Toshiba推出3300V高压SiC MOSFET模块
Toshiba推出3300V高压SiC MOSFET模块，额定电流达800A。Vishay新增50-150A 650V超结MOSFET模块，工作温度范围宽达-55至+150℃。
关注
新功率模块发布通常预示着产能扩充或技术迭代，短期对现货价格影响中性，但利好相关产业链。
- 相关厂商
- Toshiba、Vishay、Skyworks
- 料号
- Si829x3300V SiC MOSFET Module
- 影响评分
- 25 / 100，低影响
Toshiba推出3300V高压SiC MOSFET模块，额定电流达800A。Vishay新增50-150A 650V超结MOSFET模块，工作温度范围宽达-55至+150℃。
新功率模块发布通常预示着产能扩充或技术迭代，短期对现货价格影响中性，但利好相关产业链。
STMicroelectronics推出SLLIMM Compact系列，首款20A模块STGI15C60S体积缩小30%。该模块专为空调、热泵等家电的低中功率电机驱动设计。
新产品发布，但短期内对现货价格无直接影响。
FSP发布Mega GM 1200W电源，定价229美元，美国缺货。该产品采用自研平台与日系电容，性能超越Gold认证。
日系电容需求增加；关注：美国市场供应紧张。
Power Integrations宣布推出业界首款2.2kV横向GaN开关，采用Cascode配置。该技术演示瞄准数据中心和电动汽车辅助电源等高电压应用。
这一里程碑表明GaN技术正向更高电压演进，将影响未来的功率密度和供应链规划。
AOS推出AOPL66801 80V MOSFET，采用DFN6x5 AmpStack封装，通过垂直堆叠和Clip设计提升功率密度并降低寄生电感。该产品主要面向电动工具及AI工厂等高密度应用，属于新产品发布，暂无明确的供需或价格影响。
Diodes推出DML1012ALDSQ智能负载开关，起价0.17美元。该器件专为汽车ADAS等应用设计，具备8mΩ低导通电阻及6A持续电流能力。
新器件进入市场，可能提升Diodes在汽车电源管理领域的份额。
英飞凌推出IGK048B041S和IGK120B041S两款CoolGaN BDS开关，PCB面积减82%。新器件针对便携式电源系统，具备更低导通电阻和漏电流。
推动英飞凌GaN产品线扩展及300mm晶圆制造产能落地。
Alpha and Omega Semiconductor发布针对AI服务器与高端GPU的SmartClamp™ DrMOS系列，旗舰型号为AOZ53228QI。该产品集成过流保护功能，旨在解决高负载下电感饱和导致的电流失控风险。
此为常规新品发布，未提及对现有元件供应、需求或价格的直接影响。
东芝推出TLX9920光伏输出光耦，为固态继电器中的功率MOSFET提供隔离栅极驱动电压，最小开路电压13.5V，隔离耐压5000Vrms。该产品面向汽车电池管理和工业电源控制，旨在简化电路设计。
此为新品发布，对现有电子元件的供应、需求及价格无直接影响。
Vishay Dale推出IHLP1212-EZ-1Z电感，尺寸3x3mm且额定电流最高14.3A。该产品针对空间受限的PMIC和DC/DC转换器优化，提供1.2mm至2.0mm三种高度选项。
/关注：现货供应充足，样品与量产供货周期为10周，短期内对价格影响中性。
意法半导体推出两款用于GaN晶体管的专用半桥栅极驱动器STDRIVEG212（220V）和STDRIVEG612（600V），千颗单价1.25美元起。此举旨在解决GaN晶体管相比硅器件更窄的栅极电压耐受性问题。
此为常规产品发布，增加了市场供应，对现有元器件价格及供应无直接影响。
SK Signet推出400kW高功率DC充电平台，将功率电子与分配器硬件集成。该设计旨在提高充电站的功率密度，美国初始生产阶段正在进行中。
功率半导体（IGBT/SiC）需求潜力。
意法半导体发布两款工业级GaN半桥栅极驱动器STDRIVEG212/612，千片单价1.25美元起。新产品集成智能保护功能，针对运动控制和电源转换应用。
此为常规产品发布，对现有元件供需及价格无直接影响。
东芝推出TPHR6704RL MOSFET，典型导通电阻0.52mΩ，最大额定电流420A，针对工业电源应用。该产品采用U-MOS11-H工艺，相比前代产品性能提升约21%-37%。
/利多/关注: 中性，此为常规产品迭代，对现有MOSFET市场供需及价格无直接影响。
东芝推出DTMOSVI 600V HSD N沟道MOSFET，RDS(ON)*Qg降低36%。针对数据中心服务器和UPS应用，优化栅极设计。
新产品发布，暂无供需缺口或价格变动。
Vishay推出40 LHE线性位置传感器，行程达40mm，线性度±1%，样品已可获取，量产交付周期为12周。此为针对严苛环境应用的新一代霍尔效应传感器产品。
该新品发布对现有元件供需及价格无直接影响，仅影响该特定型号的采购规划。
SemiQ推出1200V QSiC™ Dual3碳化硅半桥模块系列，声称功率密度达240 W/in³，旨在替代IGBT。新品针对数据中心液冷与储能变流器市场，迎合AI算力带来的高功率需求。
此为常规新品发布，未提及产能、价格或供应变动，对现有元件交易无直接影响。
Wolfspeed推出业界首款商用10kV SiC功率MOSFET，宣称可将系统成本降低30%，功率密度提升300%。该产品主要面向AI数据中心电网、中压UPS及固态变压器等高压应用场景。
此为技术研发里程碑，对现有现货市场供需及价格无直接影响。
Wolfspeed推出首款商用10kV SiC MOSFET CPM3-10000-0300A，旨在解决电网及工业电源转换的可靠性挑战。该器件具备高效率与快速开关特性，可简化多级拓扑结构并替代IGBT。
高电压SiC技术突破，有望推动工业及电网电源转换效率提升。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |