IBM与西门子合作研究推进IBM nanostack架构,该架构在其7埃节点集成近千亿颗晶体管,西门子提供EDA、仿真与光刻专长
IBM与西门子宣布合作开展研究,以推进IBM的nanostack架构;该架构在其7埃节点上集成近1000亿颗晶体管。西门子方面贡献EDA、仿真与光刻方面的专业能力。原文未说明原因,亦未给出具体时间表或财务条款。
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IBM与西门子宣布合作开展研究,以推进IBM的nanostack架构;该架构在其7埃节点上集成近1000亿颗晶体管。西门子方面贡献EDA、仿真与光刻方面的专业能力。原文未说明原因,亦未给出具体时间表或财务条款。
IBM与西门子宣布开展联合研究,推进IBM今年公布的NanoStack晶体管架构,重点开发新一代芯片设计、仿真与制造所需的工具和工艺;IBM负责半导体器件技术,西门子贡献电子设计自动化、工艺模拟、光刻优化及先进制造软件能力。NanoStack把传统并排排布的晶体管改为垂直堆叠并让不同层错位排列,IBM称其为业界已知首种基于纳米片的三维晶体管设计。IBM今年6月公布其7埃米级(0.7纳米)技术研究成果,称在指甲大小的芯片上可集成近1000亿个晶体管,密度约为其2纳米芯片的两倍;据IBM论文估算,与其2纳米节点相比最高可带来约50%的性能提升,或在性能相当时降低约70%的能耗;另有研究显示NanoStack架构可使SRAM面积缩小约40%——这些均属IBM对研究技术的测算和预测,不是已量产产品的实测表现。IBM表示已通过超薄介电键合、双沟道工程及可正常切换的CMOS反相器等实验验证NanoStack具备实际制造和运算可行性,但量产仍需解决晶圆键合与对准、层间散热、微细布线、背面供电及三维检测等问题;IBM曾称最早可能在未来五年内推进至生产阶段。此次合作公告未公布具体开发时间表、投资金额或商业量产客户,重点在于建立工具链而非宣布新芯片投产。
IBM(纽约证券交易所代码:IBM)与西门子今日宣布开展新研究合作,旨在推进IBM今年早些时候发布的纳米堆叠(nanostack)晶体管架构。该合作将结合IBM在半导体器件创新方面的领先地位与西门子在电子设计自动化(EDA)、工艺仿真、光刻优化和先进制造软件方面的专业知识,以加速nanostack的开发。据原文,nanostack是业界已知首个三维纳米片(nanosheet)设计,通过垂直堆叠和交错排列晶体管在芯片上容纳更多晶体管,在当前7埃(angstrom)节点上于指甲大小的空间内实现近1000亿个晶体管;该设计还可在每个堆叠层内使用不同材料组合,独立优化每个晶体管的性能和能效,为能效、性能和SRAM缩放带来提升。此为合作研究宣布,属计划阶段,原文未说明原因。
AI芯片制造需求正在推动先进逻辑与封装技术加速发展,促使Applied Materials与Intel扩大在下一代晶体管、互连和先进封装方面的合作,涉及互连扩展(interconnect scaling)与Foveros 3D技术。原文未说明具体投资金额、时间表或产能数字。
Anthropic正与英国初创公司Fractile洽谈采购2027年量产的DRAM-less AI推理芯片。Fractile采用SRAM架构,宣称性能比Nvidia快100倍且成本降低10倍,旨在解决Anthropic高昂的推理成本问题。
该技术若落地将重塑AI芯片供应链,但目前仅处于早期洽谈阶段。
IBM与Lam Research签署五年合作,在Albany实验室开发亚1nm逻辑电路。合作聚焦于Lam的Aether干式光刻胶技术,以解决高数值孔径EUV光刻中的随机噪声问题。
Lam Research设备与材料业务,确立其在先进制程光刻领域的长期竞争优势。
罗姆宣布将台积电的GaN工艺技术引入其滨松工厂,目标在2027年建立端到端内部生产体系。此举旨在满足AI服务器和电动汽车对GaN器件日益增长的需求,同时双方将结束现有的汽车GaN合作。
技术整合有望在中期增强GaN供应能力,但2027年的投产时间点推迟了直接影响。
以色列GaN功率器件设计公司VisIC完成2600万美元B轮融资,现代汽车和起亚作为战略投资者参与。本轮融资由一家全球半导体巨头领投,旨在推动GaN技术在汽车电源转换领域的应用。
该融资增强了GaN在汽车市场的战略地位,但对当前组件供应和价格无直接影响,需观察其未来产能与技术路线。
CGD与格芯达成合作,强化GaN功率器件供应链。此举利用格芯全球制造能力,支持CGD的晶圆代工策略。
产能扩张预期可能压制GaN器件现货价格。
英飞凌与中国的凌骥创新签署谅解备忘录,合作开发基于GaN的轻型电动车逆变器系统。该合作旨在利用英飞凌新一代CoolGaN G5功率晶体管提升两轮电动车能效。
此为长期研发与市场拓展协议,对当前元件供应、价格及交易库存无直接影响。
VisIC Technologies聘请前戴姆勒/梅赛德斯-奔驰高管Wolfgang Wondrak担任顾问。此举旨在加强该公司在汽车行业的市场战略与客户关系。
此为战略人事变动,对GaN功率器件的当前供应、价格及产能无直接影响。
VisIC Technologies与Heraeus及PINK合作开发基于D3GaN技术的BEV功率模块。此次合作旨在利用Heraeus的封装材料和PINK的焊接系统,提升GaN器件在高功率密度应用中的性能。
VisIC GaN技术在电动汽车领域的商业化进展。
分销商Farnell Global宣布与GaN功率器件制造商Transphorm建立全球分销合作关系。此举旨在扩大Transphorm的JEDEC与AEC-Q101认证高压GaN FET的销售渠道。
此为常规渠道拓展,未直接影响供需或价格。
无晶圆厂公司Cambridge GaN Devices与台湾工研院签署合作备忘录,共同开发用于USB-PD适配器的高性能GaN解决方案。此举旨在结合双方研发资源,加速GaN功率器件在快充市场的应用推广。
此为长期技术研发合作,未涉及产能、价格或库存的具体变动,对当前交易无直接影响。
剑桥GaN器件公司与群光电能及剑桥大学技术服务公司签署三方协议,共同开发高效高功率密度GaN电源产品。该合作旨在利用GaN技术优势,加速数据中心及适配器电源方案商业化。
此为长期研发合作,未披露具体产能、价格或供应变动,对当前交易决策无直接影响。
剑桥GaN器件公司(CGD)与DigiKey签署全球分销协议,后者将备有CGD的ICeGaN HEMT产品库存。此举旨在通过全球分销巨头扩大其氮化镓功率晶体管的销售渠道。
此为标准渠道拓展,对现货市场的供应、需求及价格无直接、可量化的即时影响。
Transphorm公司获得美国国家安全技术加速器(NSTXL)一份价值高达1500万美元的合同,涉及高压功率转换用氮化镓(GaN)场效应晶体管。该合同由美国政府机构授予,旨在支持特定国防或关键基础设施应用。
此为单一客户订单,对通用GaN FET现货市场的供需和价格无直接影响。
英飞凌以8.3亿美元收购氮化镓功率半导体公司GaN Systems。此举旨在强化英飞凌在消费电子、数据中心及汽车等高增长市场的氮化镓技术布局。
此次并购将重塑氮化镓功率器件竞争格局,可能影响中长期供应关系,但无直接短期价格影响。
VisIC与京瓷AVX萨尔茨堡扩大合作,共同开发用于电动汽车的高压GaN功率解决方案。此举旨在整合双方的GaN器件设计与汽车级组件制造能力。
此为长期技术合作,对当前现货市场的价格与供应无直接、可量化影响。
EPC Space授权Micross Components分销其面向卫星应用的高可靠性抗辐射GaN晶体管和集成电路。此举旨在通过分销网络拓展其在航天、航空及国防等高端市场的覆盖。
此为特定高端元件的渠道变动,不直接影响主流消费电子市场的供应与价格。
爆款新品里,到底装了谁的芯片?拆开,一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |