GF发布7nm级FDX Fusion节点，密度翻倍
GlobalFoundries宣布推出7nm级FDX Fusion节点，密度较22FDX翻倍。该工艺定位于汽车、边缘AI及工业领域，计划于2028年在德累斯顿量产。
利空
FD-SOI相关芯片供应预期，长期产能扩张可能引发价格承压。
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GlobalFoundries宣布推出7nm级FDX Fusion节点，密度较22FDX翻倍。该工艺定位于汽车、边缘AI及工业领域，计划于2028年在德累斯顿量产。
FD-SOI相关芯片供应预期，长期产能扩张可能引发价格承压。
一加16正式发布，搭载高通第六代骁龙8超级至尊版。该机主打极致游戏体验，采用2nm制程与185Hz高刷。
新品发布缺乏具体供应链数据，暂无明确价格或供需影响。
Toshiba推出3300V高压SiC MOSFET模块，额定电流达800A。Vishay新增50-150A 650V超结MOSFET模块，工作温度范围宽达-55至+150℃。
新功率模块发布通常预示着产能扩充或技术迭代，短期对现货价格影响中性，但利好相关产业链。
AMD发布EPYC 9006系列服务器处理器，定价700至14904美元，基于TSMC 2nm工艺。该系列包含SP7和SP8插座，SP7系统将于Q4出货，SP8预计2027年H1上市。
高端定价反映AI算力需求强劲。
三星Exynos 2700已进入量产阶段，计划用于Galaxy S27系列，并可能进入Ultra机型。该芯片采用第二代2nm GAA工艺，旨在通过提升性能和良率来减少对高通骁龙的依赖。
良率不确定性是关键风险；成功将提高三星代工产能利用率并挤压高通份额。
苹果A20 Pro在iPhone 18 Pro Max上运行《GTA 5》达到GTX 1650性能水平，能效优势达11.8倍。得益于2nm工艺、WMCM封装及更大均热板散热设计。
该测试属于技术演示，目前不直接影响现有供应链价格与库存。
高通下一代旗舰SoC SM8A75将采用台积电2nm N2P工艺，CPU主频提升至5.4GHz。尽管频率增加，Geekbench 6性能提升预计不足10%，且功耗保持稳定。
高通计划维持现有定价策略以促进终端厂商采用，并控制成本。
小米9月23日发布18 Pro系列，全系搭载2nm制程骁龙8至尊版。顶配版售价突破万元，配置硬件级防窥屏及AI百变背屏。
确认头部厂商对最新2nm芯片的采用，但缺乏供需缺口数据，对现货交易影响中性。
阿里云T-Head发布Zhenwu V900 AI芯片计划于1Q27量产，同步推出Yitian 720/730服务器CPU，构建全栈自研数据中心芯片。此举旨在降低外部依赖，长期利好代工与封测产能。对当前现货市场影响中性。
CXMT宣布24Gb LPDDR5X DRAM已量产，采用四重曝光工艺将半间距缩小至11.95nm。该技术使其工艺能力达到行业最先进量产节点水平。
量产意味着供应增加，可能对现货价格形成压制。
苹果发布iPhone 18 Pro及首款折叠屏iPhone Duo，A20芯片采用2nm制程工艺，CPU性能提升20%、GPU性能提升40%。营销副总裁强调用户体验优于技术堆料。此为新产品发布，暂未引发供应链短缺或现货价格波动。
SK海力士在AI Infra Summit 2026展示了HBF、PIM/AiMX及SALT-KV等下一代AI内存技术。该技术旨在填补HBM与SSD之间的空白，以适应推理时代的算力需求。
关注：此次展示主要聚焦技术愿景，尚未披露具体产能规划或价格影响。
美光推出首款512GB DDR5-9200 RDIMM，获AMD和Intel验证。该模块功耗仅16W，比四颗128GB模块低60%，采用先进TSV封装。
目前对现货价格无直接影响，主要面向未来AI和高性能计算需求。
iQOO 16将于9月底发布，搭载高通骁龙8至尊版，主频达5.01GHz。该机采用台积电2nm工艺，提供12GB至16GB内存多种规格。
新机发布对高端SoC需求有提振作用，但暂无供应端变动。
苹果发布A20 Pro芯片，采用2nm工艺制程。该芯片标志着智能手机处理器竞争公式开始改变。
AI技术对芯片架构的潜在影响。
Synopsys在DAC 2026展示TetraMem与ANAFLASH的内存计算技术，TetraMem计划2026年量产多级ReRAM芯片。两家公司通过在非易失性内存内直接计算，旨在解决数据中心HBM功耗与带宽瓶颈。
边缘AI领域技术路线变革，短期对现有存储芯片供需无实质影响。
小米18 Fold将于9月7日发布，首发全球首款长鑫LPDDR6内存及自研3nm玄戒O3芯片。该机定位“中折叠”形态，对标苹果折叠屏，起售价预计超万元。
LPDDR6及3nm芯片需求，但属于新品发布，对现货市场价格影响中性。
小米18 Fold定档9月7日，首发玄戒O3处理器，安兔兔跑分达522万分。该芯片采用十核全大核设计并支持LPDDR6，NPU算力达200TOPS。
玄戒O3及LPDDR6需求预期增强。
三星V10 BV-NAND获FMS 2026创新奖，比特密度较上一代提升58%。该产品采用超过400字线架构，旨在满足AI时代对高容量、高性能及低功耗存储的需求。
新产品发布，缺乏具体价格或供应数据。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |