Atomera与IQE签署联合开发协议，推动高性能、低成本RF GaN-on-Si进入量产市场
半导体晶体管材料与技术授权公司Atomera Inc（美国加州Los Gatos）与英国威尔士加的夫的外延晶圆及衬底制造商IQE plc签署联合开发协议（JDA），旨在将高性能、具成本效益的RF氮化镓（GaN-on-Si）推向量产市场。该协议为联合开发安排，属于计划性质，尚处开发阶段，量产尚待实现。
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半导体晶体管材料与技术授权公司Atomera Inc（美国加州Los Gatos）与英国威尔士加的夫的外延晶圆及衬底制造商IQE plc签署联合开发协议（JDA），旨在将高性能、具成本效益的RF氮化镓（GaN-on-Si）推向量产市场。该协议为联合开发安排，属于计划性质，尚处开发阶段，量产尚待实现。
据IT之家10月23日消息，LSTC日本尖端半导体技术中心、北海道大学、富士胶片、GE医疗、imec五方于当地时间本月20日宣布承接日本NEDO项目委托，共同开发基于2nm工艺的医疗影像低功耗AI推理芯片。该芯片的设计应用场景包括：对光子计数CT提供的海量数据进行高速重构与分解以实现'实时影像诊断支持'，将超声影像与CT/MRI影像实时叠加以实现'实时诊疗支持'，以及从术中显微镜影像里实时识别手术器具、解剖结构、出血以实现'实时手术支持'。合作各方计划先行在IBM的Spyre加速器上进行开发优化工作，之后再迁移到实际芯片上；开发目标是提供现有GPU 5倍以上的图像处理速度和10倍以上的能效，并在北海道大学附属医院进行临床应用。
Nippon Sanso Holdings Group与意大利企业与'意大利制造'部（MIMIT）签署了一份意向书（Letter of Intent），旨在加强意大利与日本之间的产业合作，促进在半导体、电子和先进技术领域的新投资。合作重点是开发意大利境内面向高技术领域（包括半导体和电子价值链）的新生产能力，这些举措除服务意大利国内市场外，还旨在支持欧洲日益增长的需求。该协议建立了一个用于识别、评估和评价在意大利新投资项目的结构化框架。意大利企业与'意大利制造'部长Adolfo Urso、Nippon Sanso Holdings集团CEO渡边忠晴以及Nippon Sanso意大利公司总裁兼首席执行官Eduina Marino分别就签署发表了表态。此为意向书签署阶段，具体投资项目尚未落地。
近日，国内首家通用存算一体架构（GP-IMC®）AI大算力芯片公司亿铸科技完成10亿+元融资。原文未说明原因，仅表示此次融资将为亿铸科技后续研发投入、产品迭代及产业化推进提供进一步支持。据透露，亿铸科技正式运营于2022年，持续聚焦通用存算一体技术研发，坚持“通用存算一体+超异构”技术路线，并围绕3D DRAM存算一体等技术方向持续布局。
UMC与AP Memory于10月22日宣布一项技术与制造合作伙伴关系，共同为AI数据中心开发下一代供电解决方案，结合UMC的深沟槽电容（DTC）技术与晶圆制造能力以及AP Memory的硅电容设计与系统集成专长。该合作发布的背景是AI与高性能计算（HPC）芯片功耗上升，正加速向近芯片供电与先进封装集成转变。此为双方宣布的合作计划，内容涉及为AI数据中心开发下一代供电解决方案。
英飞凌于10月21日在柏林举行的NVIDIA GTC开发者大会上宣布，与英伟达扩大在AI数据中心电力输送方面的合作。双方将共同开发基于氮化镓（GaN）功率器件的高压中间母线变换器（IBC）解决方案，用于800V直流（800V DC）架构。该扩展合作建立在两家公司于2025年启动的800V DC电力输送计划基础上，聚焦高功率AI机架的功率转换，并将支持服务器机架热插拔维护。英飞凌将利用其CoolGaN产品组合，采用高频开关技术应对多种转换配置，包括800V转50V和800V转12V；方案面向英伟达用于AI工厂的MGX开放式模块化参考架构。该电力架构面向每机架功耗高达1 MW的AI计算系统，部署预计于2027年开始逐步推进。双方最早于2025年5月宣布就800V DC数据中心电力输送开展合作，初期计划涵盖碳化硅（SiC）和GaN两种技术；最新扩展更侧重GaN用于中间母线变换。除GaN IBC外，英飞凌还在为英伟达的800V DC生态系统提供SiC器件、功率保护元件及其他功率产品，覆盖从电网到AI处理器的电力输送链。方案目标是提高功率密度、降低输送链功率损耗、降低散热硬件要求，并支持服务器主板受控预充放电及机架运行中热插拔，以降低数据中心维护期间服务中断风险。
TP-Link Systems已与美国合同制造商Key Tronic签署意向书，计划在密西西比州科林斯组装其网络路由器。首批下线产品预计为TP-Link的Wi-Fi 8家用网络产品系列，组装最早可于明年开始，且有待美国监管批准。根据TP-Link的新闻稿，依据该意向书，Key Tronic将成为TP-Link在美国的主要制造合作伙伴；该协议尚不具约束力，双方表示有意建立该合作伙伴关系，作为TP-Link建立本土制造并提升供应链韧性计划的一部分。TP-Link Systems总部位于加州尔湾，其网络和智能家居产品销往170多个国家；新闻稿强调公司位于美国本土及供应链安全，但未说明组装启动所依赖的是哪项监管批准。Key Tronic在美国、墨西哥和越南的工厂提供设计、采购和制造服务。两家公司未披露预期产量、投资规模或将创造的就业岗位数量。
SiPearl与Egis Group在台湾-法国战略CPU伙伴关系签约仪式上正式签署合作协议。仪式在Egis Group TechDay上举行，宣布了一项联合倡议，旨在构建基于Mobius 100 CPU与UCiE chiplet的市场平台，并为主权AI与高性能计算（HPC）数据中心基础设施建立合作框架。原文未说明原因，且该协议为签约成立，后续实施情况原文未说明。
总部位于德国慕尼黑的英飞凌科技股份公司正在推进与英伟达（NVIDIA）在面向AI数据中心的800V直流（VDC）电力架构方面的合作。该公告的发布时间恰逢英伟达于10月20日至22日举行的GTC柏林开发者大会，公告聚焦于高压中间总线转换器（IBC）——AI数据中心供电链中最关键、要求最严苛的转换环节之一。原文未说明原因（未说明合作推进的具体原因）。该事件为公告性质，不等于合作成果已实现。
三星电机签署一项长期供应协议，将在2027年全年向一家未具名的全球客户提供用于存储半导体的封装基板，协议金额为3605亿韩元（约合2.71亿美元），供货期间为2027年1月1日至12月31日。据三星电机新闻稿，这是其Package Solution Unit首次获得此类大额订单；其Component Solution Unit自5月以来已就用于AI服务器的硅电容、MLCC及高性能电感签署类似协议。此次订单使三星电机自2026年5月以来签署的、达到公开披露标准（即每笔至少占公司销售额2.5%）的长期供应协议达到七份，合计4.3万亿韩元（32亿美元）。公司指出，生成式AI与高性能计算增加了对HBM和高性能服务器DRAM模块的需求；随着存储芯片速度更快、集成度更高，连接主板的基板需要更多层数、更精细电路和更薄设计。公司计划扩大与主要客户的长期协议以降低周期性业务敞口，并称将在AI与HPC需求增长背景下为封装基板业务建立更紧密的供应合作与稳定供应体系。
10月21日，英飞凌宣布深化与英伟达的合作，推进面向AI数据中心的800伏直流（800 VDC）供电架构，重点开发高压中间总线转换器（IBC）。英飞凌将利用氮化镓（GaN）功率半导体技术，提高电源转换效率和功率密度，降低能量损耗及散热需求。此次合作延续双方自2025年启动的800伏直流供电架构项目，涵盖中间总线转换及电源路径保护等环节，旨在支持更高功率密度的AI数据中心，并提升服务器机架带电插拔维护能力。
BOS Semiconductors将于10月21日与LG电子和Hana Micron合作开发基于芯片的汽车半导体，涵盖从设计到商业化的整个开发周期。BOS将供应用于自动驾驶的NPU芯片，LG将提供用于车辆控制的基础芯片，Hana Micron将负责封装和测试。
CoolIT Systems与Stäubli宣布将直插式液冷技术扩展至AI数据中心使用的高功率光收发器。该方案结合CoolIT的CP-OSFP冷板与Stäubri的Mini Quick Disconnect（Mini QD）技术，后者是与Ciena合作开发的，旨在满足下一代OSFP光模块的散热需求。原文未说明该方案是否已量产或部署，属于合作方案公布。
Qisda集团正瞄准数据中心的机架级AI机遇，加快开发其机架级AI解决方案。Qisda通过自主设计、制造及跨领域整合，将Alpha Networks、Aewin Technologies、Arivor Technologies和GrAndvance Technology四家公司整合在一起，结合高速连接、模块化计算与先进液冷技术，共同打造从单台设备到完整机架级系统的灵活、可扩展AI基础设施。该合作属于已公布的整合与开发计划，原文未说明具体时间表或财务细节。
Micron Technology于周二表示，将在Indium Corporation位于纽约州罗马的工厂资助关键矿物加工和高纯度材料制造。原文未说明资助金额、具体原因及时间表。
Contrel Technology与FSE在TPCA Show 2026上联合展示了双核心激光微加工与等离子体制程技术，目标市场为先进封装与高端基板制造。两家公司的解决方案涵盖从表面处理、残留物去除，到激光修整、去键合、开槽及切割等关键制程。
DeepSeek正与华为展开深度合作，参与影响华为未来人工智能芯片的设计，华为工程师分阶段进驻DeepSeek办公地点，将大模型训练中的实际需求纳入芯片设计决策，相关反馈涉及模型计算任务分配、处理器间数据传输等底层细节，并将被纳入计划于明年年初推出的芯片设计。双方合作的下一步是训练环节的全面切换：DeepSeek计划最早于今年年底开始使用华为昇腾950DT进行预训练，目前相关测试仍在推进。华为计划将2027年第一季度推出的昇腾960DT的大部分产能分配给DeepSeek，后者将同时用于训练和推理；DeepSeek创始人梁文锋已向投资者透露，用华为及其他国产芯片训练下一代模型是公司的最高优先事项之一。软件生态方面，DeepSeek已开源面向昇腾平台的TileLang编译工具及配套计算、通信组件，训练中每一个TileLang算子在昇腾上均已完成高性能实现。市场份额方面，IDC数据显示2026年上半年英伟达在中国AI芯片市场份额已降至34%，华为以28%紧随其后，差距缩至6个百分点；华为昇腾910C超节点已部署超过1000套，并设计出最多可搭载100万颗NPU的架构。
ASML与Xanadu宣布开展合作，研究先进光刻工艺能否抑制光子量子计算中最关键的工程限制之一——光子损耗。双方将针对Xanadu的光子量子硬件研究先进光刻工艺，重点考察更严格的图形化控制能否抑制损耗机制并改善容错、实用规模机器的前景。该合作计划特别将光学损耗与线边缘粗糙度（LER）联系起来：光刻定义波导及其他纳米光子结构的横向边界，实际边缘中的纳米级偏差会扰动波导折射率边界，将导光耦合到辐射模式或产生背散射，导致传播损耗。ASML贡献光刻成像、工艺窗口、计量和计算校正方面的专长，Xanadu贡献器件需求、光子电路设计和量子级性能数据。原文明确指出：该合作并不意味着ASML在制造量子计算机，公告也未指定生产节点、工具平台或数值损耗目标；这是一项研究工作，旨在理解哪些光刻手段可以制造更低损耗的光子结构，近期成果是工艺知识而非成品容错机器。成功还将取决于封装、光纤到芯片耦合、探测器效率和光源质量，这些仅靠光刻无法解决。
总部位于美国加州El Segundo的Efficient Power Conversion Corp（EPC）表示，其EPC2361 100V eGaN FET已被用于Analog Devices Inc（ADI）的一款高性能降压-升压转换器参考设计，该设计支持4kW功率、高效率。EPC主营用于电源管理应用的增强型氮化镓硅（eGaN）功率场效应晶体管（FET）及集成电路。此为设计应用合作信息，原文未给出价格、供应或需求数据。
连接器制造商HARTING已加入NVIDIA MGX生态系统，成为NVIDIA Vera Rubin NVL72平台的电源连接供应商。这家德国连接器制造商正在提供大电流电源线缆组件，用于支持AI数据中心从480 VAC配电向800 VDC架构的过渡。原文未说明原因以外的背景信息。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |