NuAxi半导体贸易情报
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剑桥GaN与台工研院签署GaN快充开发协议
无晶圆厂公司Cambridge GaN Devices与台湾工研院签署合作备忘录，共同开发用于USB-PD适配器的高性能GaN解决方案。此举旨在结合双方研发资源，加速GaN功率器件在快充市场的应用推广。中性：此为长期技术研发合作，未涉及产能、价格或库存的具体变动，对当前交易无直接影响。
GaN Power TransistorsUSB-PD Adapters
partnershipR&DGaN
来源：Semiconductor Today · 2024/5/30 · 查看原始来源
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