亿铸科技完成10亿+元融资，资金将用于研发投入、产品迭代及产业化推进
近日，国内首家通用存算一体架构（GP-IMC®）AI大算力芯片公司亿铸科技完成10亿+元融资。原文未说明原因，仅表示此次融资将为亿铸科技后续研发投入、产品迭代及产业化推进提供进一步支持。据透露，亿铸科技正式运营于2022年，持续聚焦通用存算一体技术研发，坚持“通用存算一体+超异构”技术路线，并围绕3D DRAM存算一体等技术方向持续布局。
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近日，国内首家通用存算一体架构（GP-IMC®）AI大算力芯片公司亿铸科技完成10亿+元融资。原文未说明原因，仅表示此次融资将为亿铸科技后续研发投入、产品迭代及产业化推进提供进一步支持。据透露，亿铸科技正式运营于2022年，持续聚焦通用存算一体技术研发，坚持“通用存算一体+超异构”技术路线，并围绕3D DRAM存算一体等技术方向持续布局。
快科技10月23日报道，当地时间10月22日，英伟达CEO黄仁勋在德国柏林举办的英伟达GPU技术大会期间接受采访，被问及是否考虑与中国长鑫存储合作时回应称对此持开放态度，并表示中国公司在供应链各环节被广泛合作，在底层基础设施技术和制造业方面非常出色。针对市场担忧的内存供给过剩问题，他认为到2029年不太会出现内存供应过剩的局面，并称AI算力持续扩张会不断拉动HBM、DDR等各类存储需求上涨，此为个人观点性表述。此前当地时间10月19日，黄仁勋在与德国总理默茨交流时称中国是当今唯一一个制造业和计算机产业两手抓的国家。报道还提到，长鑫存储是国内DRAM赛道龙头、全球第四大DRAM原厂，是少数拥有DRAM完整研发、制造、封测一体化能力的厂商；据Counterpoint Research追踪数据，长鑫存储在2026年第二季度按营收计拿下全球DRAM市场10%的份额，比一年前多150%。双方合作仅为开放态度，未达成任何正式协议。
UMC与AP Memory于10月22日宣布一项技术与制造合作伙伴关系，共同为AI数据中心开发下一代供电解决方案，结合UMC的深沟槽电容（DTC）技术与晶圆制造能力以及AP Memory的硅电容设计与系统集成专长。该合作发布的背景是AI与高性能计算（HPC）芯片功耗上升，正加速向近芯片供电与先进封装集成转变。此为双方宣布的合作计划，内容涉及为AI数据中心开发下一代供电解决方案。
2026年10月12日，应用材料公司总裁兼首席执行官Gary Dickerson在加利福尼亚州桑尼维尔的EPIC中心揭幕仪式上发表主题演讲，旨在通过早期合作伙伴参与和共同创新，推动半导体技术栈的创新。该中心旨在将应用材料与行业合作伙伴聚集在一起，共同开发下一代材料、工艺和设备。
快科技10月22日消息，据媒体报道，DeepSeek第二轮融资已临近完成，融资金额从此前计划的500亿元增至约1000亿元，不到半个月翻了一倍，投前估值仍维持在约5000亿元；彭博社今日（10月22日）最新消息称本轮融资已经完成。本轮由腾讯和宁德时代联合领投，新老股东拟投资金额约各占一半：宁德时代首轮出资约50亿元，本轮拟再加码约100亿元，两轮累计出资约150亿元，有望成为出资金额最大的外部投资人之一；腾讯本轮同样继续出资约100亿元。新进投资方包括石溪资本（由存储芯片龙头兆易创新联合投资团队发起设立）、中芯聚源（背靠中芯国际）、CPE源峰、君联资本（联想控股旗下投资平台）和吉利（汽车整车企业）等；首轮入局的宁德时代、腾讯、IDG资本、砺思资本和拾象资本也全部出现在本轮交易名单中。据报道，梁文锋在第二轮中更倾向于选择能为DeepSeek带来上下游产业链赋能的产业投资方。回顾首轮：外部融资今年4月开启、6月底完成交割，规模约510亿元，投后估值接近4000亿元，其中梁文锋个人出资约200亿元、腾讯约100亿元。报道还称，若本轮顺利落地，DeepSeek半年内融资总额将达到约1500亿元，是国内有史以来规模最大的融资之一。IPO方面：自8月下旬起公司已接触多家投行筹备科创板上市，聘请中信证券担任保荐机构，计划最快今年底递表、2027年挂牌；9月，高瓴创投原合伙人严文韬出任公司首位CFO；为符合IPO要求，保荐券商正协助审核投资方背景，要求部分专项基金调整为盲池备案，避免股东人数穿透后触碰200人红线。
三星电机签署一项长期供应协议，将在2027年全年向一家未具名的全球客户提供用于存储半导体的封装基板，协议金额为3605亿韩元（约合2.71亿美元），供货期间为2027年1月1日至12月31日。据三星电机新闻稿，这是其Package Solution Unit首次获得此类大额订单；其Component Solution Unit自5月以来已就用于AI服务器的硅电容、MLCC及高性能电感签署类似协议。此次订单使三星电机自2026年5月以来签署的、达到公开披露标准（即每笔至少占公司销售额2.5%）的长期供应协议达到七份，合计4.3万亿韩元（32亿美元）。公司指出，生成式AI与高性能计算增加了对HBM和高性能服务器DRAM模块的需求；随着存储芯片速度更快、集成度更高，连接主板的基板需要更多层数、更精细电路和更薄设计。公司计划扩大与主要客户的长期协议以降低周期性业务敞口，并称将在AI与HPC需求增长背景下为封装基板业务建立更紧密的供应合作与稳定供应体系。
三星电机（SEMCO）已与一家全球大公司签署一份价值3604.87亿韩元（约2.6亿美元）的存储器封装基板长期供应协议，出货计划于2027年开始。该公司未披露客户或具体应用。该协议将其长期合同覆盖范围从多层陶瓷电容器（MLCC）和硅电容器扩展至基板；据标题，其长期合同总额达4.3万亿韩元。
据THE ELEC 10月20日获取的信息，马斯克的特斯拉与SpaceX正在与韩国半导体材料、零部件及设备供应商洽谈，为其Terafab芯片制造项目构建供应链。多家公司已签署保密协议（NDA）并进入具体产品讨论。10月13日展览开幕当天上午，Terafab代表在旧金山举行的SEMICON West 2026（10月13日至15日）参观了约10家韩国公司的展位，包括ENF Technology、Dongjin Semichem、Asflow、BMT、GnG Intech、Unisem、MiCo和Hanmi Semiconductor；与许多公司的洽谈已进行数月。其中ENF Technology、Asflow和GnG Intech为首次接触；BMT洽谈阀门和流体处理部件；KoMiCo约一个月前与特斯拉和SpaceX签署三方NDA，讨论得州研发中试线的清洗服务；Unisem已签NDA讨论洗涤塔等环保设备；Dongjin Semichem与特斯拉洽谈两三个月，围绕其得州 thinner工厂，磷酸等材料也在讨论中；Hanmi Semiconductor正讨论向Terafab供应TC键合机；HPSP已同意为Terafab研发线供应一台高压氢退火（HPA）系统；ISC已进入样品和研发设计信息交换阶段。海外方面，Fujifilm定期与Terafab采购团队就CMP浆料、光刻胶、蚀刻剂和清洗化学品举行会议；Lam Research和Applied Materials据称已建立专门的Terafab团队。特斯拉和SpaceX不与中国供应商开展业务，业界人士称其寻求甚至低于中国供应商的价格，韩国因此成为优选。Terafab项目于3月由特斯拉、SpaceX和xAI宣布共同推进，目标是在10年内建成月处理100万片晶圆的工厂，初始投资估计为168亿美元，预计创造3000多个岗位；SpaceX本月初与得州签署税收减免协议并已开工建设，业界预期首期月产能10万片晶圆的设施在2030年前建成。上述供应合作多数仍处于洽谈阶段，尚未确认为最终供货。
据IT之家10月20日消息，韩媒ETNEWS当地时间昨日（10月19日）报道称，联想、惠普、戴尔等主要PC品牌已同存储器制造商签署长期协议（LTA），通过合同保障2027年供应稳定性。一位业内人士表示，内存与存储的供需在2026H1时存在20~30%的缺口，导致实际PC产能未达到应有水平；稳定的供应和缓和的涨幅有利于PC行业在2027年发展。报道还指出，尽管存储器和部分其它零组件成本持续上涨导致终端售价提升、抑制一般消费者换机热情，但商务领域仍看重人工智能带来的生产力提升，新一轮商务换机周期即将到来，B2B正成为2027年PC市场争夺的关键细分领域。
Sandisk 于2026年10月14日从加利福尼亚州米尔皮塔斯发布的新闻稿中宣布，将成为 Meta VR Glasses 的独家闪存存储供应商，在该产品于2027年春季上市时供应经 Meta 认证的 microSD Express 存储卡和 USB-C 闪存盘。该合作尚属公告阶段，产品尚未上市。原文未说明原因。
据称，三星正与台积电合作，为NVIDIA新发布的NVHBM存储标准获取基底裸片（base die）供应；该报道性质为传闻（reportedly），合作尚未被证实落地。NVIDIA声称，与标准HBM4E相比，NVHBM将控制器集成到3D HBM堆栈中，可提供最高30%的额外内存带宽、降低15%的HBM功耗，并带来最高25%的额外可用计算裸片面积。报道称NVHBM量产前须满足若干严格条件，其中之一是NVIDIA的NVHBM基底裸片必须采用台积电3nm节点制造；尽管三星拥有自己的3nm产线，但据称NVIDIA的IP针对台积电节点优化，迫使三星与台积电合作并成为其客户。该安排仅针对基底裸片；在存储部分，三星将继续使用其第六代10nm工艺（HBM制造的典型工艺），即仅部分生产由台积电负责。
据市场消息，英伟达已要求三星电子、SK海力士和美光科技为其生产NVHBM（英伟达的定制HBM技术，HBM即高带宽内存），其中基底裸片（BaseDie）采用台积电3nm制程，核心裸片（CoreDie）则采用第六代DRAM（动态随机存取存储器）技术，消息称三星电子已决定接受英伟达的技术要求。该消息的真实性尚属传闻层面：10月19日，三星电子回应称，公司不对涉及客户的事项发表评论。原文未说明原因。
Sandisk于10月19日宣布，将成为Meta虚拟现实(VR)眼镜闪存的独家供应商，该VR眼镜计划于2027年春季推出。产品包括microSD Express存储卡和USB-C闪存盘。Sandisk近期与Meta建立合作伙伴关系，共同设计面向VR应用的闪存产品，相关产品已通过初步测试以满足Meta的质量标准。Sandisk将在Meta VR眼镜推出后开始销售相关存储产品。Sandisk消费产品副总裁Sujin Park表示，高性能microSD Express存储卡与Meta VR眼镜兼容，用户可即时扩展可用存储。原文未说明该合作对价格或供应的影响。
10月19日，北京铭芯启睿科技有限公司宣布完成超4亿元A轮融资，由博原资本领投，博世创投、米哈游、兆易创新等跟投，小米战投等老股东持续加注；相关报道未披露本轮估值及股权稀释比例。本轮资金将用于RRAM（阻变存储器）产业化、商业化及新产品LPU（语言处理单元）研发。同日披露前Graphcore总裁兼大中华区总经理卢涛加入公司，出任CEO兼联合创始人，并启动第一代LPU研发，面向大模型推理场景；卢涛表示第一代LPU不采用RRAM，将使用更成熟的存储介质，目标为支持数万亿参数完整模型、实现每用户每秒1000 Token，该指标为研发目标，尚无实测性能支撑；LPU目前处于研发阶段，未披露流片、验证或交付时间表。此前10月14日，公司发布首代1Gb RRAM芯片泰山一号流片信息，基于1TnR技术路线（1T4R结构，一个选择晶体管对应四个阻变存储单元），搭配28纳米CMOS工艺，披露存储密度30Mb/mm²、访问延时小于20纳秒，并集成片上硬件纠错电路；泰山一号已完成流片、正在推进验证，尚未披露量产进展。公司三条产品线中的嵌入式RRAM IP已进入客户场景并计划扩大规模，但未披露客户名称、订单金额或出货量；混合存算产品未披露具体芯片型号、流片进度或商业化节点。
英伟达要求三星、美光和海力士使用台积电3纳米节点制造的基die用于其定制NVHBM，原因是标准化；三星和美光已确认同意该请求，预计2027年量产；海力士已使用台积电12纳米工艺生产HBM4基die；三星亦在验证其2纳米工艺作为备用；三星将继续为不想采用NVHBM的客户生产标准HBM。NVHBM相比标准HBM4E可提供最高30.%更高带宽和15%更低功耗。
据《首尔经济日报》10月18日援引业内消息人士的报道，三星电子在内部评估后已同意使用台积电3nm工艺为NVHBM（英伟达下一代定制HBM）生产基底裸片（base die）。报道称，这将是两家公司首次在HBM制造阶段展开合作。报道指出，英伟达的定制内存设计正在将HBM制造的部分控制权从内存厂商转移至其最大客户，并将其中一部分工作导向台积电。该内容为媒体报道，援引业内消息人士，合作实际落地情况有待确认。
据Seoul Economic Daily报道（ZDNet曾在9月报道三星为定制HBM采取双轨策略，同时利用自家代工和竞争对手台积电），NVIDIA已要求三星、SK hynix和美光在其于8月发布的NVHBM基底层中采用台积电3nm工艺。据称三星设备解决方案（DS）部门经内部评估后同意了这一要求。报道给出的原因是：NVIDIA推动供应商间生产标准化以确保HBM性能一致并简化产品验证；此外行业估计台积电3nm良率超过90%，而三星代工2nm（SF2）工艺良率约为60%。NVHBM的定制基底层集成了传统上由GPU承载的内存控制器；据NVIDIA称，相比标准HBM4E，该技术提供最多30%的更高内存带宽、15%的更低HBM功耗和25%的更多XPU计算裸片面积。该合作并非全新：据Seoul Economic Daily，三星和台积电四年前首次合作以确保HBM与台积电GPU封装工艺兼容，此次是首次延伸至HBM制造。三星仍保留自有代工选项：由于台积电3nm产能面临AI加速器和智能手机芯片的竞争需求，三星正在2nm工艺上验证NVHBM基底层生产，作为台积电产能受限时的潜在替代方案。台积电在10月15日的财报电话会议上提示3nm产能紧张，该节点占第三季度晶圆销售额的33%，为其所有工艺节点中最大份额；据Economic Daily News，董事长兼CEO魏哲家宣布在台南再建一座3nm晶圆厂的计划（叠加亚利桑那、日本熊本和台湾南部科学园区的现有扩建项目），新厂定于2028年上半年开始量产。三星还继续为标准HBM产品线自制基底层：今年早些时候进入量产的HBM4和正在进行生产验证的HBM4E均使用三星代工4nm工艺制造基底层，其核心裸片在其华城和平泽园区的1c DRAM产线上制造；三星计划对供应其他客户（包括AMD）的定制HBM保持基底层turnkey生产方式。
英伟达推动NVHBM标准化计划，要求三星、台积电、美光和SK海力士统一采用台积电3纳米工艺生产基底芯片，核心存储芯片采用第六代DRAM工艺。三星首次接受放弃HBM完全自主的“交钥匙”模式。NVHBM预计带宽增加30%，功耗降低15%。三星代工亏损从2025年6.74万亿韩元降至2026年3.92万亿韩元，降幅41%。
据IT之家10月16日报道，理想汽车宣布旗下芯片子公司上海马赫心科技有限公司已签署首轮股权融资协议，认购总额为16.25亿元人民币。本轮融资由杭州经韬、蓝驰创投及华业天成领投，奇绩创坛参与投资；理想汽车通过全资附属公司出资10亿元，外部投资者合计出资6.25亿元。杭州经韬及其关联基金获得一项一次性追加认购权，可在2026年12月31日前按相同价格额外投资不超过5亿元；若该认购权悉数行使，马赫心科技的投后估值将达到171亿元。融资完成后，理想汽车预计持有马赫心科技约74.01%的股权，继续保持控股地位。背景方面，公开报道显示理想汽车自2021年开始论证自研芯片可行性，2022年正式立项，组建约200人的专项团队；其自研的马赫M100芯片采用5nm车规级工艺，单芯片算力达1280 TOPS，搭载8通道LPDDR5X内存，峰值带宽273GB/s，于2026年5月实现量产上车，首发搭载于全新理想L9 Livis车型；理想汽车将其称为“全球首款量产的动态数据流AI芯片”，实际运行效率超过82%，目前已随全新理想L9、L8等车型量产交付。原文未说明本次融资的具体原因。
10 月 16 日消息，科技媒体 MacRumors 发布博文，报道 Meta 和苹果公司破冰合作，在 2 台配备 512GB 统一内存的 Apple M5 Ultra Mac Studio 上，通过最新 MLX 框架本地运行 Meta 开源权重模型 Muse Spark Open，该模型总参数量达 8160 亿、活跃参数为 420 亿、上下文窗口达 100 万 token，主要面向编程、智能体任务、多步骤推理与软件工程等复杂工作场景。Meta CEO 扎克伯格与苹果 CEO 约翰·特努斯均在社交平台确认了这一合作。512GB 版 Mac Studio 尚未正式发售，预计将于本月晚些时候推出；256GB 版 Mac Studio 的售价已超过 1 万美元（约合 67,030 元人民币）。原文未说明原因。