Atomera与IQE签署联合开发协议,推动高性能、低成本RF GaN-on-Si进入量产市场
半导体晶体管材料与技术授权公司Atomera Inc(美国加州Los Gatos)与英国威尔士加的夫的外延晶圆及衬底制造商IQE plc签署联合开发协议(JDA),旨在将高性能、具成本效益的RF氮化镓(GaN-on-Si)推向量产市场。该协议为联合开发安排,属于计划性质,尚处开发阶段,量产尚待实现。
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半导体晶体管材料与技术授权公司Atomera Inc(美国加州Los Gatos)与英国威尔士加的夫的外延晶圆及衬底制造商IQE plc签署联合开发协议(JDA),旨在将高性能、具成本效益的RF氮化镓(GaN-on-Si)推向量产市场。该协议为联合开发安排,属于计划性质,尚处开发阶段,量产尚待实现。
马斯克确认,SpaceX与特斯拉的独立董事特别委员会正在讨论两家公司的合并事宜;若合并成真,SpaceX将囊括卫星发射、全球通信、AI算力、能源供应以及特斯拉的工厂、自动驾驶汽车和Optimus人形机器人,意在构建从卫星/传输—电力—芯片/AI模型—机器人/终端完全垂直整合的科技全栈帝国。财务方面,SpaceX第三季度营收146亿美元,同比增长161%,超出华尔街预期逾20亿美元,并首次录得正经营利润;CFO Bret Johnsen指引2027年第一季度营收将达330亿至370亿美元,并称今年12月前年化经常性收入将突破1000亿美元。算力方面,SpaceX目前每月上线约22万块英伟达GB300芯片,马斯克表示明年速度将进一步加快;据富士康披露,其已收到SpaceX约93.6万块GB300芯片订单,价值约520亿美元,交付期截至2027年第一季度;业界估计英伟达今年Blackwell芯片总产量约550万至600万块,SpaceX一家约占40%,是英伟达目前最大的单一买家。SpaceX已在田纳西州孟菲斯建成AI数据中心Colossus 2;截至9月底算力达1.7吉瓦,预计10月底接近2吉瓦、12月底达2.5至3吉瓦,2027年第二季度末将上线拥有44万块英伟达下一代Vera Rubin芯片的训练集群;全年目标是新增10吉瓦算力,马斯克称实际数字不太可能低于13吉瓦。客户方面,Anthropic承诺在2029年前向SpaceX租用约845亿美元的算力;Alphabet同意从今年10月至2029年6月每月支付9.2亿美元购买算力。能源方面,SpaceX已在密西西比州Southaven建成配备41台燃气轮机、装机1.2吉瓦的自有发电设施,并向韩国斗山重工采购5台380兆瓦机组,马斯克计划明年新建20吉瓦电力与冷却设施。财务压力方面,第三季度经营活动产生现金约96亿美元,资本支出达196亿美元,自由现金流约为负100亿美元;CFO指引第四季度资本支出为350亿至400亿美元;截至9月底持有现金及短期投资899亿美元、债务388亿美元;据报道标普全球预计其借款规模将于2028年达到1320亿美元,自由现金流要到2030年才能转正。原文未说明原因导致合并讨论;合并能否达成尚不确定,文中表述为讨论中的潜在计划。
据IT之家10月23日消息,LSTC日本尖端半导体技术中心、北海道大学、富士胶片、GE医疗、imec五方于当地时间本月20日宣布承接日本NEDO项目委托,共同开发基于2nm工艺的医疗影像低功耗AI推理芯片。该芯片的设计应用场景包括:对光子计数CT提供的海量数据进行高速重构与分解以实现'实时影像诊断支持',将超声影像与CT/MRI影像实时叠加以实现'实时诊疗支持',以及从术中显微镜影像里实时识别手术器具、解剖结构、出血以实现'实时手术支持'。合作各方计划先行在IBM的Spyre加速器上进行开发优化工作,之后再迁移到实际芯片上;开发目标是提供现有GPU 5倍以上的图像处理速度和10倍以上的能效,并在北海道大学附属医院进行临床应用。
日立能源(Hitachi Energy)与美国公司罗克韦尔自动化(Rockwell Automation)宣布了一项合作,围绕一个将工业设施供电基础设施与生产管理系统相结合的集成式“从电网到工艺”(grid-to-process)架构展开。据新闻稿,双方将整合在电网连接、电能质量、能源管理、保护与控制、过程自动化及数字化运营方面的专长,旨在帮助客户实现电网系统与工艺系统更无缝的集成。采矿与金属行业将作为合作的初始重点领域。日立能源电网与电能质量解决方案及服务负责人Marco Berardi表示,随着行业扩张产能并推进运营现代化,设施供电系统与生产工艺系统之间需要更大的协调性。罗克韦尔自动化全球行业增长副总裁Brian Holte表示,双方结合电气化与自动化及数字化转型方面的经验,可帮助客户设计、建造和运营更智能、更具韧性和可持续性的工厂。新闻稿还称,设施投入运营后,电气化、自动化与数字技术的结合可提供跨能耗、生产绩效和资产利用率的更高可见性,并为未来产能扩张、更高电气化及新能源资源接入提供可扩展的基础。原文未说明原因以外的事件驱动因素;该消息为合作宣布,未提及协议已生效或具体财务条款。
近日,国内首家通用存算一体架构(GP-IMC®)AI大算力芯片公司亿铸科技完成10亿+元融资。原文未说明原因,仅表示此次融资将为亿铸科技后续研发投入、产品迭代及产业化推进提供进一步支持。据透露,亿铸科技正式运营于2022年,持续聚焦通用存算一体技术研发,坚持“通用存算一体+超异构”技术路线,并围绕3D DRAM存算一体等技术方向持续布局。
英飞凌(Infineon)与英伟达(NVIDIA)正扩大双方在面向800V直流AI数据中心的氮化镓(GaN)功率解决方案上的合作,为1 MW以上机架铺平道路;据消息,NVIDIA的目标是从2027年开始采用该方案。该消息为合作扩大的报道,不涉及具体价格变动或产能数据。
CleanMax与苹果(Apple)、Meta及其他科技公司建立合作,为其AI数据中心供应绿色电力。原文指出,此类合作凸显人工智能(AI)数据中心正在加剧全球对可再生电力的需求。原文未说明供应规模、时间表或交易金额。
UMC与AP Memory于10月22日宣布一项技术与制造合作伙伴关系,共同为AI数据中心开发下一代供电解决方案,结合UMC的深沟槽电容(DTC)技术与晶圆制造能力以及AP Memory的硅电容设计与系统集成专长。该合作发布的背景是AI与高性能计算(HPC)芯片功耗上升,正加速向近芯片供电与先进封装集成转变。此为双方宣布的合作计划,内容涉及为AI数据中心开发下一代供电解决方案。
2026年10月12日,应用材料公司总裁兼首席执行官Gary Dickerson在加利福尼亚州桑尼维尔的EPIC中心揭幕仪式上发表主题演讲,旨在通过早期合作伙伴参与和共同创新,推动半导体技术栈的创新。该中心旨在将应用材料与行业合作伙伴聚集在一起,共同开发下一代材料、工艺和设备。
英飞凌于10月21日在柏林举行的NVIDIA GTC开发者大会上宣布,与英伟达扩大在AI数据中心电力输送方面的合作。双方将共同开发基于氮化镓(GaN)功率器件的高压中间母线变换器(IBC)解决方案,用于800V直流(800V DC)架构。该扩展合作建立在两家公司于2025年启动的800V DC电力输送计划基础上,聚焦高功率AI机架的功率转换,并将支持服务器机架热插拔维护。英飞凌将利用其CoolGaN产品组合,采用高频开关技术应对多种转换配置,包括800V转50V和800V转12V;方案面向英伟达用于AI工厂的MGX开放式模块化参考架构。该电力架构面向每机架功耗高达1 MW的AI计算系统,部署预计于2027年开始逐步推进。双方最早于2025年5月宣布就800V DC数据中心电力输送开展合作,初期计划涵盖碳化硅(SiC)和GaN两种技术;最新扩展更侧重GaN用于中间母线变换。除GaN IBC外,英飞凌还在为英伟达的800V DC生态系统提供SiC器件、功率保护元件及其他功率产品,覆盖从电网到AI处理器的电力输送链。方案目标是提高功率密度、降低输送链功率损耗、降低散热硬件要求,并支持服务器主板受控预充放电及机架运行中热插拔,以降低数据中心维护期间服务中断风险。
英飞凌于10月21日表示,公司正在扩大与Nvidia在面向AI数据中心800伏直流供电架构方面的合作,重点聚焦中间总线转换器(IBC)中使用的氮化镓(GaN)芯片。该合作仍属计划/推进中的合作事项,原文未披露具体时间表、出货安排或原因。
据36氪报道,近日具身智能大算力芯片企业辉羲智能宣布,随着Pre-B+及B轮融资相继完成,公司2026年内累计股权融资规模已超25亿元。本轮融资由北京市人工智能产业投资基金领投,北京机器人产业发展投资基金、隐山资本、正心谷资本、金浦投资、建投投资、华泰宝利、慧目圆轮、上河动量基金、国家人工智能产业投资基金等政府基金及市场化投资机构共同参与;顺为资本、元生资本、凯辉基金、商汤国香资本、博华产投、国汽投资、朗玛峰创投、三七互娱、盛奕资本、星连资本、卓源亚洲资本等老股东持续加码。公司表示本轮融资将重点用于新一代具身智能大算力芯片研发,并加快规模化交付及产业生态建设。该事件为融资完成的消息披露,属投资类背景信息,对具体芯片价格与供给的直接影响原文未说明。
总部位于德国慕尼黑的英飞凌科技股份公司正在推进与英伟达(NVIDIA)在面向AI数据中心的800V直流(VDC)电力架构方面的合作。该公告的发布时间恰逢英伟达于10月20日至22日举行的GTC柏林开发者大会,公告聚焦于高压中间总线转换器(IBC)——AI数据中心供电链中最关键、要求最严苛的转换环节之一。原文未说明原因(未说明合作推进的具体原因)。该事件为公告性质,不等于合作成果已实现。
10月21日,英飞凌宣布深化与英伟达的合作,推进面向AI数据中心的800伏直流(800 VDC)供电架构,重点开发高压中间总线转换器(IBC)。英飞凌将利用氮化镓(GaN)功率半导体技术,提高电源转换效率和功率密度,降低能量损耗及散热需求。此次合作延续双方自2025年启动的800伏直流供电架构项目,涵盖中间总线转换及电源路径保护等环节,旨在支持更高功率密度的AI数据中心,并提升服务器机架带电插拔维护能力。
Infineon Technologies与美国碳化硅(SiC)厂商Wolfspeed于10月15日宣布一项新的多年期8英寸SiC晶圆供应协议。该协议将双方现有的供应合作从6英寸衬底技术过渡到8英寸衬底技术,使两家公司能够满足电动汽车(EV)、可再生能源系统以及AI数据中心电力基础设施的未来需求。原文说明此举旨在削减成本并满足不断上升的AI电力需求;该协议为已宣布的供应协议,8英寸过渡的实施完成情况原文未说明。
CoolIT Systems与Stäubli宣布将直插式液冷技术扩展至AI数据中心使用的高功率光收发器。该方案结合CoolIT的CP-OSFP冷板与Stäubri的Mini Quick Disconnect(Mini QD)技术,后者是与Ciena合作开发的,旨在满足下一代OSFP光模块的散热需求。原文未说明该方案是否已量产或部署,属于合作方案公布。
NVIDIA与Cisco宣布联合开发超密小型可插拔(USFP)新型光收发器封装规格,面向下一代AI工厂,旨在支持每通道400 Gb/s的连接。该技术宣称带宽密度为现有每通道200 Gb/s可插拔光模块的四倍,同时提升能效,容量最高可达12.8 Tb/s。此为联合开发与发布性质,尚未表明已实现量产或部署。
中国设备供应商AMEC(中微公司)正通过与SK Keyfoundry和Magnachip进行MOCVD设备测试,寻求进入韩国功率半导体市场,目前处于试验阶段,尚未形成确定的供货合作。AMEC在其国内MOCVD市场占有较大份额,但至今仍无法向三星电子和SK海力士的韩国工厂供货。原文未说明导致其无法供货的具体原因。
电池储能供应商Sungrow正在采用onsemi的SiC功率模块技术,以实现逆变器级效率提升0.4%。来源标题称该技术将公用事业级电池储能效率提升至99%以上。原文未说明除效率提升之外的其他原因或条件。
ASML与Xanadu宣布开展合作,研究先进光刻工艺能否抑制光子量子计算中最关键的工程限制之一——光子损耗。双方将针对Xanadu的光子量子硬件研究先进光刻工艺,重点考察更严格的图形化控制能否抑制损耗机制并改善容错、实用规模机器的前景。该合作计划特别将光学损耗与线边缘粗糙度(LER)联系起来:光刻定义波导及其他纳米光子结构的横向边界,实际边缘中的纳米级偏差会扰动波导折射率边界,将导光耦合到辐射模式或产生背散射,导致传播损耗。ASML贡献光刻成像、工艺窗口、计量和计算校正方面的专长,Xanadu贡献器件需求、光子电路设计和量子级性能数据。原文明确指出:该合作并不意味着ASML在制造量子计算机,公告也未指定生产节点、工具平台或数值损耗目标;这是一项研究工作,旨在理解哪些光刻手段可以制造更低损耗的光子结构,近期成果是工艺知识而非成品容错机器。成功还将取决于封装、光纤到芯片耦合、探测器效率和光源质量,这些仅靠光刻无法解决。