功率密度和供应链规划。
英伟达发布Vera CPU，搭载88个Armv9.2核心及1.5TB LPDDR5X内存，Meta、字节跳动等云厂商已预订。该芯片采用台积电3nm工艺，旨在作为AI节点及AI代理主机。
台积电3nm产能及LPDDR5X需求，预计将推动相关供应链订单增长。
横河电机发布WT1500精密功率分析仪，支持高达2000V DC输入。该设备专为电动汽车和可再生能源设备的开发与性能评估而设计。
有助于提升高压系统测试效率，但属于测试仪器新品，对半导体芯片供需无直接影响。
Bourns发布了SRP2010PA、SRP2510PA和SRP2512PA系列屏蔽功率电感。该产品采用金属合金粉末芯和屏蔽结构，专为高电流、低高度及汽车级应用设计。
新系列现已上市，主要针对汽车和DC-DC转换器市场，对现有库存价格无直接影响。
Certus半导体在DAC 2026上宣布为GlobalFoundries 12LP和12LP+工艺推出两款新I/O库，涵盖商业SoC及辐射加固应用。该库针对SoC、ASIC及FPGA设计，预计今年可流片。
Certus半导体IP业务，但对整体硅晶圆及元器件现货市场影响中性。
Murata推出GCJ21BD72A225KE02，首款0805尺寸2.2µF 100V汽车MLCC。该器件专为48V架构设计，较前代节省51%安装面积。
Murata扩充汽车级MLCC产品线，主要影响供应链布局而非即时价格。
Vishay推出四款3000W TVS二极管系列，采用DFN6546A封装并具备湿焊边设计。新品针对汽车ADAS及工业自动化领域，提供高达+185°C的高温工作能力。
新品量产供货，满足新兴市场需求。
Bourns推出MH3261-T系列高电流铁氧体磁珠，额定电流最高达11A，尺寸为3.2x1.6mm，专为高密度电源应用设计。该系列具备低直流电阻和宽阻抗范围，有助于在紧凑型系统中实现高效的电磁干扰抑制。对当前价格影响中性，但预示被动元件产能扩张。
英飞凌推出业界首款基于CoolSiC Gen2技术的750V碳化硅双向开关，目前已开始提供样品。该器件采用双裸片共漏极架构，主要面向车载充电器及AI数据中心高压电源等应用。
该产品尚处样品阶段，对当前SiC功率器件现货市场的供需与价格暂无直接影响。
EPC发布EPC91123评估板，实现800VDC至12.5VDC、6kW隔离转换。该产品专为支持NVIDIA MGX AI工厂生态系统设计，适配800VDC服务器架构。
GaN功率器件长期需求，但当前现货价格无直接波动。
Power Integrations发布两款基于1700V GaN技术的AI数据中心辅助电源参考设计。该方案针对NVIDIA Kyber平台，可将电路板面积和BOM减少约30%。
长期利好AI服务器高压GaN需求，但短期无直接价格或现货供应影响。